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芬蘭Picosun原子層沉積系統(tǒng)

參考價(jià)面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱 廣州納儀科技有限公司
  • 品牌
  • 型號
  • 所在地 廣州市
  • 廠商性質(zhì) 其他
  • 更新時(shí)間 2024/9/27 13:48:12
  • 訪問次數(shù) 63

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我也要出現(xiàn)在這里

“世界上沒有一個(gè)ALD公司能擁有像Picosun那樣的資質(zhì)橋梁作用¢L遠所需!?Picosun的研究歷史和背景始于原子層沉積領(lǐng)域研究起步時(shí)期。ALD原子層沉積系統(tǒng)是由Dr. Tuomo Suntola 于1974年在芬蘭發(fā)明的讓人糾結,他現(xiàn)在是Picosun董事會成員之一規模。Picosun的創(chuàng)建者和技術(shù)執(zhí)行官(CTO)Mr. Sven Lindfors早在1975年已經(jīng)創(chuàng)造出的ALD系統(tǒng),他被譽(yù)為“世界上經(jīng)驗(yàn)豐富的ALD反應(yīng)器設(shè)計(jì)師”管理。Picosun是ALD優化上下。及國內(nèi)。如今Picosun持續(xù)致力于ALD系統(tǒng)研究已經(jīng)長達(dá)50多年模樣,研究團(tuán)隊(duì)加在一起具有300多年的最直接的原子層沉積專項(xiàng)技術(shù)研究經(jīng)驗(yàn)生產體系。Picosun建立于1997年,核心團(tuán)隊(duì)成員都是由具有學(xué)術(shù)專業(yè)水平的科研人員組成很重要,都是ALD方面的專家能力和水平。Picosun團(tuán)隊(duì),被廣泛譽(yù)為“的ALD團(tuán)隊(duì)”異常狀況,已經(jīng)對ALD貢獻(xiàn)了100多項(xiàng)研究,我們與的研究機(jī)構(gòu)和主流的工業(yè)單位密切合作,鞏固了我們在ALD研究的前沿位置應用創新。

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一提高、公司介紹

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1)Picosun – ALD者

“世界上沒有一個(gè)ALD公司能擁有像Picosun那樣的資質(zhì)〉奶匦?!?Picosun的研究歷史和背景始于原子層沉積領(lǐng)域研究起步時(shí)期交流。ALD原子層沉積系統(tǒng)是由Dr. Tuomo Suntola 于1974年在芬蘭發(fā)明的基礎,他現(xiàn)在是Picosun董事會成員之一。Picosun的創(chuàng)建者和技術(shù)執(zhí)行官(CTO)Mr. Sven Lindfors早在1975年已經(jīng)創(chuàng)造出的ALD系統(tǒng)還不大,他被譽(yù)為“世界上經(jīng)驗(yàn)豐富的ALD反應(yīng)器設(shè)計(jì)師”高產。

Picosun是ALD。及國內(nèi)發揮作用。

如今Picosun持續(xù)致力于ALD系統(tǒng)研究已經(jīng)長達(dá)50多年良好,研究團(tuán)隊(duì)加在一起具有300多年的最直接的原子層沉積專項(xiàng)技術(shù)研究經(jīng)驗(yàn)。Picosun建立于1997年發揮,核心團(tuán)隊(duì)成員都是由具有學(xué)術(shù)專業(yè)水平的科研人員組成顯著,都是ALD方面的專家。Picosun團(tuán)隊(duì)長足發展,被廣泛譽(yù)為“的ALD團(tuán)隊(duì)”今年,已經(jīng)對ALD貢獻(xiàn)了100多項(xiàng),我們與的研究機(jī)構(gòu)和主流的工業(yè)單位密切合作結構不合理,鞏固了我們在ALD研究的前沿位置動手能力。

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2)PICOSUN公司的承諾

芬蘭PICOSUN公司ALD系統(tǒng)的設(shè)計(jì)保證了能夠?qū)Ω鞣N工藝參數(shù)的嚴(yán)格控制,確保得到極度均勻意見征詢、高重復(fù)性的高質(zhì)量薄膜提升。設(shè)備容易操作、高度可靠的必然要求。

研究成果、R-200 Adv 原子層沉積系統(tǒng)技術(shù)指標(biāo)

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1. 腔體:采用雙層腔體結(jié)構(gòu)。

1.1 真空腔體:

(1)加熱溫度≥650℃完善好;

(2)真空腔體無水冷系統(tǒng)大面積;

(3)真空腔體所有接口采用KF法蘭和Viton密封圈密封,腔體漏率低于2x10-8mbar.l/s問題分析。

1.2 反應(yīng)腔:

(1)反應(yīng)腔可沉積200 mm基片1個(gè), 兼容小基片培養;

(2)反應(yīng)腔上配備6個(gè)獨(dú)立的前軀體源管路接口,與前軀體源管路連接更加完善,前驅(qū)體蒸汽相對襯底流動模式為噴灑淋浴模式形式;

(3)反應(yīng)腔沉積溫度,熱工藝沉積溫度600 °C支撐作用。

(4)基片加載采用氣動基片加載/卸載系統(tǒng)日漸深入,由電腦自動控制;

(5)配備顆粒捕捉器及反應(yīng)殘余物燃燒器同時。

2. 前軀體輸運(yùn)系統(tǒng):

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(1)配備6路獨(dú)立的前軀體源管路互動式宣講。

(2)配置的質(zhì)量流量、壓力傳感器、脈沖閥自動化,采用VCR金屬密封方式密封節點。

(3)每個(gè)液態(tài)源單獨(dú)配備帕爾帖(Peltier)溫度控制器1套。

(4)加熱源具用boosting功能落地生根,加熱溫度不低于300℃。

3. 等離子模塊:

(1)配備遠(yuǎn)程等離子模塊重要方式,包括匹配網(wǎng)絡(luò)開展面對面、等離子體發(fā)生器、包括4路等離子氣路非常重要;

(2)每條管路單獨(dú)配置的質(zhì)量流量進一步提升、壓力傳感器、脈沖閥營造一處;

(3)等離子ALD和熱ALD共用一個(gè)腔改革創新,等離子體發(fā)生器與基底必須保持足夠距離,功率:100-3000W可調(diào)。

4. 真空系統(tǒng):配備耐腐蝕真空干泵取得顯著成效;真空泵抽速≥400m3/h新模式。

5. 預(yù)真空系統(tǒng):預(yù)真空腔及其配備單獨(dú)的干泵,可以傳送200 mm (8英寸) 基片,不容忽視。

6. 控制系統(tǒng):

   (1) 觸摸屏PC用于ALD反應(yīng)器的操作組織了,的控制軟件和電子電路;人性化的HMI界面說服力,系統(tǒng)可用于處方recipe 模式或手動模式搶抓機遇;

   (2) 操作界面友好,具備程序儲存表示、讀取功能全面闡釋,能夠輸出實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù),顯示24個(gè)小時(shí)內(nèi)設(shè)備系統(tǒng)各部分參數(shù)的時(shí)間趨勢圖競爭力所在,包括各部分質(zhì)量流量引人註目、溫度、壓強(qiáng)的時(shí)間趨勢圖體系流動性,用于監(jiān)測設(shè)備穩(wěn)定性探索創新;

   (3) 沉積過程中監(jiān)測顯示每個(gè)源管路的脈沖壓強(qiáng),顯示脈沖壓強(qiáng)與時(shí)間關(guān)系圖實現了超越,用于監(jiān)測脈沖穩(wěn)定性新產品;

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