功率半導(dǎo)體雪崩耐量測試系統(tǒng)是針對(duì)雪崩能量測試臺(tái)，是針對(duì)半導(dǎo)體器件 IGBT產業、二極管滿意度、MOS 等設(shè)計(jì)的測試設(shè)備 儀器，對(duì)于那些在應(yīng)用過程中功率器件兩端所產(chǎn)生較大的尖峰電壓可持續，就要考慮 器件的雪崩能量耐受主要抓手，電壓的尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定，因 此對(duì)于反激的應(yīng)用服務，電路關(guān)斷時(shí)會(huì)產(chǎn)生較大的電壓尖峰很重要。通常的情況下，功率 器件都會(huì)電壓降額覆蓋， 從而留有足夠的電壓余量異常狀況。
BW-UIS-3500
雪崩耐量測試系統(tǒng)
雪崩能量測試臺(tái)，是針對(duì)半導(dǎo)體器件 IGBT重要意義、二極管統籌發展、MOS 等設(shè)計(jì)的測試設(shè)備 儀器深化涉外，對(duì)于那些在應(yīng)用過程中功率器件兩端所產(chǎn)生較大的尖峰電壓體系，就要考慮 器件的雪崩能量耐受，電壓的尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定開展試點，因 此對(duì)于反激的應(yīng)用攜手共進，電路關(guān)斷時(shí)會(huì)產(chǎn)生較大的電壓尖峰。通常的情況下推進一步，功率 器件都會(huì)電壓降額經過， 從而留有足夠的電壓余量。但是力度，一些電源在輸出短路 時(shí)明確了方向，初級(jí)中會(huì)產(chǎn)生較大的電流，加上初級(jí)電感勇探新路，器件就會(huì)有雪崩損壞的可能單產提升， 因此在這樣的應(yīng)用條件下，就要考慮器件的雪崩能量試驗。另外勞動精神，由于一些電機(jī)的 負(fù)載是感性負(fù)載，而啟動(dòng)和堵轉(zhuǎn)過程中會(huì)產(chǎn)生極大的沖擊電流，因此也要考慮 器件的雪崩能量預下達。 ? 該設(shè)備儀器是專門測試 IGBT的有效手段、MOS 及二極管的雪崩耐量，能夠準(zhǔn)確快速測試 出它們的雪崩耐量方案，該設(shè)備主要包組成單元有：可控直流電源關鍵技術、可選電感、電 流傳感器組建、電壓傳感器表現、雪崩保護(hù)電壓、IGBT 功率型器件首次、IGBT 功率型器件 保護(hù)電路可能性更大、計(jì)算機(jī)程控系統(tǒng)、雪崩電壓采集系統(tǒng)搖籃、雪崩電流采集系統(tǒng)技術、測試標(biāo) 準(zhǔn)適配器等 。
技術(shù)指標(biāo)：
> 浪涌電流（IFSM/ITSM）調(diào)節(jié)范圍：0.30～3.60kA
> 分辨率0.01kA推動，精度±3%±0.01kA
> 電流波形：正弦半波相對較高，底寬10ms
> 測試頻率：單次
> 反向電壓（VRRM）調(diào)節(jié)范圍：0.20～2.00kV，分辨率0.01kV信息，精度±5％
> 反向電壓測試頻率：50Hz相關；
> 反漏電流（IRRM）測試范圍；1.0～100.0mA豐富內涵，分辨率0.1mA生產效率，精度±5％±0.1mA
工作方式：
> 由觸摸液晶屏設(shè)定浪涌電流大小、反向電壓值及反向漏電流保護(hù)值
> 按測試按鍵后設(shè)備自動(dòng)完成測試
外形尺寸：
> 600×800×1900×1（寬×深×高×并柜數(shù)適應性，單位：mm）
系統(tǒng)說明：
> 上述設(shè)備配置輸出及測試線,但不含測試用“夾具”節點。該“夾具”用于滿足元件按照標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行測試時(shí)所要求的溫度和壓力測試條件。
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