普賽斯儀表專業(yè)研究和開發(fā)半導(dǎo)體材料與器件測試的專業(yè)智能裝備智能設備，產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈不可缺少。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU）的第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段特點，實現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度重要的角色、高效率測量和分析。更多有關(guān)分立器件來料檢測儀iv|cv曲線分析儀詳情上普賽斯儀表咨詢
產(chǎn)品特點：
30μV-1200V向好態勢；1pA-100A寬量程測試能力；
測量精度高服務機製，全量程下可達0.03%精度貢獻力量；
內(nèi)置標(biāo)準(zhǔn)器件測試程序，直接調(diào)用測試簡便大幅拓展；
自動實時參數(shù)提取發行速度，數(shù)據(jù)繪圖、分析函數(shù)與時俱進；
在CV和IV測量之間快速切換而無需重新布線性能；
提供靈活的夾具定制方案，兼容性強綜合運用；
免費提供上位機軟件及SCPI指令集供給；
典型應(yīng)用：
納米、柔性等材料特性分析實事求是；
二極管保障性；
MOSFET、BJT責任製、晶體管十分落實、IGBT；
第三代半導(dǎo)體材料/器件規則製定；
有機OFET器件製造業；
LED、OLED、光電器件發展基礎；
半導(dǎo)體電阻式等傳感器兩個角度入手；
EEL、VCSEL顯示、PD創新為先、APD等激光二極管；
電阻率系數(shù)和霍爾效應(yīng)測量科普活動；
太陽能電池創新延展；
非易失性存儲設(shè)備；
失效分析長期間；
系統(tǒng)技術(shù)規(guī)格
訂貨信息
硬件指標(biāo)-IV測試
半導(dǎo)體材料以及器件的參數(shù)表征基本情況，往往包括電特性參數(shù)測試。絕大多數(shù)半導(dǎo)體材料以及器件的參數(shù)測試高端化，都包括電流-電壓(I-V)測量力量。源測量單元(SMU)，具有四象限提單產，多量程深入實施，支持
四線測量等功能，可用于輸出與檢測高精度發展空間、微弱電信號效果，是半導(dǎo)體|-V特性測試的重要工具之-。SPA-6100配置有多種不同規(guī)格的SMU,如低壓直流SMU,低壓脈沖SMU,大電流SMU足了準備。用戶可根據(jù)測試需求靈活配置不同規(guī)格,以及不同數(shù)量的搭配合作關系，實現(xiàn)測試測試效率與開支的平衡。
靈活可定制化的夾具方案
針對市面上不同封裝類型的半導(dǎo)體器件產(chǎn)品,普賽斯提供整套夾具解決方案深刻內涵。夾具具有低阻抗傳遞、安裝簡單、種類豐富等特點貢獻，可
用于二極管規模最大、三極管、場效應(yīng)晶體管統籌、IGBT成效與經驗、SiC MOS、GaN等單管堅實基礎，模組類產(chǎn)品的測試;也可與探針臺連接稍有不慎，實現(xiàn)晶圓級芯片
測試。
探針臺連接示意圖
