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半導(dǎo)體晶圓PL光譜測試系統(tǒng)

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具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)

公司名稱 北京卓立漢光儀器有限公司
品牌
型號
所在地 北京市
廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
更新時間 2024/5/10 10:50:59
訪問次數(shù) 241

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2020年01月08日至 2020年02月08日

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模內(nèi)澆口分離自動化堅定不移，降低對人的依賴度；傳統(tǒng)的塑膠模具開模后產(chǎn)品與澆口相連更讓我明白了，需二道工序進(jìn)行人工剪切分離迎難而上，模內(nèi)熱切模具將澆口分離提前至開模前，消除后續(xù)工序探索，有利于生產(chǎn)自動化堅持先行，降低對人的依賴。

產(chǎn)品簡介

我也要發(fā)布產(chǎn)品信息

半導(dǎo)體晶圓PL光譜測試系統(tǒng)針對第三代半導(dǎo)體滿意度，如GaN調整推進、InGaN、AlGaN等機製性梗阻，進(jìn)行溫度相關(guān)光譜和熒光壽命測試。同時可測量外延片的膜厚建立和完善、反射率及相應(yīng)的Mapping圖提供了遵循。

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面向半導(dǎo)體晶圓檢測的光譜測試系統(tǒng)

熒光測試

熒光光譜的峰值波長、光譜半寬大型、積分光強(qiáng)服務效率、峰強(qiáng)度、熒光壽命與電子/空穴多種形式的輻射復(fù)合相關(guān)重要意義，雜質(zhì)或缺陷濃度統籌發展、組分等密切相關(guān)

膜厚&反射率&翹曲度

通過白光干涉技術(shù)測量外延片的薄膜厚度（Thickness）、反射率(PR)以及晶片翹曲度

熒光光譜

系統(tǒng)特點

面向半導(dǎo)體晶圓檢測的光譜測試系統(tǒng)

光路結(jié)構(gòu)示意圖

自動掃描臺：兼容2寸體系、4寸生產製造、8寸晶圓

可升級紫外測量模塊、翹曲度測量模塊

側(cè)面收集模組：用于AlGaN樣品（發(fā)光波段200-380 nm）攜手共進，因為AlGaN輕重空穴帶反轉(zhuǎn)使其熒光發(fā)光角度為側(cè)面出光共同，因此需要特殊設(shè)計的側(cè)面收光模塊。

翹曲度測量模塊

翹曲度測量模塊集成在顯微鏡模組中經過，利用晶圓表面反射回的375nm激光簡單化，利用離焦量補償實現(xiàn)表面高度的測量，對晶圓片的高度掃描后獲得晶圓形貌明確了方向，從而計算翹曲度的數(shù)值系統性。

該模塊不僅可以測量晶圓的形貌和翹曲度，同時還可以起到激光自動對焦的作用，使得晶圓片大范圍移動時傳遞，用于激發(fā)熒光的激光光斑在晶圓表面始終保持最佳的聚焦?fàn)顟B(tài)試驗，從而極大的提供熒光收集的效率和分辨率。

物鏡	5x NA=0.28	20x NA=0.40	100x NA=0.8
離焦量z分辨率	< 1 μm	< 0.5 μm	< 0.06 μm
激光光斑尺寸（焦點處）	~2 μm	~2 μm	~1 μm
測量時間（刷新頻率）	< 20 ms(50 Hz）提供有力支撐，可調(diào)節(jié)最高100 Hz

紫外測量模塊

紫外測量模塊的功能主要由集成在顯微鏡模組中的5x紫外物鏡和側(cè)面收集模塊實現(xiàn)切實把製度。可選擇213nm或266nm的激光進(jìn)行激發(fā)自行開發，聚焦光斑約10微米進行部署，可選擇通過該物鏡收集正面發(fā)射的熒光，通過單色儀入口1進(jìn)行收集和測量應用情況。

針對AlGaN的發(fā)光波段（200-380nm）保護好，尤其是Al組分較大（70%）的AlGaN由于輕重空穴帶反轉(zhuǎn)，其熒光發(fā)光角度為側(cè)面出光有很大提升空間，因此設(shè)置側(cè)面收集模組運行好，將側(cè)面發(fā)出的熒光通過一個單獨傾斜60度角的物鏡收集后，通過光纖傳入單色儀入口2進(jìn)行收集和測量可能性更大。

可通過翹曲度模塊對晶圓片形貌進(jìn)行測量后部署安排，再進(jìn)行紫外熒光測量時，根據(jù)記錄的形貌高度技術，Z軸移動實現(xiàn)晶圓片高度方向的離焦量補償推廣開來，使得晶圓片大范圍移動時，激光光斑在晶圓表面始終保持最佳的聚焦?fàn)顟B(tài)相對較高，從而極大的提供熒光收集的效率和分辨率資源配置。

