RIE，全稱是Reactive Ion Etching充分發揮，反應(yīng)離子刻蝕發展成就，是一種微電子干法腐蝕工藝。
RIE是干蝕刻的一種重要方式，這種蝕刻的原理是開展面對面，當(dāng)在平板電極之間施加10～100MHZ的高頻電壓（RF，radio frequency）時(shí)會(huì)產(chǎn)生數(shù)百微米厚的離子層（ion sheath）無障礙，在其中放入試樣連日來，離子高速撞擊試樣而完成化學(xué)反應(yīng)蝕刻，此即為反應(yīng)離子刻蝕機(jī)RIE（Reactive Ion Etching）。因此為了得到高速而垂直的蝕刻面系統，經(jīng)加速的多數(shù)離子不能與其他氣體分子等碰撞增強，而直接向試樣撞擊。為達(dá)到此目的交流等，必須對(duì)真空度更加廣闊，氣體流量，離子加速電壓等進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整數字化，同時(shí)方便，為得到高密度的等離子體，需用磁控管施加磁場(chǎng)各領域，以提高加工能力應用領域。
我司提供多型號(hào)的RIE刻蝕系統(tǒng)，滿足國(guó)內(nèi)客戶研究和生產(chǎn)的需要進行培訓。
RIE 反應(yīng)離子蝕刻設(shè)備參數(shù):
1.鋁材腔體或不銹鋼腔體發展機遇；
2.不銹鋼盒；
3.可以刻蝕硅化物(~400 A/min)或金屬；
典型硅刻蝕速率 400 A/min；
4.射頻源: 大12”陽(yáng)極化射頻平板(RF)發展契機；
5.真空度:大約20分鐘內(nèi)達(dá)到1E-6Torr,極限真空5E-7Torr；
6.雙刻蝕容量：RIE和等離子刻蝕信息化；
7.氣動(dòng)升降蓋；
8.手動(dòng)/全自動(dòng)裝卸樣品生動；
9.預(yù)抽真空室新型儲能；
10.電腦控制
11.選配ICP源和平臺(tái)的低溫冷卻實(shí)現(xiàn)深硅刻蝕。
反應(yīng)離子蝕刻系統(tǒng)可選配：
1. 超高700W的高密度等離子源進(jìn)行各向同性蝕刻(isotropic etching)新品技；
2. ICP等離子源範圍，2KW射頻電源及調(diào)諧器；
3. 低溫基底冷卻(Cryogenic substrate cooling)紮實做；
4. 終點(diǎn)探測(cè)(End point detection) 空間廣闊；
5. 蘭繆爾探針；
6. 靜電卡盤(Electrostatic chuck)提供深度撮合服務；
7. 附加MFC’s服務品質；
8. 1KW射頻電流源及調(diào)諧器；
9. 低頻電流源及調(diào)諧器集聚效應；
深反應(yīng)離子蝕刻系統(tǒng)(Deep Reactive Ion Etching System)
反應(yīng)離子刻蝕機(jī)RIE帶有淋浴頭式樣的氣體分配系統(tǒng)及水冷射頻壓盤深入開展，柜體為不銹鋼材質(zhì)。反應(yīng)腔體為13英寸鋁制等形式、從頂端打開(kāi)方便晶片裝載取出，大可進(jìn)行8英寸直徑樣品實(shí)驗(yàn)，帶有兩個(gè)艙門：一個(gè)艙門帶有2英寸視窗飛躍，另一個(gè)艙門用于終點(diǎn)探測(cè)及其他診斷更高效。腔體可達(dá)到10-6 Torr壓力或更高，自直流偏置連續(xù)監(jiān)控重要部署、大可達(dá)到500伏偏電壓(各向異性蝕刻)具體而言。該反應(yīng)離子蝕刻系統(tǒng)為*由計(jì)算機(jī)控制的全自動(dòng)設(shè)備。
DRIE系列深反應(yīng)離子蝕刻系統(tǒng)帶有低溫晶片冷卻及偏置壓盤智慧與合力，設(shè)備使用2kw 8英寸ICP源喜愛，使用500L/秒的渦輪泵，在10-3Torr壓力范圍運(yùn)行開放要求。
