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Tb3+摻雜釩磷酸鹽:藍(lán)綠發(fā)光的調(diào)控方法及其機(jī)理

來源: 北京卓立漢光儀器有限公司    2024年10月12日 15:19  

鑭系(Ln3+ )稀土發(fā)光材料具備優(yōu)異的光物理特性資源優勢,在照明高效利用、顯示、安全防偽估算、輻射探測等領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用講理論。Tb3+在VUV/ UV 光激發(fā)下可產(chǎn)生藍(lán)、綠光不要畏懼,選擇合適的基質(zhì)并調(diào)節(jié)摻雜Tb3+ 濃度服務為一體,有望在同一材料體系中實(shí)現(xiàn)從藍(lán)光到綠光的系列調(diào)控。Tb3+發(fā)光調(diào)控對開發(fā)面向白光LED 的照明材料及光學(xué)防偽材料均有一定研究意義逐漸顯現。

天津城建大學(xué)張守超副教授及其團(tuán)隊(duì)選擇YVO4 與YPO4 作為基質(zhì)全會精神,研究Tb3+ 在釩磷酸鹽體系中的發(fā)光規(guī)律及基質(zhì)組分對發(fā)光性能影響,可以深入理解此類發(fā)光材料的發(fā)光機(jī)制和性能優(yōu)化途徑拓展基地,改善發(fā)光材料性能集中展示,從而更好地滿足實(shí)際應(yīng)用的需求。

結(jié)果與討論

物相分析

作者采用熱重-差示掃描量熱法分析YVO4 與YPO4及按化學(xué)計(jì)量配比混合物高溫固相反應(yīng)溫度(圖1)體系流動性,結(jié)果表明665℃應(yīng)Tb3+取代Y3+起始反應(yīng), 高于1087℃質(zhì)量趨于穩(wěn)定探索創新。利用XBD圖譜表征熒光粉物相結(jié)構(gòu)(圖2)。采用掃描電子顯微鏡(SEM)分析不同產(chǎn)物的形貌 (圖3)實現了超越,相較于YVO4 與YPO4基質(zhì),YV1-xPxO4結(jié)晶形貌一致,四方晶系特征顯著,表明YVO4新產品、YPO4二者具有良好的高溫互溶性。

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圖1  YVO4 與YPO4 (a)橋梁作用、YVO4∶Tb3+(b)長遠所需、YPO4∶Tb3+ (c)及YV0.5P0.5O4∶Tb3+(d)的TG-DSC 曲線


圖2  樣品的XRD 圖譜。(a) YVO4∶Tb3+ ;(b) YVO4∶Tb3+;(c)YV1-xPxO4∶Tb3+;(d) YV1-xPxO4∶Tb3+ (200)晶面衍射峰

圖3 YVO4∶Tb3+ (a)讓人糾結、YPO4∶Tb3+ (b)及YV1-xPxO4∶Tb3+ (c)的SEM 照片

吸收光譜及能帶分析

為研究YVO4生產創效、YPO4帶隙分布,本文采用第一性原理方法計(jì)算了YVO4、YPO4體相的電子結(jié)構(gòu)性質(zhì)管理,圖4為理論計(jì)算的能帶分布優化上下。YVO4、YPO4帶隙理論計(jì)算值分別為2.769和5.882eV模樣。采用吸收光譜分析能帶情況生產體系,結(jié)果表明Tb3+摻雜濃度高于一定值時,吸收帶邊發(fā)生紅移狀態。

圖4  YVO4 (a)技術節能、YPO4(b)、Y2VPO8 (c)及Y2PVO8(d)能帶間隙分布

圖5 YVO4∶Tb3+ (a) YPO4∶Tb3+ (b)、及YV1-xPxO4∶Tb3+(c)的吸收光譜

聲子能量分布

為分析樣品聲子能量分布,采用北京卓立漢光儀器有限公司生產(chǎn)的 Finder 930全自動激光顯微共聚焦拉曼光譜儀測試了熒光粉樣品的拉曼光譜(圖6), YVO4國際要求、YPO4的原胞均在布里淵區(qū)中心產(chǎn)生12個拉曼活性聲子分支流動性,具有相同振動模式, YV1-xPxO4中振動頻率在998 cm-1 的散射峰對應(yīng)YPO4 的A1g (2)特征峰,其余可辨散射峰均為YVO4的特征峰競爭激烈。YVO4的E(2)持續創新、B2g、A1g(1)和A1g(2)四個內(nèi)模散射峰位隨V:P比例增加向低波數(shù)方向移動,如圖6(b)所示,表明VO4四面體中V—O平均鍵長隨V含量增加而變長,V—O鍵振動頻率降低,特征峰形向高波數(shù)呈現(xiàn)非對稱性展寬源于聲子限制效應(yīng), YV1-xPxO4晶格完整性及平移對稱性較YVO4 有所降低,參與拉曼散射聲子數(shù)量增加,譜峰出現(xiàn)拖尾展寬現(xiàn)象空白區。YPO4及不同P:V =比例YV1-xPxO4的拉曼散射如圖6(c)所示,左上插圖為YPO4在120 ~900cm-1 拉曼散射放大圖協調機製。圖中除B1g(2)外,YPO4其余11個征散射峰全部觀測到。YPO4中399 和705cm-1 處非特征的拉曼散射峰,可能是因?yàn)榫钟蚓Ц窕儺a(chǎn)生了非本征YPO4的拉曼散射形勢。YPO4中大于1200cm-1高能聲子可能涉及到更高一級的拉曼散射效應(yīng)實踐者。YV1-xPxO4中VO4四面體內(nèi)模振動顯著,P:V為5:1時,VO4四面體內(nèi)模振動影響依然存在,頻率低于900 cm-1,依然難以分辨YPO4內(nèi)模振動。YPO4高頻內(nèi)模振動A1g(2)約定管轄、B1g(4)隨P:V變化如圖6(d)所示,表明PO4四面體中P—O平均鍵長隨P含量增加而變短,P—O鍵振動頻率增加數據。綜上,YVO4 的拉曼頻譜分布不均勻,*大聲子能量集中在815~890cm-1、500~800cm-1發揮。YPO4一階拉曼頻譜分布較為均勻,內(nèi)模振動聲子能量接近改進措施。調(diào)整V:P比例,一定范圍內(nèi)可有效調(diào)控YV1-xPxO4聲子能量分布,從而調(diào)整材料的無輻射弛豫速率。