軟件界面

晶圓Mapping軟件界面

數(shù)據(jù)分析軟件界面

應(yīng)用案例

6英寸AlGaN晶圓測試

隨著AlGaN中Al所占比例的增加，可看到發(fā)光峰位出現(xiàn)了藍(lán)移相關，當(dāng)Al的含量占到70%的時候大力發展，峰位已經(jīng)藍(lán)移至238nm。對AlGaN晶圓進(jìn)行Al組分比例面掃描生產效率，可以看到晶圓中Al的組分分布情況產能提升。

MicroLED微區(qū)PL熒光光譜Mapping

MicroLED微盤，直徑40微米保持穩定。圖（A）：熒光PL Mapping圖像總之，成像區(qū)域45×45微米；圖（B）：圖（A）所示紅線支撐作用，m0-m11點研學體驗，典型熒光光譜。

MicroLED微盤的熒光強(qiáng)度3D成像

2英寸綠光InGaN晶圓熒光光譜測試

從InGaN的峰強(qiáng)分布來看最為突出，在晶圓上峰強(qiáng)分布非常不均勻落實落細，強(qiáng)發(fā)光大約位于P2點附近，而有些位置幾乎不發(fā)光。發(fā)光峰位在500-530nm之間製高點項目，分布也很不均勻為產業發展。波長在510nm（P2位置）發(fā)光強(qiáng)。波長越靠近530nm（P1位置）有所增加，發(fā)光越弱各項要求。

2英寸綠光InGaN晶圓熒光壽命測試

從以上熒光壽命成像得到，綠光InGaN熒光壽命在4ns-12ns之間越來越重要的位置。沿著P1-P3白線新技術，熒光壽命減小。

從晶圓上分布看不要畏懼，熒光壽命與熒光強(qiáng)度成像的趨勢大致相符服務為一體，而且峰位有明顯關(guān)聯(lián)。即沿著峰位藍(lán)移方向（藍(lán)移至500nm）逐漸顯現，熒光發(fā)光強(qiáng)度增強(qiáng)而且壽命增加全會精神，說明輻射復(fù)合占據(jù)主要比例。而沿著峰位紅移的方向（藍(lán)移至530nm）拓展基地，發(fā)光強(qiáng)度減弱集中展示，同時壽命減小，說明非輻射復(fù)合占據(jù)主要比例體系流動性。

面向半導(dǎo)體晶圓檢測的光譜測試系統(tǒng)
性能參數(shù)：

熒光激發(fā)和收集模塊	激光波長	213/266/375 nm
	激光功率	213nm激光器宣講手段，峰值功率＞2.5kw@1KHZ，266nm激光器積極拓展新的領域，輸出功率2-12mw可調(diào)
	自動對焦	• 在全掃描范圍自動聚焦和實時表面跟蹤 • 對焦精度<0.2微米
	顯微鏡	•用于樣品定位和成像 •近紫外物鏡，100X/20X更優質，用于375nm激光器,波長范圍355-700 nm •紫外物鏡, 5X,用于213 nm/266nm的紫外激發(fā), 200-700 nm
樣品移動和掃描平臺	平移臺	•掃描范圍大于300x300mm相對開放。 •最小分辨率1微米。
	樣品臺	•8寸吸氣臺（12寸可定制） •可兼容2脫穎而出、4拓展應用、6、8寸晶圓片
光譜儀探測器	光譜儀	•320 mm焦長單色儀結構，可接面陣探測器管理。 •光譜分辨率：優(yōu)于0.2nm@1200g/mm
可升級模塊	翹曲度測量模塊	重復(fù)測量外延片統(tǒng)計結(jié)果的翹曲度偏差<±5um
	紫外測量模塊	5X紫外物鏡，波長范圍200-700 nm能力建設。應(yīng)用于213 nm模樣、266nm的紫外激發(fā)和側(cè)面收集實現(xiàn)AlGaN紫外熒光的測量
	膜厚測試模塊	重復(fù)測量外延片Mapping統(tǒng)計結(jié)果的膜厚偏差<±0.1um
	熒光壽命測試模塊	熒光壽命測試精度8 ps，測試范圍50 ps-1 ms
軟件	控制軟件	可選擇區(qū)域或點位自動進(jìn)行逐點光譜采集
軟件	Mapping數(shù)據(jù)分析軟件	•可對光譜峰位服務、峰高很重要、半高寬等進(jìn)行擬合。 •可計算熒光壽命、薄膜厚度異常狀況、翹曲度等研究。 •將擬合結(jié)果以二維圖像方式顯示。