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離子注入機北京特博萬德代理 法國IBS公司-離子注入機深入各系統。法國IBS公司成立于1987年解決問題，在近30年的時間里，一直致力于離子注入領(lǐng)域的研發(fā)作用、設(shè)計制造與服務(wù)相互配合。并不斷升級和提高在該領(lǐng)域的技術(shù)水平。在IBS法國著力增加，公司的創(chuàng)始人是來自法方的技術(shù)專家智能化，在他帶領(lǐng)下，整個技術(shù)團隊對技術(shù)更新的熱枕大于市場運作的努力處理，嚴謹?shù)驼{(diào)的作風(fēng)保證了設(shè)備的高質(zhì)量和的穩(wěn)定性建設。盡管如此，IBS公司在世界范圍內(nèi)已經(jīng)銷售超過100臺注入機助力各行，可以預(yù)見在未來幾年前來體驗，IBS產(chǎn)品必將在離子注入領(lǐng)域成為的競爭者。產(chǎn)品有多種型號包括低能注入確定性、中束流注入和高能注入更加廣闊，IBS更具有按照客戶要求設(shè)計定制的能力。主要用于半導(dǎo)體微電子襯底材料摻雜講故事，在晶圓上注入B非常完善、P、As等元素自動化方案，并且具備升級注入Al緊密協作、H越來越重要、N、He發揮重要作用、Ar等其他元素功能醒悟。
| 型號 | IMC200 | 型號 | PULSION |
| 應(yīng)用 | 設(shè)備主要用于半導(dǎo)體微電子襯底材料摻雜，在晶圓上注入B高質量、P技術先進、As等元素，并且具備升級注入Al延伸、H認為、N、He新趨勢、Ar等其他元素功能 | 優(yōu)勢 | ü3D浸沒式離子注入反應能力，不受形狀、大小學習、表面狀態(tài)限制 ü可靠性高結構重塑，氣體消耗量低，易于維護應用優勢，成本低高質量發展； ü的脈沖等離子體配置和偏振技術(shù)，所需能量低高效節能，電流輸入輸出能力高影響力範圍，工藝穩(wěn)定性高，可以實現(xiàn)保形處理新創新即將到來； ü能夠以較小的占地面積處理大型部件邁出了重要的一步； ü工藝時間短：工藝時間與待注入的機械部件的大小無關(guān)，即使要求的注入量非常高創造性； ü可按照用戶要求定制發展的關鍵； ü有全自動、工程和手動模式規模設備，工程和手動模式下可人為控制單步驟工藝真諦所在； ü工藝recipe可編輯，工藝參數(shù)可監(jiān)測競爭力、控制和記錄充分，可查看報警歷史。 |
| 注入晶圓尺寸 | 6英寸集聚，兼容5競爭力、4、3狀況、2英寸機製性梗阻，不規(guī)則小片機製，最小可注入1 cm2的樣品。 | 原理 | 把要處理的部件放在真空室中的夾具上提供了遵循，并浸入待注入離子電離形成的高密度等離子體中參與水平。當(dāng)夾具在脈沖電壓模式下被偏置到負電壓時，開始注入服務效率。 |
| 注入能量范圍 | 單價離子30KeV～200KeV明確相關要求，可升級二價/三價離子注入，注入能量可升級到400 KeV/600 KeV統籌發展。 | 應(yīng)用 | ü改善表面機械性能深化涉外，減少磨損、摩擦力和金屬疲勞生產製造； ü提高表面耐腐蝕開展試點、耐化學(xué)、耐高溫性能具有重要意義； ü改變表面理化性能如表面能進一步、粘附性等大部分； ü提高生物相容性強大的功能； ü逸出功工程； ü用于高級存儲器和硅基光電學(xué)的納米沉淀和納米結(jié)構(gòu)解決方案； ü加氫（Hydrogenation）優勢，吸氣（gettering）。 |
| 注入角度 | 0°增產、7°便利性，可通過手動更換夾具的方式來改變注入角度。 | 加速電壓 | 1 kV ~ 10 kV |
| 注入劑量范圍 | 1×1011 at/cm2 ～ 1×1018 at/cm2 | 標準注入電流 | 5 mA ~ 100 mA (N2) |
| 注入均勻性 | ü4”片內(nèi)行動力、片間1σ ≤ 1.0 % （注入條件：4英寸硅片提供有力支撐，1000 ?氧化層，11B保供，注入能量100KeV自行開發，注入劑量1×1014 at/cm2.）； ü6”片內(nèi)責任、片間1σ ≤ 1.0 %（注入條件：6英寸硅片應用情況，1000 ?氧化層，11B組建，注入能量100KeV表現，注入劑量1×1014 at/cm2） | 標準注入時間 | 30 min ~ 3 h |
| 真空度 | ü離子源：≥ 2×10-6 mbar（2 x10-4 Pa）； ü束流管：≥ 7×10-7 mbar（7x10-5 Pa）深刻變革； ü 靶室：≥ 7×10-7 mbar（7x10-5Pa）可能性更大； ü離子源真空系統(tǒng)初真空泵為化學(xué)干泵部署安排，高真空泵為渦輪分子泵；束流管及終端真空系統(tǒng)初真空泵為干泵技術，高真空泵為冷泵了解情況。 | 可注入選項 | N, C, O, Ar, H, He, F, Ge, Si... |
| 注入束流 | ü11B單價離子：≥ 600µA背景下； ü 31P單價離子：≥ 1500µA構建； ü75As單價離子：≥ 1500µA。 （注入條件：6”晶圓哪些領域，注入能量120KeV～200KeV）姿勢。 | 注入部件尺寸 | ≤ 400 mm×400 mm×200 mm |
| 離子源氣路系統(tǒng) | 包含5路氣體：BF3相互融合、PH3、AsH3綠色化、Ar及N2不同需求，所有氣路系統(tǒng)都集成在機器里面，能實時監(jiān)控離子源氣體消耗以及具備氣瓶終點探測技術(shù)保持穩定。 | 輻射 | 在任意外部屏蔽點10 cm處< 0.6 μSv/h |
| 軟件功能 | 包括但不限于：權(quán)限管理總之、參數(shù)管理、手動控制支撐作用、實時數(shù)據(jù)研學體驗、數(shù)據(jù)記錄、報警管理等最為突出。軟件可根據(jù)需求免費更新升級落實落細。 | 注入劑量范圍 | 1E14 at/cm2 ~1E18 at/cm2 |
| 腔室氣壓 | < 5×10-6 mbar | ||
| 設(shè)備尺寸 | 1.6×2.15×2.3m（標準型）；2.15×2.15×2.3m（加大型） | ||
| 輻射 | 在任意外部屏蔽點10 cm處< 0.6 μSv/h | ||
| 注入劑量范圍 | 1E14 at/cm2 ~1E18 at/cm2 | ||
| 離子輻射滿足國際相應(yīng)標準高效化，具有CE認證製高點項目。 | |||
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