SAL3000 原子層沉積系統(tǒng)是一款適用于研究型的ALD原子層沉積設(shè)備，該設(shè)備多可搭載6路前驅(qū)體產品和服務，適用于4英寸（φ100mm）以下基底材料的鍍膜應用擴展。該設(shè)備在保持了優(yōu)異的膜厚分布外，還可進(jìn)一步通過(guò)改變鍍膜方向增多，來(lái)進(jìn)一步提高鍍膜的質(zhì)量活動上。

SAL3000 原子層沉積系統(tǒng)

SAL3000 原子層沉積系統(tǒng)是一款適用于研究型的ALD原子層沉積設(shè)備，該設(shè)備多可搭載6路前驅(qū)體進一步推進，適用于4英寸（φ100mm）以下基底材料的鍍膜導向作用。該設(shè)備在保持了優(yōu)異的膜厚分布外，還可進(jìn)一步通過(guò)改變鍍膜方向創新為先，來(lái)進(jìn)一步提高鍍膜的質(zhì)量真正做到。并且該設(shè)備還可搭載互鎖腔體（Load lock Chamber）和手套箱來(lái)沉積需要?dú)夥毡Ｗo(hù)的樣品。

性能及特點(diǎn)：

1.鍍膜質(zhì)量高

·膜厚均勻性≤3% @ 100mm

·對(duì)于內(nèi)孔創新延展、凹槽與高深寬比結(jié)構(gòu)具有良好的沉積均勻性強化意識；

·膜厚可準(zhǔn)確控制達(dá)一個(gè)原子層；

·大面積制程可達(dá)到無(wú)孔洞薄膜（Pin Hole free）

·*的重復(fù)性及穩(wěn)定性

·材料缺陷密度低

·可成長(zhǎng)非晶型或結(jié)晶薄膜（選擇溫度）

2.兩種成膜方向可選

·可選擇將薄膜沉積在基底上表面（SAL-3000D）和基底下表面（SAL-3000U）基本情況，薄膜沉積在基底下表面可降低顆粒附著基底的風(fēng)險(xiǎn)的積極性。

3. 可搭載互鎖腔體（Load lock chamber）和手套箱

4.圖形用戶界面，觸控操作至關重要，簡(jiǎn)單易用不久前，可存儲(chǔ)30多種鍍膜方案；

5.主機(jī)與控制機(jī)箱一體化設(shè)計(jì)提升行動；

6. 可搭配多種配件：

干式真空泵能力建設，臭氧發(fā)生器，尾氣處理裝置研究進展，800℃基底加熱器無障礙，200℃前驅(qū)體加熱器等，退火設(shè)備等快速融入；