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德國分子束外延 Laser MBE

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Laser MBELaser MBE特點模塊化概念,Laser MBE可以輕松升級到傳輸模塊或其他模塊UHV PLD主腔室建設、利用Load-lock實現(xiàn)襯底和靶材的UHV傳輸?shù)墓に囎詣踊δ茉诖嘶A上,可實現(xiàn)超晶格生長溫度測量準確的耐氧襯底加熱器,1000 ℃前來體驗,也可以選配激光加熱靶臺可以屏蔽交叉污染自主研發,傳輸整個carrousel而非單個靶材真空腔室利于系統(tǒng)升級。

詳細信息 在線詢價

Laser MBE


Laser MBE
Laser MBE


特點


  • 模塊化概念更加廣闊,Laser MBE可以輕松升級到傳輸模塊或其他模塊

  • UHV PLD主腔室損耗、利用Load-lock實現(xiàn)襯底和靶材的UHV傳輸

  • 的工藝自動化功能,可實現(xiàn)超晶格生長

  • 溫度測量準確的耐氧襯底加熱器非常完善,1000 ℃性能穩定,也可以選配激光加熱

  • 靶臺可以屏蔽交叉污染,傳輸整個carrousel而非單個靶材

  • 真空腔室利于系統(tǒng)升級(RHEED不斷進步,等離子體源,OES/FTIR等)

  • SURFACE激光能量密度控制選件效率,99%的結(jié)果可重復性

  • 全封閉光路規模,安全省事

  • 整套交付,的在線支持


PLD/Laser MBE腔室


PLD/Laser MBE腔室
PLD/Laser MBE腔室


SURFACE的Laser MBE腔室專為科研而設(shè)計講道理,并提供高級Laser MBE需要的所有特征發展目標奮鬥。


  • 襯底和靶材的UHV傳輸

  • 冷壁設(shè)計防止沉積過程中腔壁放氣

  • 原位分析窗口和法蘭口(RHEED,OES或FTIR更多的合作機會,質(zhì)譜儀)

  • 沉積源和等離子體源備用法蘭口

  • 的SURFACE襯底加熱器或激光加熱

  • 靶臺最多可存貯5個1寸靶材


激光能量密度控制


激光能量密度控制
激光能量密度控制


Laser MBE可以選配SURFACE 激光能量密度控制功能延伸。它可以確保薄膜沉積的重復性。在每一步沉積前服務好,自動校準激光能量密度新趨勢,脈沖能量隨著時間推移而始終保持恒定。


Load Lock


Loadlock腔室最多可同時裝載5個樣品和2個靶臺carrousel共謀發展。


控制軟件


控制軟件
控制軟件


SURFACE的Laser MBE設(shè)備均是高度自動化的學習,可以自動控制整個沉積過程,從而確保設(shè)備易于操作聽得懂。


多個工藝步驟被合并到一個沉積程序中應用優勢,直觀的工藝過程可視化操作高質量發展,高度靈活的數(shù)據(jù)記錄和導出,優(yōu)異的自我測試能力高效節能。


升級到Cluster系統(tǒng)


Cluster系統(tǒng)
Cluster系統(tǒng)


Laser MBE可以輕松升級為功能齊備的cluster系統(tǒng)影響力範圍。在PLD主腔室和Load-lock進樣室中間插入cluster傳輸模塊。模塊化設(shè)計和輪式支架簡化了升級過程新創新即將到來,可根據(jù)需要和預算來升級系統(tǒng)邁出了重要的一步。



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