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半導(dǎo)體材料（semiconductor material）是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）發展成就、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料成就。二氧化硅是制造玻璃、石英玻璃開展面對面、水玻璃系統、光導(dǎo)纖維、電子工業(yè)的重要部件進一步提升、光學(xué)儀器快速融入、工藝品和耐火材料的原料，是科學(xué)研究的重要材料系統。

本文主要介紹上海伯東KRI離子源在半導(dǎo)體材料SiO2中的預(yù)清洗及刻蝕應(yīng)用增強。

SiO2預(yù)清洗的原因:

SiO2在刻蝕前需要將其表面的有機(jī)物、顆粒交流等、金屬雜質(zhì)更加廣闊、自然氧化層等去除，且不破壞晶體的表面特性提高。

KRI離子源在SiO2基片預(yù)清洗方法：

客戶自己搭建真空系統(tǒng)可以使用，集成離子源，具體做法如下紮實。
1.將SiO2基片放進(jìn)真空系統(tǒng)效高化，調(diào)整離子源；
2.抽取真空到某真空度后投入力度，啟動離子源創造；
3.利用離子源釋放的能量對SiO2基片進(jìn)行轟擊；

KRI離子源在SiO2材料預(yù)清洗客戶案例：

成都某工藝研究所貢獻法治，通過伯東購買離子源KDC40

KRI離子源優(yōu)勢：

1.考夫曼離子源通過控制離子的強(qiáng)度及濃度, 使拋光刻蝕速率更快更準(zhǔn)確, 拋光後的基材上獲得更平坦, 均勻性更高的薄膜表面設備製造。

2.KDC 考夫曼離子源內(nèi)置型的設(shè)計更符合離子源於離子拋光機(jī)內(nèi)部的移動運(yùn)行分享。

3.不僅廣泛應(yīng)用於生產(chǎn)單位, 且因離子抨擊能量強(qiáng), 蝕刻效率快。

4.可因應(yīng)多種基材特性,單次使用長久, 耗材成本極低, 操作簡易, 安裝簡易信息化。

伯東公司是美國 KRI 考夫曼離子源中國總代理。

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上海伯東是德國 Pfeiffer 真空設(shè)備, 美國 KRI 考夫曼離子源, 美國 inTEST 高低溫沖擊測試機(jī), 美國 Ambrell 感應(yīng)加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機(jī)等進(jìn)口品牌的代理商 .我們真誠期待與您的合作生動！

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