測量范圍 | 電阻率:10-4~105 Ω.cm(可擴展)估算; 方塊電阻:10-3~106 Ω/□(可擴展)講理論; 電導率:10-5~104 s/cm; 電阻:10-4~105 Ω不要畏懼; |
可測晶片直徑 | 140mmX150mm(配S-2A型測試臺)服務為一體; 200mmX200mm(配S-2B型測試臺); 400mmX500mm(配S-2C型測試臺)逐漸顯現; |
恒流源 | 電流量程分為1μA全會精神、10μA、100μA長效機製、1mA法治力量、10mA、100mA六檔分享,各檔電流連續(xù)可調 |
數(shù)字電壓表 | 量程及表示形式:000.00~199.99mV共享; 分辨力:10μV信息化; 輸入阻抗:>1000MΩ; 精度:±0.1% 生動; 顯示:四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示新型儲能;極性、超量程自動顯示新品技; |
四探針探頭基本指標 | 間距:1±0.01mm範圍; 針間絕緣電阻:≥1000MΩ; 機械游移率:≤0.3%好宣講; 探針:碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm註入新的動力; 探針壓力:5~16 牛頓(總力); |
模擬電阻測量相對誤差 ( 按JJG508-87進行) | 0.01Ω、0.1Ω雙重提升、1Ω、10Ω事關全面、100Ω表現明顯更佳、1000Ω、10000Ω≤0.3%±1字 |
整機測量zui大相對誤差 | (用硅標樣片:0.01-180Ω.cm測試)≤±5% |
標準使用環(huán)境 | 溫度:23±2℃技術節能; 相對濕度:≤65%指導; 無高頻干擾; 無強光直射國際要求; |