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光學(xué)設(shè)備在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的部分應(yīng)用

半導(dǎo)體是指具有半導(dǎo)體特性的材料，它們在一定條件下能夠傳導(dǎo)電流行業分類，但在其他條件下卻能阻止電流的通過技術特點。半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間。常見的半導(dǎo)體材料包括硅發展邏輯、鍺凝聚力量、砷化鎵等。

半導(dǎo)體作為當(dāng)代科技的核心組成部分聽得進，半導(dǎo)體目前在電子新的力量、通信、計算機便利性、醫(yī)療全面展示、光伏和汽車領(lǐng)域發(fā)揮著舉足輕重的作用。通過對半導(dǎo)體材料深刻認識、工藝和使用技術(shù)的不斷探索核心技術，未來在新材料和新工藝的研究與應(yīng)用、集成化與智能化主動性、環(huán)保和可持續(xù)發(fā)展創造性、生物電子與神經(jīng)科技和量子計算與量子通信等領(lǐng)域都極可能是新的趨勢。

半導(dǎo)體產(chǎn)品的制造需要數(shù)百個工藝道路，通常來講規模設備，整個制造過程分為八個步驟：晶圓加工-氧化-光刻-刻蝕-薄膜沉積-互連-測試-封裝。

卓立漢光作為國內(nèi)一家光譜對外開放、光機和激光設(shè)備制造商技術創新，在半導(dǎo)體制造過程中可以提供一些加工或者測試設(shè)備。

晶圓加工：

所有半導(dǎo)體工藝都始于一粒沙子有序推進！因為沙子所含的硅是生產(chǎn)晶圓所需要的原材料設施。晶圓是將硅(Si)或砷化鎵(GaAs)制成的單晶柱體切割形成的圓薄片需求。要提取高純度的硅材料需要用到硅砂，一種二氧化硅含量高達95%的特殊材料組合運用，也是制作晶圓的主要原材料更讓我明白了。晶圓加工就是制作獲取上述晶圓的過程。

在晶圓切割中積極，卓立漢光提供壓電系列產(chǎn)品探索，比如Carrier系列物鏡對焦臺和Carrier系列多維運動位移臺。

亞納米物鏡自動對焦臺Carrier.OBHLxx.C.HV系列

特點：

• 最快穩(wěn)定時間(90% 位置穩(wěn)定) 15ms 以內(nèi)

• 閉環(huán)分辨率優(yōu)于 1nm

• 最大負載 500 g

• 控制器兼容多場科技 Motion Controller - Archimedes Series

• 支持無磁 (.NM) 產業、高真空 (HV) 和超高真空 (.UHV) 選件

Carrier.S200.xy/xyz.C系列中空壓電掃描臺

產(chǎn)品特?

• 兩維度XY 掃描運動 200 um × 200 um滿意度；

• 閉環(huán)定位精度優(yōu)于 1nm；

• 最?負載 500 g可持續；

• 針對光學(xué)顯微鏡-超分辨定制化解決?案主要抓手；

• ?持?磁( .NM)和?真空( .UHV)選件升級

CarrierHS100.xxx.C/S系列中空壓電掃描臺

• 閉環(huán)分辨率優(yōu)于 1nm

• 最大負載 3.5 kg

• 針對光學(xué)顯微鏡-超分辨定制化解決方案

• 支持無磁 (NM) 和高真空 (UHV) 選件升級

光刻

光刻是通過光線將電路圖案“印刷”到晶圓上，我們可以將其理解為在晶圓表面繪制半導(dǎo)體制造所需的平面圖構建。電路圖案的精細度越高創新科技，成品芯片的集成度就越高，必須通過先進的光刻技術(shù)才能實現(xiàn)共創輝煌。具體來說具有重要意義，光刻可分為涂覆光刻膠、曝光和顯影三個步驟大部分。

