半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)測(cè)試是對(duì)待測(cè)器件（DUT）施加電壓或電流，然后測(cè)試其對(duì)激勵(lì)做出的響應(yīng)就此掀開；通常半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)測(cè)試需要幾臺(tái)儀器完成長足發展，過程既復(fù)雜又耗時(shí)，還占用過多測(cè)試臺(tái)的空間穩步前行。實(shí)施特性參數(shù)分析的蕞佳工具之一是數(shù)字源表（SMU）結構不合理。普賽斯歷時(shí)多年打造了高精度、大動(dòng)態(tài)范圍逐步改善、帥先國(guó)產(chǎn)化的源表系列產(chǎn)品意見征詢，集電壓、電流的輸入輸出及測(cè)量等功能于一體大大提高。分立器件測(cè)試儀IV曲線掃描儀認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表
半導(dǎo)體分立器件是指以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件的必然要求，包括各種半導(dǎo)體材料制成的二極管、三極管取得了一定進展、場(chǎng)效應(yīng)管完善好、可控硅等，具有整流積極參與、放大問題分析、開關(guān)搖籃、檢波，穩(wěn)壓推廣開來、信號(hào)調(diào)制等多種功能推動，衡量晶體管性能好壞主要是通過I-V測(cè)試或C-V測(cè)試來(lái)提取晶體管的基本特性參數(shù)，并在整個(gè)工藝結(jié)束后評(píng)估器件的優(yōu)劣資源配置。
半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)測(cè)試是對(duì)待測(cè)器件（DUT）施加電壓或電流信息，然后測(cè)試其對(duì)激勵(lì)做出的響應(yīng)；通常半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)測(cè)試需要幾臺(tái)儀器完成特性，如數(shù)字表傳承、電壓源、電流源等建言直達。然而由數(shù)臺(tái)儀器組成的系統(tǒng)需要分別進(jìn)行編程多種、同步、連接充分發揮、測(cè)量和分析發展成就，過程既復(fù)雜又耗時(shí)，還占用過多測(cè)試臺(tái)的空間重要方式。而且使用單一功能的測(cè)試儀器和激勵(lì)源還存在復(fù)雜的相互間觸發(fā)操作開展面對面，有更大的不確定度及更慢的總線傳輸速度等缺點(diǎn)。
實(shí)施特性參數(shù)分析的蕞佳工具之一是數(shù)字源表（SMU）非常重要。普賽斯歷時(shí)多年打造了高精度進一步提升、大動(dòng)態(tài)范圍、帥先國(guó)產(chǎn)化的源表系列產(chǎn)品營造一處，集電壓改革創新、電流的輸入輸出及測(cè)量等功能于一體∪〉蔑@著成效？勺鳛楠?dú)立的恒壓源或恒流源新模式、伏特計(jì)、安培計(jì)和歐姆表估算，還可用作精密電子負(fù)載講理論。其高性能架構(gòu)還允許將其用作脈沖發(fā)生器，波形發(fā)生器和自動(dòng)電流-電壓(I-V)特性分析系統(tǒng)不要畏懼，支持四象限工作服務為一體。普賽斯“五合一”高精度數(shù)字源表（SMU）可為高校科研工作者、器件測(cè)試工程師及功率模塊設(shè)計(jì)工程師提供測(cè)量所需的工具。不論使用者對(duì)源表推進一步、電橋研究與應用、曲線跟蹤儀、半導(dǎo)體參數(shù)分析儀或示波器是否熟悉取得明顯成效，都能簡(jiǎn)單而迅速地得到精確的結(jié)果自動化。分立器件測(cè)試儀IV曲線掃描儀認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表官&網(wǎng)咨詢
普賽斯“五合一”高精度數(shù)字源表
普賽斯源表輕松實(shí)現(xiàn)二極管特性參數(shù)分析
二極管是一種使用半導(dǎo)體材料制作而成的單向?qū)? 電性元器件的必然要求，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)一般為單個(gè)PN結(jié)結(jié)構(gòu)探索創新，只允許電流從單一方向流過帶來全新智能。發(fā)展至今，已陸續(xù)發(fā)展出整流二極管生動、肖特基二極管新型儲能、快恢復(fù)二極管、PIN二極管新品技、光電 二極管等範圍，具有安全可靠等特性，廣泛應(yīng)用于整流紮實做、穩(wěn)壓空間廣闊、保護(hù)等電路中，是電子工程上用途蕞廣泛的電子元器件之一提供深度撮合服務。IV特性是表征半導(dǎo)體二極管PN結(jié)制備性能的主要參數(shù)之一服務品質，二極管IV特性主要指正向特性和反向特性等；
普賽斯S系列事關全面、P系列源表簡(jiǎn)化場(chǎng)效應(yīng)MOS管I-V特性分析
MOSFET(金屬—氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是一種利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制其電流大小的常見半導(dǎo)體器件表現明顯更佳，可以廣泛應(yīng)用在模擬電路和數(shù)字電路當(dāng)中，MOSFET可以由硅制作技術節能，也可以由石墨烯，碳納米管等材料制作廣泛認同，是材料及器件研究的熱點(diǎn)國際要求。主要參數(shù)有輸入/輸出特性曲線、閾值電壓 VGS(th)鍛造、漏電流IGSS競爭激烈、IDSS，擊穿電壓VDSS改善、低頻互導(dǎo)gm空白區、輸出電阻RDS等。
普賽斯數(shù)字源表快速信息化、準(zhǔn)確進(jìn)行三極管BJT特性分析
三極管是半導(dǎo)體基本元器件之一形勢，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件取得明顯成效。三極管是在一塊半導(dǎo)體基片上制作兩個(gè)相距很近的PN結(jié)約定管轄，兩個(gè)PN結(jié)把整塊半導(dǎo)體分成三部分，中間部分是基區(qū)創新的技術，兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)發揮。設(shè)計(jì)電路中常常會(huì)關(guān)注的參數(shù)有電流放大系數(shù)β顯著、極間反向電流ICBO、ICEO與時俱進、集電極蕞大允許電流ICM性能、反向擊穿電壓VEBO、VCBO綜合運用、VCEO以及三極管的輸入輸出特性曲線等參數(shù)供給。
普賽斯五合一高精度數(shù)字源表（SMU）在半導(dǎo)體IV特性測(cè)試方面擁有豐富的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，為半導(dǎo)體分立器件電性能參數(shù)測(cè)試提供全面的解決方案效果較好，包括二極管重要的意義、MOS管、BJT等多個領域、IGBT再獲、二極管電阻器及晶閘管等。此外應用擴展，普賽斯儀表還提供適當(dāng)?shù)碾娎|輔件和測(cè)試夾具體驗區，實(shí)現(xiàn)安全、精確和可靠的測(cè)試活動上。欲了解更多分立器件測(cè)試儀IV曲線掃描儀的信息有望，歡迎隨時(shí)上普賽斯儀表官&網(wǎng)咨詢！
