結(jié)電容測試儀/設(shè)備數字化，可以測試MOS管，IGBT基礎上，SIC器件的柵極電阻和柵極電容各領域，包含Ciss 輸入電容 Coss 輸出電容 Crss 反向電容，Rg等參數(shù)保持競爭優勢，可以單點(diǎn)測試進行培訓，也可以掃描測試曲線；

結(jié)電容測試儀/設(shè)備長效機製，可以測試MOS管法治力量，IGBT，SIC器件的柵極電阻和柵極電容分享，包含Ciss 輸入電容 Coss 輸出電容 Crss 反向電容共享，Rg等參數(shù)，可以單點(diǎn)測試方式之一，也可以掃描測試曲線生動；

• 品牌： 華科智源

• 名稱： 柵極電阻測試儀

• 型號(hào)： HUSTEC-CV-1200

• 用途： 測試MOS管結(jié)電容，Ciss 輸入電容 Coss 輸出電容 Crss 反向電容創新能力，Rg等參數(shù)

可測參數(shù)： Ciss/Coss/Crss/Rg MOS管結(jié)電容測試

可測器件： IGBT新品技，二極管，氮化鎵求得平衡、碳化硅 MOSFET 等

測試頻率：1MHz

測試電壓范圍：Vds 0~1200V紮實做，Vgs ±25V

信號(hào)電壓范圍：1mV~1000mV

Rg 范圍：≤300Ω

測試精度：0.01pf

華科智源結(jié)電容測試儀/設(shè)備特點(diǎn)：

1，測試速度快領先水平。

2，可點(diǎn)測和掃描曲線效率和安。

3設計能力，測試精度高，測試結(jié)果穩(wěn)定精準(zhǔn)深入開展。

4更為一致，可隨時(shí)保存數(shù)據(jù)和波形，可直接生成規(guī)格書用的圖片或 CSV 描點(diǎn)文件技術的開發。