晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件集聚，是一種半導(dǎo)體器件，放大器或電控開(kāi)關(guān)常用調整推進；包括各種半導(dǎo)體材料制成的二極管狀況、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管機製、晶閘管（后三者均為三端子）等全過程。晶體管具有檢波、整流探討、放大不負眾望、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓調解製度、信號(hào)調(diào)制等多種功能精準調控，晶體管可用于各種各樣的數(shù)字和模擬功能；晶體管是規(guī)范操作電腦應用的因素之一、手機(jī)體系、所有其他現(xiàn)代電子電路的基本構(gòu)建塊。
晶體管特性參數(shù)測(cè)試是對(duì)待測(cè)器件（DUT）施加電壓或電流開展試點，然后測(cè)試其對(duì)激勵(lì)做出的響應(yīng)攜手共進；通常晶體管特性參數(shù)測(cè)試需要幾臺(tái)儀器完成，如數(shù)字表推進一步、電壓源大部分、電流源等。然而由數(shù)臺(tái)儀器組成的系統(tǒng)需要分別進(jìn)行編程實際需求、同步解決方案、連接優勢、測(cè)量和分析，過(guò)程既復(fù)雜又耗時(shí)增產，還占用過(guò)多測(cè)試臺(tái)的空間便利性。而且使用單一功能的測(cè)試儀器和激勵(lì)源還存在復(fù)雜的相互間觸發(fā)操作，有更大的不確定度及更慢的總線傳輸速度等缺點(diǎn)行動力。
實(shí)施特性參數(shù)分析的蕞佳工具之一是數(shù)字源表（SMU）提供有力支撐。普賽斯歷時(shí)多年打造了高精度、大動(dòng)態(tài)范圍保供、帥先國(guó)產(chǎn)化的源表系列產(chǎn)品自行開發，集電壓、電流的輸入輸出及測(cè)量等功能于一體責任们闆r？勺鳛楠?dú)立的恒壓源或恒流源、伏特計(jì)組建、安培計(jì)和歐姆表表現，還可用作精密電子負(fù)載。其高性能架構(gòu)還允許將其用作脈沖發(fā)生器深刻變革，波形發(fā)生器和自動(dòng)電流-電壓(I-V)特性分析系統(tǒng)結論，支持四象限工作。普賽斯“五合一”高精度數(shù)字源表（SMU）可為高匈|生產力？蒲泄ぷ髡哌m應性強、器件測(cè)試工程師及功率模塊設(shè)計(jì)工程師提供測(cè)量所需的工具。不論使用者對(duì)源表先進的解決方案、電橋建設、曲線跟蹤儀、半導(dǎo)體參數(shù)分析儀或示波器是否熟悉開展研究，都能簡(jiǎn)單而迅速地得到精確的結(jié)果姿勢。
晶體管iv圖示儀半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表官&網(wǎng)咨詢，普賽斯以自主研發(fā)為導(dǎo)向首要任務，深耕半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域綠色化，在I-V測(cè)試上積累了豐富的經(jīng)驗(yàn)，先后推出了直流源表發展，脈沖源表保持穩定、脈沖恒流源、脈沖恒壓源面向、功率器件靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)支撐作用、大功率激光器老化測(cè)試系統(tǒng)等測(cè)試設(shè)備，廣泛應(yīng)用于高校研究所建設項目、實(shí)驗(yàn)室最為突出，新能源落實落細，光伏，風(fēng)電高效化，軌交製高點項目，變頻器等場(chǎng)景。普賽斯全新升級(jí)S系列數(shù)字源表更大直流,更高精度,科研實(shí)驗(yàn)B備源表,標(biāo)準(zhǔn)的SCPI指令集,上位機(jī)軟件功能豐富,半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域的經(jīng)典產(chǎn)品!
普賽斯源表輕松實(shí)現(xiàn)二極管特性參數(shù)分析
二極管是一種使用半導(dǎo)體材料制作而成的單向?qū)?電性元器件範圍和領域，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)一般為單個(gè)PN結(jié)結(jié)構(gòu)有所增加，只允許電流從單一方向流過(guò)。發(fā)展至今更高要求，已陸續(xù)發(fā)展出整流二極管越來越重要的位置、肖特基二極管、快恢復(fù)二極管共同學習、PIN二極管順滑地配合、光電二極管等，具有安全可靠等特性應用優勢，廣泛應(yīng)用于整流高質量發展、穩(wěn)壓全方位、保護(hù)等電路中高效節能，是電子工程上用途廣泛的電子元器件之一。IV特性是表征半導(dǎo)體二極管PN結(jié)制備性能的主要參數(shù)之一大局，二極管IV特性主要指正向特性和反向特性等新創新即將到來；
普賽斯S系列、P系列源表簡(jiǎn)化場(chǎng)效應(yīng)MOS管I-V特性分析
MOSFET(金屬—氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制其電流大小的常見(jiàn)半導(dǎo)體器件宣講手段，可以廣泛應(yīng)用在模擬電路和數(shù)字電路當(dāng)中重要工具，MOSFET可以由硅制作，也可以由石墨烯配套設備，碳納米管等材料制作更優質，是材料及器件研究的熱點(diǎn)。主要參數(shù)有輸入/輸出特性曲線推進高水平、閾值電壓 VGS(th)脫穎而出、漏電流IGSSIDSS，擊穿電壓VDSS生產創效、低頻互導(dǎo)gm結構、輸出電阻RDS等。
普賽斯數(shù)字源表快速優化上下、準(zhǔn)確進(jìn)行三極管BJT特性分析
三極管是半導(dǎo)體基本元器件之一能力建設，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件生產體系。三極管是在一塊半導(dǎo)體基片上制作兩個(gè)相距很近的PN結(jié)服務，兩個(gè)PN結(jié)把整塊半導(dǎo)體分成三部分很重要，中間部分是基區(qū)，兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)大型。設(shè)計(jì)電路中常常會(huì)關(guān)注的參數(shù)有電流放大系數(shù)β服務效率、極間反向電流ICBO、ICEO重要意義、集電極蕞大允許電流ICM統籌發展、反向擊穿電壓VEBO、VCBO體系、VCEO以及三極管的輸入輸出特性曲線等參數(shù)生產製造。
普賽斯五合一高精度數(shù)字源表（SMU）在半導(dǎo)體IV特性測(cè)試方面擁有豐富的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，為晶體管電性能參數(shù)測(cè)試提供全面的解決方案攜手共進，包括二極管共同、MOS管、BJT經過、IGBT簡單化、二極管電阻器及晶閘管等。此外明確了方向，普賽斯儀表還提供適當(dāng)?shù)碾娎|輔件和測(cè)試夾具設計，實(shí)現(xiàn)安全、精確和可靠的測(cè)試改進措施。更多有關(guān)晶體管iv圖示儀半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)的信息就此掀開，上普賽斯儀表官&網(wǎng)咨詢
