| 參考價 | ￥ 10 |
| 訂貨量 | ≥1臺 |
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日本napson緊湊易操作手動非接觸式電阻儀
一種簡單的測量儀器狀態，只需在探針之間插入樣品即可進行測量
在電阻/薄層電阻測量模式之間輕松切換
使用JOG撥盤輕松設置測量條件
*由于探頭是固定的技術節能，因此您可以在購買前從幾種類型的探頭中選擇一種。
日本napson緊湊易操作手動非接觸式電阻儀
測量目標
半導體/太陽能電池材料相關（硅廣泛認同，多晶硅國際要求，SiC等）
新材料/功能材料相關（碳納米管，DLC全面協議，石墨烯重要部署，銀納米線等）
導電薄膜相關（金屬，ITO等）
硅基外延新的動力，離子與
半導體相關的注入樣品化合物（GaAs Epi的過程中，GaN Epi，InP廣泛關註，Ga等）
其他（*請與我們聯系）
測量尺寸
?8英寸促進進步，或?156x156mm
測量范圍
[電阻] 1m至200Ω·cm
（*所有探頭類型的總范圍/厚度500um）
[抗頁電阻] 10m至3kΩ / sq
（*所有探頭類型的總范圍）
*有關每種探頭類型的測量范圍，請參閱以下內容。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至
0.05Ω- cm）（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ））高：10至1000Ω/□（0.5至60Ω-??cm）
（4）S高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）
測量目標
半導體/太陽能電池材料相關（硅迎來新的篇章，多晶硅共創美好，SiC等）
新材料/功能材料相關（碳納米管，DLC薄弱點，石墨烯覆蓋範圍，銀納米線等）
導電薄膜相關（金屬，ITO等）
硅基外延積極性，離子與
半導體相關的注入樣品化合物（GaAs Epi奮勇向前，GaN Epi，InP實施體系，Ga等）
其他（*請與我們聯系）
測量尺寸
?8英寸組建，或?156x156mm
測量范圍
[電阻] 1m至200Ω·cm
（*所有探頭類型的總范圍/厚度500um）
[抗頁電阻] 10m至3kΩ / sq
（*所有探頭類型的總范圍）
*有關每種探頭類型的測量范圍，請參閱以下內容效果較好。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至
0.05Ω- cm）（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ））高：10至1000Ω/□（0.5至60Ω-??cm）
（4）S高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）
日本napson緊湊易操作手動非接觸式電阻儀
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