圖6 YVO4長足發展、YPO4及YV1-xPxO4的Raman 光譜今年。(a) YVO4和YV1-xPxO4 ;(b)YVO4部分特征振動譜頻率隨V:P比例的移動;(c)YPO及YV1-xPxO4 ;(d)YPO4部分特征振動譜頻率隨P:V比例的移動。

采用北京卓立漢光儀器有限公司自住研制的 Omni Fluo 990瞬態(tài)穩(wěn)態(tài)熒光光譜儀測試樣品的光致發(fā)光譜及熒光壽命,圖7為激發(fā)結構不合理、發(fā)射光譜動手能力,YVO4:Tb3+ 激發(fā)光譜由220 ~350 nm 的激發(fā)帶和峰值位于233、260意見征詢、285 和322 nm 吸收峰構(gòu)成提升。

圖7(b)表明YVO4本征發(fā)光為藍(lán)光,發(fā)光中心位于433 nm 處,對應(yīng)于VO43- 激發(fā)態(tài)3T21A13T11A1躍遷。YVO4:Tb3+射光譜包含VO43-本征發(fā)光帶和Tb3+的5D37F6(373 nm)的必然要求、5D37F4 (428 nm)研究成果、5D37F2 (468 nm)及5D437F5 (545 nm)躍遷發(fā)光, Tb3+發(fā)光以5D3發(fā)光為主。圖7c表明P元素比例增加,VO43- 的電荷遷移躍遷吸收帶消失, Tb3+的基態(tài)7F到激發(fā)態(tài)7D的f-d 躍遷占據(jù)主導(dǎo)完善好。圖5d表明隨P元素增加體驗區,發(fā)射光譜呈現(xiàn)由藍(lán)到綠轉(zhuǎn)變,表明基質(zhì)組分對Tb3+發(fā)光具有一定調(diào)控作用。圖7(f)插圖展現(xiàn)了摻雜濃度對發(fā)光的調(diào)節(jié)作用,隨Tb3+摻雜濃度增加,發(fā)光由青光變?yōu)榫G光活動上。

圖7 YVO4:Tb3+YV1-xPxO4:Tb3+YPO4:Tb3+的激發(fā)有望、發(fā)射光譜

圖8  5D37F6和的5D47F5發(fā)光相對強(qiáng)度隨基質(zhì)組分(a)、摻雜濃度變化(b)

 

分析發(fā)光機(jī)理,測試了223 nm 激發(fā)下熒光粉的熒光衰減曲線,如圖9 所示導向作用。計(jì)算了有效壽命τ,得到Y(jié)VO4:Tb3+熒光壽命約為83 μs,摻雜濃度對熒光壽命影響較小方案,V元素占比高于P元素,發(fā)光以5D37F6能級躍遷發(fā)光為主,熒光壽命約為94μs; 當(dāng)P元素占比高于V元素, 5D37F6能級躍遷發(fā)光減弱甚至消失, 5D47FJ能級躍遷發(fā)光增強(qiáng),隨P:V由1:1增至5:1,熒光壽命隨P元素含量增大而增加,從0.53 ms 增加至0.88 ms應用的選擇。YPO4: 5D4中隨Tb3+濃度增加,5D3藍(lán)光發(fā)射比例減小,5D4綠光發(fā)射比例增加,材料發(fā)光呈現(xiàn)由青光向綠光的變化。5D47F5熒光衰減曲線隨Tb3+濃度的變化情況如圖9(d)所示左右。摻雜濃度由0. 5% 增加至6.0%, Tb3+間距離縮短,更多電子通過該通道被布居到5D4能級電子數(shù)目增多,熒光壽命從4.44 ms 降至3.45 ms背景下。發(fā)光機(jī)理如圖10所示。調(diào)節(jié)YVO4和YPO4基質(zhì)組分及5D4摻雜濃度,通過無輻射躍遷可靠保障、MPR 和CR多過程作用,可以改變Tb3+摻雜釩磷酸鹽發(fā)光色度,實(shí)現(xiàn)由藍(lán)到綠的發(fā)光調(diào)節(jié)自然條件。

11.jpg

圖9 YVO4:Tb3+ (a)和YV1-xPxO4:Tb3+ (b)在373nm發(fā)射波長監(jiān)測下熒光衰減曲線, YV1-xPxO4:Tb3+ (c)和YV1-xPxO4:Tb3+ (d)在545 nm 發(fā)射波長監(jiān)測下熒光衰減曲線

圖10 熒光粉發(fā)光機(jī)理

作者簡介

張守超,天津城建大學(xué)副教授多種,主要從事無機(jī)發(fā)光材料將進一步、材料輻照效應(yīng)等方面研究充分發揮,在晶體測溫方面有一定研究成果發展成就。主持包括軍科委基礎(chǔ)加強(qiáng)重點(diǎn)基礎(chǔ)研究項(xiàng)目課題等8項(xiàng),相關(guān)科研成果已在軍工方面取得實(shí)際應(yīng)用重要方式。

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