日本napson手持式探針無(wú)損渦流法電阻測(cè)量?jī)x
只需觸摸手持式探頭即可測(cè)量電阻。
在電阻/薄層電阻測(cè)量模式之間輕松切換
使用JOG撥盤(pán)輕松設(shè)置測(cè)量條件
連接到連接器的可替換電阻測(cè)量探頭可支持多種電阻
（電阻探頭：多可以使用2 + PN判斷探頭）

日本napson手持式探針無(wú)損渦流法電阻測(cè)量?jī)x

測(cè)量規(guī)格

測(cè)量目標(biāo)

半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池材料相關(guān)（硅不久前，多晶硅用上了，SiC等）
新材料/功能材料相關(guān)（碳納米管，DLC能力建設，石墨烯關註，銀納米線等）
導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
硅基外延無障礙，離子與
半導(dǎo)體相關(guān)的注入樣品化合物（GaAs Epi連日來，GaN Epi，InP認為，Ga等）
其他（*請(qǐng)與我們聯(lián)系）

測(cè)量尺寸

無(wú)論樣品大小和形狀如何均可進(jìn)行測(cè)量（但是系統，大于20mmφ且表面平坦）

測(cè)量范圍

[電阻] 1m至200Ω·cm 
（*所有探頭類型的總范圍/厚度500um）
[板電阻] 10m至3kΩ / sq 
（*所有探頭類型的總范圍）

*有關(guān)每種探頭類型的測(cè)量范圍，請(qǐng)參閱以下內(nèi)容重要意義。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至
0.05Ω- cm）（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ））高：10至1000Ω/□（0.5至60Ω-??cm）
（4）S-高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）
（5）太陽(yáng)能晶片：5至500Ω/□（0形式。 2至15Ω-cm）

測(cè)量規(guī)格

測(cè)量目標(biāo)

半導(dǎo)體/太陽(yáng)能電池材料相關(guān)（硅，多晶硅不斷完善，SiC等）
新材料/功能材料相關(guān)（碳納米管數字化，DLC，石墨烯基礎上，銀納米線等）
導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬深刻內涵，ITO等）
硅基外延，離子與
半導(dǎo)體相關(guān)的注入樣品化合物（GaAs Epi融合，GaN Epi深入闡釋，InP，Ga等）
其他（*請(qǐng)與我們聯(lián)系）

測(cè)量尺寸

無(wú)論樣品大小和形狀如何均可進(jìn)行測(cè)量（但是完成的事情，大于20mmφ且表面平坦）

測(cè)量范圍

[電阻] 1m至200Ω·cm 
（*所有探頭類型的總范圍/厚度500um）
[板電阻] 10m至3kΩ / sq 
（*所有探頭類型的總范圍）

*有關(guān)每種探頭類型的測(cè)量范圍物聯與互聯，請(qǐng)參閱以下內(nèi)容。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至
0.05Ω- cm）（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ））高：10至1000Ω/□（0.5至60Ω-??cm）
（4）S-高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）
（5）太陽(yáng)能晶片：5至500Ω/□（0改造層面。 2至15Ω-cm）

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