日本napson高規(guī)半自動(dòng)四探針薄層電阻測(cè)量?jī)x
具有拳球醉佳電阻測(cè)量范圍的4探針法測(cè)量?jī)x
測(cè)量模式可編程和圓形/方形測(cè)量兼容的繪圖軟件
自檢功能力量，厚度/外圍位置/溫度補(bǔ)償功能（用于硅）
根據(jù)電阻范圍從兩種類型的測(cè)試儀中選擇
（RT-3000（S）：寬范圍的測(cè)量范圍我有所應，RT-3000（H）：高阻的測(cè)量范圍）

日本napson高規(guī)半自動(dòng)四探針薄層電阻測(cè)量?jī)x

測(cè)量規(guī)格

測(cè)量目標(biāo)

• 與半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池相關(guān)的材料（硅，多晶硅提升行動，SiC等）
• 新材料/功能材料（碳納米管能力建設，DLC，石墨烯研究進展，銀納米線等）
• 導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬無障礙，ITO等）
• 擴(kuò)散樣本
• 硅基薄膜（LTPS等），IGZO
• 硅基外延離子注入樣品
• 其他（*請(qǐng)與我們聯(lián)系）

測(cè)量尺寸

?8英寸快速融入，或?156x156mm 

-選項(xiàng)（兼容大直徑尺寸：RG-3000型）：?12英寸認為，?210 x 210毫米

測(cè)量范圍

①RT-3000（S）；
[電阻（比電阻）]100μ至1MΩ·cm 
[片材電阻] 1m至10MΩ/ 
sq②RT-3000（H）; 
[片材電阻] 10m至1GΩ/ sq

測(cè)量規(guī)格

測(cè)量目標(biāo)

• 與半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池相關(guān)的材料（硅增強，多晶硅重要意義，SiC等）
• 新材料/功能材料（碳納米管，DLC更加廣闊，石墨烯規劃，銀納米線等）
• 導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
• 擴(kuò)散樣本
• 硅基薄膜（LTPS等）可以使用，IGZO
• 硅基外延離子注入樣品
• 其他（*請(qǐng)與我們聯(lián)系）

測(cè)量尺寸

?8英寸進入當下，或?156x156mm 

-選項(xiàng)（兼容大直徑尺寸：RG-3000型）：?12英寸，?210 x 210毫米

測(cè)量范圍

①RT-3000（S）效高化；
[電阻（比電阻）]100μ至1MΩ·cm 
[片材電阻] 1m至10MΩ/ 
sq②RT-3000（H）; 
[片材電阻] 10m至1GΩ/ sq

映射圖像

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