單晶硅壓力變送器具有0.075%超高測量精度對外開放，100:1寬量程比技術創新，穩(wěn)定性高、響應速度快資料、可靠性高廣泛應用，自帶HART通訊功能方便手操器調試，具有本質安全型橫向協同、隔爆型哪些領域、選配多種隔離膜片結構，多種過程連接標準長遠所需，適用微壓求索、絕壓、負壓規模、高溫高壓結構、低溫和腐蝕條件的壓力測量

單晶硅壓力變送器具有0.075%超高測量精度，100:1寬量程比優化上下，穩(wěn)定性高能力建設、響應速度快、可靠性高生產體系，自帶HART通訊功能方便手操器調試服務，具有本質安全型、隔爆型、選配多種隔離膜片結構覆蓋，多種過程連接標準異常狀況，適用微壓、絕壓高效、負壓應用創新、高溫高壓、低溫和腐蝕條件的壓力測量機構。

一的特性、單晶硅壓力變送器工作原理

利用單晶硅的壓阻效應而構成。采用單晶硅片為彈性元件基礎，在單晶硅膜片上利用集成電路的工藝提供堅實支撐，在單晶硅的特定方向擴散一組等值電阻，并將電阻接成橋路高產，單晶硅片置于傳感器腔內信息化技術。當壓力發(fā)生變化時，單晶硅產生應變良好，使直接擴散在上面的應變電阻產生與被測壓力成比例的變化逐步顯現，再由橋式電路獲得相應的電壓輸出信號。

二引領、單晶硅壓力變送器技術參數(shù)

測量范圍
相對壓力：0～400Pa～35MPa

J.D壓力：0～1.75KPa～35MPa
信號輸出
4-20mA +HART通訊協(xié)議（兩線制）

測量精度
綜合誤差：0.1%（包括線性度傳遞、重復性、遲滯）勞動精神，特殊要求可定0.075%

長期穩(wěn)定性
每年優(yōu)于0.15%F.S
五年優(yōu)于0.2%F.S
溫度范圍

允許介質溫度：（-40～120）℃

允許環(huán)境溫度：（-40～85）℃

允許儲存溫度：（-40～85）℃

溫度影響
相對于25℃：≤±0.4%標準量程

阻尼時間
0~40S連續(xù)可調

抗震動：2g 1000HZ ±0.05%g

抗沖擊：50g 11mesc

電磁兼容特性：符合IEC801標準

傳感器允許過壓：標準量程3倍壓力

零點z.ui小報警電流范圍：3.8mA

滿度z.ui大報警電流范圍：21mA

啟動時間：3S 無需預熱

與介質接觸部分材料

過程連接件：不銹鋼316開展攻關合作， 哈氏合金C

傳感器膜片：不銹鋼316， 哈氏合金C

與介質非接觸部分材料

外殼：壓鑄鋁帶環(huán)氧樹脂涂層

傳感器充灌液:硅油 厭氧油

現(xiàn)場顯示:液晶3 1/2精度數(shù)字式顯示器 液晶模擬條狀顯示器

防護等級:IP66

重量:約1Kg

防爆等級防爆型 Ex d ⅡC T5 動手能力，本安型 Ex ia ⅡC T5

允許環(huán)境濕度:99%RH