半導(dǎo)體晶圓拉曼光譜測(cè)試系統(tǒng)具有自動(dòng)對(duì)焦和實(shí)時(shí)表面跟蹤功能共同，無需樣品標(biāo)記推進一步，可進(jìn)行無損非接觸式測(cè)量，空間分辨率＜1μm簡單化。系統(tǒng)可以對(duì)第三代半導(dǎo)體進(jìn)行組分力度、應(yīng)力、載流子濃度系統性、結(jié)晶度和缺陷進(jìn)行檢測(cè)勇探新路，廣泛地應(yīng)用于半導(dǎo)體材料的質(zhì)量監(jiān)控、失效分析便利性。

半導(dǎo)體晶圓拉曼光譜測(cè)試系統(tǒng)R1——應(yīng)力方法、組分、載流子濃度

面向半導(dǎo)體晶圓檢測(cè)的拉曼光譜測(cè)試系統(tǒng)
主要功能：

•光穿過介質(zhì)時(shí)被原子和分子散射的光發(fā)生頻率變化提供有力支撐，該現(xiàn)象稱為拉曼散射。

•拉曼光譜的強(qiáng)度保供、頻移逐步顯現、線寬、特征峰數(shù)目以及退偏度與分子的振動(dòng)能態(tài)引領、轉(zhuǎn)動(dòng)能態(tài)自動化裝置、對(duì)稱性等緊密相關(guān)

•廣泛地應(yīng)用于半導(dǎo)體材料的質(zhì)量監(jiān)控、失效分析應用前景。

儀器架構(gòu)：

性能參數(shù)：

拉曼激發(fā)和收集模塊	激光波長(zhǎng)	532 nm
	激光功率	100 mW
	自動(dòng)對(duì)焦	•在全掃描范圍自動(dòng)聚焦和實(shí)時(shí)表面跟蹤 •對(duì)焦精度<0.2微米
	顯微鏡	•用于樣品定位和成像 •100x有很大提升空間，半復(fù)消色差物鏡 •空間分辨率<2微米
	拉曼頻移范圍	80-9000 cm-1
樣品移動(dòng)和掃描平臺(tái)	平移臺(tái)	•掃描范圍大于300x300mm。 •最小分辨率1微米首次。
	樣品臺(tái)	•8寸吸氣臺(tái)（12寸可定制） •可兼容2可能性更大、4、6搖籃、8寸晶圓片
光譜儀和探測(cè)器	光譜儀	•320 mm焦長(zhǎng)單色儀技術，接面陣探測(cè)器。 •分辨率<2.0 cm-1推動。
軟件	控制軟件	•可選擇區(qū)域或點(diǎn)位自動(dòng)進(jìn)行逐點(diǎn)光譜采集
	Mapping數(shù)據(jù)分析軟件	•可對(duì)光譜峰位相對較高、峰高和半高寬等進(jìn)行擬合。 •可自動(dòng)擬合并計(jì)算應(yīng)力信息、晶化率相關、載流子濃度等信息，樣品數(shù)據(jù)庫可定制豐富內涵。 •將擬合結(jié)果以二維圖像方式顯示生產效率。

晶圓Mapping軟件界面

數(shù)據(jù)分析軟件界面

應(yīng)力檢測(cè)—GaN晶圓片

利用拉曼光譜568 cm-1位置的特征峰位移動(dòng)不同需求，可以檢測(cè)GaN晶圓表面應(yīng)力分布。類似方法還可應(yīng)用于表征Si/SiC/GaAs等多種半導(dǎo)體保持穩定。

載流子濃度檢測(cè)——SiC晶圓片

組分檢測(cè)——結(jié)晶硅薄膜晶化率測(cè)試

結(jié)晶率指晶態(tài)硅與晶界占非晶態(tài)總之、晶態(tài)、晶界總和的質(zhì)量百分比或體積百分比支撐作用，是評(píng)價(jià)結(jié)晶硅薄膜晶化效果的一項(xiàng)重要指標(biāo)研學體驗。晶化率????????可通過擬合拉曼光譜分峰后定量計(jì)算。

多層復(fù)雜晶圓質(zhì)量檢測(cè)——AlGaN/GaNHEMT

•氮化鎵高電子遷移率晶體管則憑借其良好的高頻特性在雷達(dá)中應(yīng)用廣泛最為突出。

•晶圓片包含Si/AlGaN/GaN多層薄膜結(jié)構(gòu)落實落細。

•拉曼光譜可給出多層結(jié)構(gòu)的指紋峰，并對(duì)其應(yīng)力高效化、組分製高點項目、載流子濃度等進(jìn)行分析。

AlGaN/GaN晶圓支撐能力，直徑6英寸

面向半導(dǎo)體晶圓檢測(cè)的拉曼光譜測(cè)試系統(tǒng)

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