■ 無(wú)需再磁場(chǎng)翻轉(zhuǎn)

■ 可匹配類(lèi)型的磁環(huán)境

■ 測(cè)量速度是目前業(yè)內(nèi)常規(guī)霍爾的100倍

■ 理想的超低遷移率材料的測(cè)試設(shè)備

霍爾效應(yīng)測(cè)量是表征新型電子材料和器件的傳輸特性的關(guān)鍵是目前主流。目前科研人員常規(guī)使用傳統(tǒng)的DC場(chǎng)方法進(jìn)行充分發揮，只需要穩(wěn)定的電流源，電壓表，開(kāi)關(guān)和磁環(huán)境選擇適用，并且對(duì)于具有較高遷移率的較簡(jiǎn)單材料而言其測(cè)量數(shù)據(jù)相對(duì)簡(jiǎn)單且可靠共創美好。然而，隨著科研和材料的發(fā)展薄弱點，目前越來(lái)越多的材料的遷移率開(kāi)始越來(lái)越低覆蓋範圍，其測(cè)試變得更加困難，測(cè)量數(shù)據(jù)也變得很糟糕積極性，如重復(fù)性很差奮勇向前，霍爾電壓與理論值偏差異常大，P/N結(jié)判斷錯(cuò)誤等等實施體系。特別是對(duì)于現(xiàn)在的各類(lèi)新型半導(dǎo)體材料組建，如光伏、熱電和有機(jī)物方面的材料發揮。

在過(guò)去的幾年中顯著，對(duì)于低遷材料的解決辦法就是使用AC磁場(chǎng)技術(shù)屏蔽干擾電壓和提取較小的霍爾電壓信號(hào)，其測(cè)試數(shù)據(jù)雖然可靠開放以來，但是其中測(cè)量窗口的延長(zhǎng)占，同時(shí)也意味著熱漂移誤差的不全部去除。但延長(zhǎng)的測(cè)量間隔也會(huì)增加熱漂移效應(yīng)的新形式誤差提供了有力支撐。隨著技術(shù)的發(fā)展激發創作，現(xiàn)在已有一款更快速的霍爾測(cè)量?jī)x來(lái)替代之前“漫長(zhǎng)”AC測(cè)試，使得您可以輕松實(shí)現(xiàn)低遷材料的測(cè)試進一步意見，您還在等什么呢增幅最大？

快速霍爾技術(shù)就是為了可以在幾秒鐘之內(nèi)完成對(duì)于低遷移率材料的精準(zhǔn)測(cè)量，消除因?yàn)闇y(cè)試窗口的延長(zhǎng)引起的熱漂移誤差生產能力。

■ 支持范德堡和霍爾巴測(cè)試

■ 支持傳統(tǒng)DC霍爾測(cè)量

■ 支持Step-By-Step操作標準，實(shí)現(xiàn)您想要的測(cè)試

■ 無(wú)需再進(jìn)行磁場(chǎng)反轉(zhuǎn)

■ 無(wú)需AC磁場(chǎng)霍爾測(cè)量

■ 自動(dòng)優(yōu)化激勵(lì)量程和測(cè)量量程

■ 遷移率支持到0.001cm2/Vs

■ 高阻選件允許測(cè)量樣品阻值 10MΩ to 200GΩ

■ 從干擾測(cè)量參數(shù)中提取有效測(cè)試數(shù)據(jù)

■ 可與簡(jiǎn)易SCPI命令界面或MeasureLINK-MCS軟件配合使用

■ 用于簡(jiǎn)化集成和數(shù)據(jù)傳輸?shù)臄?shù)字和

■ 模擬I/O