cv曲線測(cè)試儀/設(shè)備全過程，可以測(cè)試MOS管，IGBT探討，SIC器件的柵極電阻和柵極電容不負眾望，包含Ciss 輸入電容 Coss 輸出電容 Crss 反向電容，Rg等參數(shù)調解製度，可以單點(diǎn)測(cè)試精準調控，也可以掃描測(cè)試曲線；

華科智源結(jié)電容測(cè)試儀應用的因素之一，可以測(cè)試MOS管解決，IGBT，SIC器件的柵極電阻和柵極電容開展試點，包含Ciss 輸入電容 Coss 輸出電容 Crss 反向電容攜手共進，Rg等參數(shù)，可以單點(diǎn)測(cè)試推進一步，也可以掃描測(cè)試曲線經過；

•  品牌： 華科智源

•  名稱： 柵極電阻測(cè)試儀

•  型號(hào)： HUSTEC-CV-1200

•  用途： 測(cè)試MOS管結(jié)電容，Ciss 輸入電容 Coss 輸出電容 Crss 反向電容力度，Rg等參數(shù)

cv曲線測(cè)試儀/設(shè)備

可測(cè)參數(shù)： Ciss/Coss/Crss/Rg MOS管結(jié)電容測(cè)試

可測(cè)器件： IGBT明確了方向，二極管，氮化鎵勇探新路、碳化硅 MOSFET 等 

測(cè)試頻率：1MHz  

測(cè)試電壓范圍：Vds 0~1200V增產，Vgs ±25V

信號(hào)電壓范圍：1mV~1000mV 

Rg 范圍：≤300Ω

測(cè)試精度：0.01pf 

華科智源cv曲線測(cè)試儀/設(shè)備特點(diǎn)： 

1，測(cè)試速度快方法。 

2行動力，可點(diǎn)測(cè)和掃描曲線提供有力支撐。

3，測(cè)試精度高保供，測(cè)試結(jié)果穩(wěn)定精準(zhǔn)自行開發。

4，可隨時(shí)保存數(shù)據(jù)和波形責任，可直接生成規(guī)格書用的圖片或 CSV 描點(diǎn)文件應用情況。