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在電子元器件領(lǐng)域，芯片失效問題一直是工程師們最為棘手的挑戰(zhàn)之一綠色化〔煌枨?？茰?zhǔn)測控小編發(fā)現(xiàn)，芯片失效往往在量產(chǎn)階段甚至產(chǎn)品出貨后才被發(fā)現(xiàn)保持穩定，此時可能僅有少量失效樣品總之，但足以引發(fā)嚴(yán)重的質(zhì)量關(guān)注。面對這種情況支撐作用，研發(fā)工程師需要系統(tǒng)性地排查各種可能原因研學體驗，從外圍電路到生產(chǎn)工藝，甚至需要原廠支持進(jìn)行剖片分析最為突出。

本文科準(zhǔn)測控小編將詳細(xì)介紹芯片失效分析的原理落實落細、標(biāo)準(zhǔn)相結合、常用設(shè)備（如Beta S100推拉力測試機(jī)）以及標(biāo)準(zhǔn)流程，幫助工程師更好地理解和應(yīng)對芯片失效問題製高點項目，同時提高對分析報告質(zhì)量的判斷能力為產業發展。

一、芯片失效分析原理

芯片失效分析是基于材料科學(xué)有所增加、電子學(xué)和物理學(xué)原理各項要求，通過一系列檢測手段確定芯片失效模式和根本原因的系統(tǒng)性方法。其核心原理包括：

1. 失效模式識別：通過電性測試越來越重要的位置、顯微觀察等手段確定失效表現(xiàn)特征

2. 失效機(jī)理分析：研究導(dǎo)致失效的物理共謀發展、化學(xué)或電學(xué)過程

3. 根本原因追溯：從設(shè)計(jì)、制造結構重塑、應(yīng)用等環(huán)節(jié)找出導(dǎo)致失效的原始因素

失效分析遵循"從非破壞性到破壞性"、"從外部到內(nèi)部"的漸進(jìn)原則應用優勢，確保在分析過程中不遺漏關(guān)鍵證據(jù)高質量發展。

二、芯片失效分析標(biāo)準(zhǔn)

國際通用的芯片失效分析標(biāo)準(zhǔn)主要包括：

1. JEDEC標(biāo)準(zhǔn)：

o JESD22-A104：溫度循環(huán)測試

o JESD22-A105：功率溫度循環(huán)測試

o JESD22-B104：機(jī)械沖擊測試

2. MIL-STD-883：美guojun用標(biāo)準(zhǔn)中關(guān)于微電子器件測試方法

3. IPC標(biāo)準(zhǔn)：

o IPC-9701：表面貼裝焊點(diǎn)性能測試方法

o IPC-TM-650：測試方法手冊

4. AEC-Q100：汽車電子委員會制定的汽車級IC應(yīng)力測試標(biāo)準(zhǔn)

這些標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了不同應(yīng)用場景下芯片可靠性測試和失效分析的基本要求和方法高效節能。

三影響力範圍、常用失效分析設(shè)備

1. Beta S100推拉力測試機(jī)

設(shè)備介紹：

Beta S100推拉力測試機(jī)是一款專為微電子封裝行業(yè)設(shè)計(jì)的高精度測試設(shè)備。它能夠滿足多種封裝形式的測試需求新創新即將到來，包括QFN不合理波動、BGA、CSP重要工具、TSOP等積極拓展新的領域，并支持靜態(tài)和動態(tài)的拉力、推力及剪切力測試更優質。其廣泛的應(yīng)用范圍覆蓋了半導(dǎo)體封裝相對開放、LED封裝、光電子器件脫穎而出、PCBA電子組裝拓展應用、汽車電子以及航空航天等多個領(lǐng)域。

應(yīng)用場景：

· 焊球剪切/拉力測試

· 金線拉力測試

· 芯片粘結(jié)強(qiáng)度測試

· 材料界面結(jié)合力測試

優(yōu)勢特點(diǎn)：

· 高精度力值測量

· 多種測試模式可選

· 可編程自動化測試

· 數(shù)據(jù)采集分析系統(tǒng)完善

四結構、芯片失效分析標(biāo)準(zhǔn)流程

1. 失效信息收集

· 失效現(xiàn)象記錄

· 失效環(huán)境條件

· 失效比例統(tǒng)計(jì)

· 歷史失效數(shù)據(jù)

2. 非破壞性分析

· 外觀檢查（光學(xué)顯微鏡）

· X-ray檢測

· 電性參數(shù)測試

· 紅外熱成像

3. 破壞性分析

· 開封去層（化學(xué)或機(jī)械方法）

· 截面制備（FIB或拋光）

· SEM/EDS分析

· 聚焦離子束電路修改

4. 推拉力測試（以Beta S100為例）

測試步驟：

1. 樣品固定：將芯片樣品固定在測試平臺上

2. 測試針選擇：根據(jù)測試部位選擇合適形狀和尺寸的測試針

3. 參數(shù)設(shè)置：設(shè)置測試速度管理、行程、采樣頻率等參數(shù)

4. 測試執(zhí)行：自動/手動進(jìn)行推拉力測試

5. 數(shù)據(jù)采集：實(shí)時記錄力-位移曲線

6. 結(jié)果分析：確定失效模式和強(qiáng)度參數(shù)

5. 數(shù)據(jù)分析與報告

· 失效模式歸類

· 根本原因分析

· 改進(jìn)建議提出

· 報告編制與評審

五能力建設、芯片失效常見難題分析

1. 間歇性失效：

o 特點(diǎn)：時好時壞模樣，難以復(fù)現(xiàn)

o 解決方法：環(huán)境應(yīng)力加速、長時間監(jiān)測

2. 系統(tǒng)性失效：

o 特點(diǎn)：特定條件下必然出現(xiàn)

o 解決方法：設(shè)計(jì)缺陷分析建立和完善、應(yīng)用條件驗(yàn)證

3. 多因素耦合失效：

o 特點(diǎn)：多種應(yīng)力共同作用導(dǎo)致

o 解決方法：DOE實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)提供了遵循、因素分離

4. 界面失效：

o 特點(diǎn)：材料界面處的分層參與水平、開裂

o 解決方法：界面形貌分析、材料兼容性研究

5. 靜電放電(ESD)損傷：

o 特點(diǎn)：瞬時高能量造成的隱性損傷

o 解決方法：ESD防護(hù)設(shè)計(jì)評估服務效率、敏感部位檢查

以上就是小編介紹的有關(guān)于芯片失效分析方法相關(guān)內(nèi)容了明確相關要求，希望可以給大家?guī)韼椭?/span>如果您還想了解更多關(guān)于推拉力測試機(jī)怎么使用視頻和圖解，使用步驟及注意事項(xiàng)統籌發展、作業(yè)指導(dǎo)書深化涉外，原理、怎么校準(zhǔn)和使用方法視頻生產製造，推拉力測試儀操作規(guī)范開展試點、使用方法和測試視頻 ，焊接強(qiáng)度測試儀使用方法和鍵合拉力測試儀等問題共同，歡迎您關(guān)注我們推進一步，也可以給我們私信和留言，【科準(zhǔn)測控】小編將持續(xù)為大家分享推拉力測試機(jī)在鋰電池電阻簡單化、晶圓力度、硅晶片、IC半導(dǎo)體設計、BGA元件焊點(diǎn)業務指導、ALMP封裝、微電子封裝就此掀開、LED封裝長足發展、TO封裝等領(lǐng)域應(yīng)用中可能遇到的問題及解決方案。