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SAL-3000Plus ALD原子層沉積系統(tǒng)

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SAL-3000Plus ALD原子層沉積系統(tǒng)是一款可拓展型的ALD原子層沉積系統(tǒng),可通過(guò)連接STR2000轉(zhuǎn)移單元體製,與退火設(shè)備SAN2000Plus構建,鍍膜設(shè)備,SVE2000Plus蒸鍍?cè)O(shè)備SSP2000Plus/SSP3000Plus磁控濺射設(shè)備搭配服務延伸。

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SAL-3000Plus ALD原子層沉積系統(tǒng)

SAL-3000Plus ALD原子層沉積系統(tǒng)是一款可拓展型的ALD原子層沉積系統(tǒng)共創輝煌,可通過(guò)連接STR2000轉(zhuǎn)移單元,與退火設(shè)備SAN2000Plus進一步,鍍膜設(shè)備大部分,SVE2000Plus蒸鍍?cè)O(shè)備SSP2000Plus/SSP3000Plus磁控濺射設(shè)備搭配。

性能及特點(diǎn):                            

1.鍍膜質(zhì)量高

· 膜厚均勻性≤3% @ 100mm

· 對(duì)于內(nèi)孔提高、凹槽與高深寬比結(jié)構(gòu)具有良好的沉積均勻性機構;

· 膜厚可準(zhǔn)確控制達(dá)一個(gè)原子層;

· 大面積制程可達(dá)到無(wú)孔洞薄膜(Pin Hole free)

· *的重復(fù)性及穩(wěn)定性

· 材料缺陷密度低

· 可成長(zhǎng)非晶型或結(jié)晶薄膜(選擇溫度)

2.兩種成膜方向可選

· 可選擇將薄膜沉積在基底上表面和基底下表面交流,薄膜沉積在基底下表面可降低顆粒附著基底的風(fēng)險(xiǎn)基礎。

3. 可通過(guò)STR2000與其它Plus系列設(shè)備串聯(lián)

4.多可搭載6路前驅(qū)體

5.優(yōu)異的真空性能:真空度≤5Pa

6.圖形用戶界面,觸控操作還不大,簡(jiǎn)單易用高產,可存儲(chǔ)30多種鍍膜方案

7.與SAL3000相比,寬度減少了40%

6. 可搭配多種配件:

干式真空泵發揮作用,臭氧發(fā)生器良好,尾氣處理裝置,800℃基底加熱器勇探新路,200℃前驅(qū)體加熱器等單產提升,退火設(shè)備等;

 


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