柵極電阻/電容測(cè)試儀進一步意見，可以測(cè)試MOS管，IGBT共享應用，SIC器件的柵極電阻和柵極電容生產能力，包含Ciss 輸入電容 Coss 輸出電容 Crss 反向電容，Rg等參數(shù)示範推廣，可以單點(diǎn)測(cè)試堅持好，也可以掃描測(cè)試曲線；

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華科智源結(jié)電容測(cè)試儀大幅增加，可以測(cè)試MOS管問題分析，IGBT，SIC器件的柵極電阻和柵極電容交流研討，包含Ciss 輸入電容 Coss 輸出電容 Crss 反向電容更加完善，Rg等參數(shù)形式，可以單點(diǎn)測(cè)試，也可以掃描測(cè)試曲線支撐作用；

•  品牌： 華科智源

•  名稱(chēng)： 柵極電阻測(cè)試儀

•  型號(hào)： HUSTEC-CV-1200

•  用途： 測(cè)試MOS管結(jié)電容日漸深入，Ciss 輸入電容 Coss 輸出電容 Crss 反向電容，Rg等參數(shù)

柵極電阻/電容測(cè)試儀

可測(cè)參數(shù)： Ciss/Coss/Crss/Rg MOS管

可測(cè)器件： IGBT同時，二極管互動式宣講，氮化鎵、碳化硅 MOSFET 等

測(cè)試頻率：1MHz

測(cè)試電壓范圍：Vds 0~1200V模式，Vgs ±25V

信號(hào)電壓范圍：1mV~1000mV

Rg 范圍：≤300Ω

測(cè)試精度：0.01pf

華科智源柵極電阻/電容測(cè)試儀特點(diǎn)：

1自動化，測(cè)試速度快。

2發揮重要帶動作用，可點(diǎn)測(cè)和掃描曲線意向。

3，測(cè)試精度高文化價值，測(cè)試結(jié)果穩(wěn)定精準(zhǔn)形式。

4，可隨時(shí)保存數(shù)據(jù)和波形不斷完善，可直接生成規(guī)格書(shū)用的圖片或 CSV 描點(diǎn)文件數字化。