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Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-J 應(yīng)用于硬盤 GMR 磁頭
硬盤磁頭, 是硬盤讀取數(shù)據(jù)的關(guān)鍵部件, 磁頭的好壞在很大程度上決定著硬盤盤片的存儲(chǔ)密度.
GMR 磁頭的使用了磁阻效應(yīng)更好的材料和多層薄膜結(jié)構(gòu), 這比以前的傳統(tǒng)磁頭和MR（Magneto Resisive）磁阻磁頭更為敏感, 相對(duì)的磁場(chǎng)變化能引起來大的電阻值變化, 從而實(shí)現(xiàn)更高的存儲(chǔ)密度.
某硬盤磁頭制造商采用伯東 Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-J 應(yīng)用于硬盤磁頭鍍制GMR磁頭導(dǎo)電材料和磁性材料薄膜構(gòu).
Hakuto 離子蝕刻機(jī) 20IBE-J 技術(shù)參數(shù)
Φ4 inch X 12片 | 基片尺寸 | Φ4 inch X 12片 Φ5 inch X 10片 Φ6 inch X 8片 |
均勻性 | ±5% | |
硅片刻蝕率 | 20 nm/min | |
樣品臺(tái) | 直接冷卻,水冷 | |
離子源 | Φ20cm 考夫曼離子源 |
Hakuto 離子刻蝕機(jī) 20IBE-J 的核心構(gòu)件離子源采用的是伯東公司代理美國(guó) 考夫曼博士創(chuàng)立的 KRI考夫曼公司的射頻離子源 RFICP220
伯東 KRI 射頻離子源 RFICP 220 技術(shù)參數(shù):
離子源型號(hào) | RFICP 220 |
Discharge | RFICP 射頻 |
離子束流 | >800 mA |
離子動(dòng)能 | 100-1200 V |
柵極直徑 | 20 cm Φ |
離子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 10-40 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型壓力 | < 0.5m Torr |
長(zhǎng)度 | 30 cm |
直徑 | 41 cm |
中和器 | LFN 2000 |
* 可選: 燈絲中和器; 可變長(zhǎng)度的增量
Hakuto 離子刻蝕機(jī) 20IBE-J 的樣品臺(tái)可以 0-90 度旋轉(zhuǎn), 實(shí)現(xiàn) GMR 磁頭均勻地接受離子的轟擊, 進(jìn)而實(shí)現(xiàn)提高 GMR 磁頭的加工質(zhì)量.
若您需要進(jìn)一步的了解詳細(xì)產(chǎn)品信息或討論 , 請(qǐng)參考以下聯(lián)絡(luò)方式 :
上海伯東 : 羅先生
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展會(huì)城市：佛山市展會(huì)時(shí)間：2025-05-21