高阻抗本征硅 高阻硅片 基片 窗片
高阻抗本征硅 高阻硅片 高阻抗本征硅基片 高阻抗硅窗片 高阻硅窗片
除了人造金剛石預期，高阻抗的本征硅（高阻硅）材料是適合極寬范圍從(1.2 µm) 到mm (1000 µm甚至8000 µm)波的各項(xiàng)同性晶體材料。和鉆石相比幅度，它要便宜的多結構，并且生長(zhǎng)制造更容易。

產(chǎn)品簡(jiǎn)介    

     除了人造金剛石經過，高阻抗的本征硅（高阻硅）材料是適合極寬范圍從(1.2 µm) 到mm (1000 µm甚至8000 µm)波的各項(xiàng)同性晶體材料強大的功能。和鉆石相比，它要便宜的多解決方案，并且生長(zhǎng)制造更容易優勢。而且他尺寸更大，更容易制造增產，THz技術(shù)的快速發(fā)展便利性，就基于該優(yōu)點(diǎn)。對(duì)于THz應(yīng)用行動力，我們提供在1000 µm (對(duì)于更長(zhǎng)波長(zhǎng)提供有力支撐，3000甚至8000微米)透過率達(dá)到50-54%的High Resistivity Float Zone Silicon (HRFZ-Si)。高阻抗浮區(qū)本征硅材料保供，和相關(guān)光學(xué)元件自行開發。

     合成電解質(zhì)硅的介電常數(shù)由傳導(dǎo)率決定（例如：自由電子-載流子濃度）。圖3顯示的是在1THz下責任，不同純度下的硅的介電常數(shù).低摻雜的介電常數(shù)接近真實(shí)值應用情況，大約等于高頻介電常數(shù)。隨著摻雜濃度的提高組建，真實(shí)的介電常數(shù)將變成負(fù)數(shù)表現，而且不能被忽略。介電常數(shù)表征的是THz波的傳輸損耗特性深刻變革。損耗系數(shù)可以用下面的公式計(jì)算：tanδ=1/(ω*εv*ε0*R), 這里 ω – 圓頻率, εv – 真空下的介電常數(shù)（8.85*10-12 F/m）結論。ε0 –硅的介電常數(shù)(11.67), R是電阻值。例如，1THz下適應性強，10 kOhm 阻值的HRFZ-Si損耗系數(shù)為1.54*10-5技術交流。

1mm厚度的高阻抗本征硅窗片的太赫茲時(shí)域光譜儀測(cè)試數(shù)據(jù)

高阻抗本征硅產(chǎn)品

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3在此基礎上，高阻硅太赫茲半球透鏡                                4，高阻硅太赫茲型透鏡

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