8425霍爾效應(yīng)及低溫探針臺(tái)集成系統(tǒng)

● 在真空探針臺(tái)下進(jìn)行完整的霍爾效應(yīng)測(cè)試的系統(tǒng)

● 支持一系列直流條件下霍爾效應(yīng)測(cè)試

● 磁場(chǎng)2T,電阻范圍0.5mΩ-100GΩ

● 變溫范圍10k-400k領先水平，采用閉循環(huán)制冷機(jī)制冷，不需要消耗制冷劑

● 包含8400軟件雙重提升，可以做簡(jiǎn)單的系統(tǒng)操作戰略布局、數(shù)據(jù)采集和分析

● 支持多載流子分析數(shù)據(jù)導(dǎo)出

晶片級(jí)材料在嚴(yán)格控制的低溫環(huán)境下的無(wú)損霍爾測(cè)量

材料的研究

具備Lake shore霍爾測(cè)量能力的8425是應(yīng)用物理、電氣工程表現明顯更佳、材料研究更為一致、產(chǎn)品研發(fā)與運(yùn)用的理想工具，它可以測(cè)量新材料的電子和磁運(yùn)輸特性技術的開發，包括：

太陽(yáng)能電池 OPVs, a:Si, μc-Si, CdTe, CuInGaSe (CIGS)

有機(jī)電子 OTFTs, Penactene, Chalcogenides,OLEDs

Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體 InP, InSb, InAs, GaN, GaP, GaSb, 基于AIN的設(shè)備研究與應用，HEMTs, 異質(zhì)結(jié)雙極晶體管

Ⅱ-Ⅳ族半導(dǎo)體 CdS, CdSe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgCdTe

元素半導(dǎo)體 Ge, SOI, SiC, HBTs and FETs

高溫超導(dǎo)體

直接或間接測(cè)量的磁場(chǎng)和溫度函數(shù)

霍爾電壓

Ⅳ曲線的測(cè)量

電阻

磁阻

磁傳輸

霍爾系數(shù)

霍爾遷移率

反常霍爾效應(yīng)

載流子類型/濃度/密度