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KRI 離子源用于IR-cut紅外濾光片制備

來源：伯東企業(yè)（上海）有限公司 2024年01月09日 11:04

紅外截止濾光片 (IRCF) 是利用精密光學(xué)鍍膜技術(shù)在光學(xué)基片上交替鍍上高低折射率的光學(xué)膜, 實現(xiàn)可見光區(qū)（400nm-630nm）高透, 近紅外（700nm-1100nm）截止的光學(xué)濾光片, 主要應(yīng)用于可拍照手機攝像頭相結合、電腦內(nèi)置攝像頭、汽車攝像頭和安防攝像頭等數(shù)碼成像領(lǐng)域, 用于消除紅外光線對 CCD/CMOS 成像的影響. 通過在成像系統(tǒng)中加入紅外截止濾光片, 阻擋該部分干擾成像質(zhì)量的紅外光, 可以使所成影像更加符合人眼的感覺. 上海伯東某客戶為精密光學(xué)鍍膜產(chǎn)品生產(chǎn)商, 經(jīng)過伯東推薦選用國產(chǎn)鍍膜機加裝美國進口 KRi 霍爾離子源完成 IR-cut 工藝過程, 保證工藝效果, 提高生產(chǎn)效率.

KRI 離子源用于IR-cut紅外濾光片制備

1. 應(yīng)用方向: 離子清洗, 輔助沉積

2. 鍍膜機型: 1米7 的大型蒸鍍設(shè)備, 配置美國 KRi 霍爾離子源 eH 3000

3. 測試環(huán)境: 80C / 80% 濕度, 85C / 95% 濕度, 連續(xù) 1,500 小時高溫高濕嚴(yán)苛環(huán)境測試

4. 鍍膜材料: Ti305+Si02

結(jié)果表明采用上海伯東美國進口 KRI 霍爾離子源, 可以獲得較高折射率的TI3O5膜層, 通過多次驗證, KRI 離子源輔助鍍膜可以獲得穩(wěn)定的膜層結(jié)構(gòu).

美國 KRI 霍爾離子源 eH 系列緊湊設(shè)計, 高電流低能量寬束型離子源, 提供原子等級的細微加工能力, 霍爾離子源 eH 可以以納米精度來處理薄膜及表面, 多種型號滿足科研及工業(yè), 半導(dǎo)體應(yīng)用. 霍爾離子源高電流提高鍍膜沉積速率, 低能量減少離子轟擊損傷表面, 寬束設(shè)計提高吞吐量和覆蓋沉積區(qū). 整體易操作, 易維護.

霍爾離子源 eH 系列在售型號:

型號	eH400	eH1000	eH2000	eH3000	eH Linear
中和器	F or HC	F or HC	F or HC	F or HC	F
陽極電壓	50-300 V	50-300 V	50-300 V	50-250 V	50-300 V
離子束流	5A	10A	10A	20A	根據(jù)實際應(yīng)用
散射角度	>45	>45	>45	>45	>45
氣體流量	2-25 sccm	2-50 sccm	2-75 sccm	5-100 sccm	根據(jù)實際應(yīng)用
本體高度	3.0“	4.0“	4.0“	6.0“	根據(jù)實際應(yīng)用
直徑	3.7“	5.7“	5.7“	9.7“	根據(jù)實際應(yīng)用
水冷	可選	可選	是	可選	根據(jù)實際應(yīng)用

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.

上海伯東同時提供真空系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產(chǎn)品, 協(xié)助客戶生產(chǎn)研發(fā)高質(zhì)量的真空系統(tǒng).
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域.

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