在光刻工藝中強大的功能，卓立漢光可以提供主動隔振臺、氣浮直線電機解決方案、單維或多維掃描描臺和物鏡對焦臺等壓電產(chǎn)品和193nm激光器優勢。

主動隔振臺

主要特征

• 無低頻共振 - 低頻范圍內(nèi)具有優(yōu)異的隔振特性

• 低至0.6Hz開始主動隔振(>200Hz被動隔振）

• 只需0.3秒的設(shè)置時間

• 自動調(diào)節(jié)負載

• 因固有剛度具有高度的位置穩(wěn)定性

• 接電即可，無需壓縮空氣

• 真正的主動隔振：即時產(chǎn)生反作用力來抵消振動

氣浮直線電機

特點：

• 最高可實現(xiàn)1um左右的運動直線度與運動平行度增產。

• 最高可實現(xiàn)亞微米級別定位精度

• 支持龍門結(jié)構(gòu)定制結構。

• 氣浮直線電機是實現(xiàn)長行程、大負載貢獻、高速規模最大、高精度的需求的*優(yōu)解。

深紫外單縱模固體激光器Ixion193

IXION 193為全固化單頻激光器明確了方向，其線寬達到變換極限系統性，可用于光學(xué)計量、193nm 步進光學(xué)系統(tǒng)校準(zhǔn)單產提升、高功率準(zhǔn)分子激光器種子等傳遞。

典型應(yīng)用：

• 光譜儀校準(zhǔn)；

• 光刻勞動精神；

• 干涉儀開展攻關合作；

• 193nm 計量測量

• 準(zhǔn)分子激光器種子源

薄膜沉積

為了創(chuàng)建芯片內(nèi)部的微型器件製度保障，需要不斷地沉積一層層的薄膜并通過刻蝕去除掉其中多余的部分，另外還要添加一些材料將不同的器件分離開來的有效手段。每個晶體管或存儲單元就是通過上述過程一步步構(gòu)建起來的統籌推進。這里所說的“薄膜”是指厚度小于1微米（μm，百萬分之一米）關鍵技術、無法通過普通機械加工方法制造出來的“膜”了解情況。將包含所需分子或原子單元的薄膜放到晶圓上的過程就是“沉積”。

要形成多層的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)技術研究，需要先制造器件疊層重要的，即在晶圓表面交替堆疊多層薄金屬（導(dǎo)電）膜和介電（絕緣）膜，之后再通過重復(fù)刻蝕工藝去除多余部分并形成三維結(jié)構(gòu)姿勢∠嗷ト诤?？捎糜诔练e過程的技術(shù)包括化學(xué)氣相沉積 (CVD)、原子層沉積 (ALD) 和物理氣相沉積 (PVD)綠色化，采用這些技術(shù)的方法又可以分為干法和濕法沉積兩種技術交流。

化學(xué)氣相沉積

原子層沉積

物理氣相沉積

在薄膜沉積的過程中，卓立漢光可以提供一系列的壓電位移臺拓展，比如：LsXX.lab/LsXX.lab.系列壓電納米線性位移臺

特點：

• 超安靜運動，20HzZ驅(qū)動頻率

• 閉環(huán)控制·位置傳感支持電阻型(R和光學(xué)型(.0)

• 高精度空間傳感分辨率(.0)10nm(默認(rèn))宣講活動；4.88nm2.44nm,lnm可選

• 經(jīng)濟型空間傳感分辨率(R)100-200nm

• *小步伐約10 nm

• 可提供多軸堆疊安裝轉(zhuǎn)接件

• 控制器兼容旋轉(zhuǎn)臺不斷進步，搖擺臺

•高真空 (HV) 和超高真空支持無磁 (NM) 、(UHV) 選件

晶圓測試

半導(dǎo)體晶圓PL光譜測試系統(tǒng)針對第三代半導(dǎo)體效率，如GaN規模、InGaN、AlGaN等講道理，進行溫度相關(guān)光譜和熒光壽命測試節點。同時可測量外延片的膜厚、反射率及相應(yīng)的Mapping圖落地生根。

熒光光譜的峰值波長的特點、光譜半寬、積分光強有效保障、峰強度大數據、熒光壽命與電子/空穴多種形式的輻射復(fù)合相關(guān)，雜質(zhì)或缺陷濃度講實踐、組分等密切相關(guān)數字技術，通過白光干涉技術(shù)測量外延片的薄膜厚度（Thickness）、反射率(PR)以及晶片翹曲度市場開拓。

半導(dǎo)體晶圓PL光譜測試系統(tǒng)

半導(dǎo)體晶圓PL光譜測試系統(tǒng)

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進步和更新措施，卓立漢光也會及時推出符合科研和工業(yè)生產(chǎn)需要的配套加工和檢測設(shè)備大大縮短，敬請關(guān)注。