1、眾多獨立分析實驗室的主力軍
2預下達、通用磁扇區(qū)二次離子質(zhì)譜儀：比飛行時間（TOF）SIMS要快的有效手段，比四級桿
SIMS質(zhì)量分辨率要高
3、高靈敏度痕量元素分析：ppm-ppb級
4方案、痕量元素深度剖析：亞微米級橫向分辨率關鍵技術，納米級深度分辨率
5、高靈敏度痕量元素二次離子顯微圖像（2＆3D）

二次離子質(zhì)譜概述

1. 一定能量的離子打到固體表面會引起表面原子深入、分子或原子團的二次發(fā)射技術研究，即離子濺射。濺射的粒子一般以中性為主深刻變革，其中有一部分帶有正結論、負電荷，這就是二次離子質生產力。利用質(zhì)量分析器接收分析二次離子就得到二次離子質(zhì)譜。根據(jù)濺射的二次離子信號技術交流，可對被轟擊樣品的表面和內(nèi)部元素及分布特征進行分析先進的解決方案。
2. 二次離子質(zhì)譜儀主要用于材料學(xué)（半導(dǎo)體、薄層創造更多、絕緣材料等）宣講活動、地質(zhì)空間學(xué)、天體化學(xué)工藝技術、環(huán)境微生物學(xué)和細胞學(xué)效率。
3. 主要功能：

               質(zhì)譜分析-表面微區(qū)元素組成

               痕量元素深度剖析

               二次離子成像及顯微圖像分布（2＆3D）

               穩(wěn)定同位素豐度比

               放射性顆粒分析

               地質(zhì)定年

二次離子質(zhì)譜  IMS 7f

1、眾多獨立分析實驗室的主力軍

2產能提升、通用磁扇區(qū)二次離子質(zhì)譜儀：比飛行時間（TOF）SIMS要快適應性，比四級桿

      SIMS質(zhì)量分辨率要高

3、高靈敏度痕量元素分析：ppm-ppb級

4通過活化、痕量元素深度剖析：亞微米級橫向分辨率落地生根，納米級深度分辨率

5、高靈敏度痕量元素二次離子顯微圖像（2＆3D）

6健康發展、高分析速度高精度的穩(wěn)定同位素豐度比

7有效保障、可增配防輻射裝置，用于放射性樣品分析

8長效機製、用于半導(dǎo)體講實踐、材料和核能科學(xué)、生態(tài)環(huán)境領(lǐng)域、地質(zhì)學(xué)

1. 靈敏度：IMS 7f 工作時的有效離子產(chǎn)率(useful yields- secondary ion detected per atomsputtered)比四極桿分析器高達100倍市場開拓。做一次通常的深度剖析或者成像分析措施，以獲得同樣靈敏度所用時間相比，是飛行時間（TOF）類SIMS的千分之一各項要求。(或反過來說更高要求，同樣的分析時間，TOF SIMS的靈敏度要低達1000倍)新技術。
2. 質(zhì)量分辨: IMS 7f 可以分辨絕大多數(shù)質(zhì)譜中存在的質(zhì)量干擾共同學習，例如，31P與H30Si, 56Fe與28Si or 17O與H16O深入。這些干擾使得低質(zhì)量分辨率質(zhì)譜儀（比如四極桿類型）的探測極限大打折扣效高。CAMECA的SIMS獲得高質(zhì)量分辨率的同時并不會降低分析速度，這是TOF質(zhì)譜儀無法做到的基礎。
3. 離子成像：IMS 7f 可以對所選質(zhì)量給出顯微鏡模式的圖像性能，分辨率達到一微米。從時間上看對外開放，這種模式下獲得圖像的速度比常規(guī)的掃描圖像模式(microprobe mode)要高幾個數(shù)量級技術創新。這種模式下還可以大大縮短調(diào)試設(shè)備的時長。
4.  若想獲得亞微米級分辨率的圖像資料，CAMECA IMS 7f 需要采用微探針模式廣泛應用，依靠動態(tài)光學(xué)傳輸以及高亮離子源達到業(yè)界zui高水準的靈敏度和分辨率。

     高分析效率: A high efficiency optical gate is used to eliminate crater edge effects for       combining high sputter rate and high dynamic range in the depth profile mode. Full computer control of the instrument allowing unattended analyses with different analysis recipe