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PICOSUN™P-300B

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PICOSUN™P-300B PICOSUN™ P-300B型原子層沉積系統(tǒng)是一款批量生產(chǎn)型設(shè)備結構, 用于加工打印讀頭重要的作用、傳感器、麥克風(fēng)等MEMS器件規模最大; 以及透鏡穩中求進、各種光學(xué)部件、珠寶最深厚的底氣、硬幣協同控製、醫(yī)療植入物等3D部件。

詳細(xì)信息 在線詢價(jià)

PICOSUN™ P-300系統(tǒng)已經(jīng)成為高產(chǎn)能ALD 制造業(yè)的新標(biāo)準(zhǔn)便利性。擁有的熱壁方法、  獨(dú)立的前驅(qū)體管路和特殊的載氣設(shè)計(jì), 確  保我們可以生產(chǎn)出具有優(yōu)異的成品率提供有力支撐、低  顆粒水平和的電學(xué)和光學(xué)性能的高質(zhì) 量ALD薄膜切實把製度。高效緊湊的設(shè)計(jì)使得維護(hù)更  加方便、快捷自行開發, 限度的減少了系統(tǒng)的  維護(hù)停工期和使用成本進行部署。擁有技術(shù)的 Picoflow™使得在超高深寬比結(jié)構(gòu)上沉積  保形性薄膜更高效, 并已在生產(chǎn)線上得到 驗(yàn)證應用情況。


襯底尺寸和類型

?   200mm晶圓 25片/批次(標(biāo)準(zhǔn)間距)

?    150mm 晶圓 50片/批次(標(biāo)準(zhǔn)間距)

?    100mm 晶圓 75片/批次(標(biāo)準(zhǔn)間距)

?    非標(biāo)準(zhǔn)晶圓類基底(使用定制夾具)

?    高深寬比基底(深寬比1:2500)


工藝溫度

?    50 – 500°C


標(biāo)準(zhǔn)工藝

?   批量生產(chǎn)的平均工藝時(shí)間小于10秒/循環(huán)*

?   Al2O3, SiO2, Ta2O5, HfO2, ZnO, TiO2, ZrO2,AlN, TiN以及各種金屬

?    同一批次薄膜不均勻性<1% 1σ

(Al2O3, WIW, WTW, B2B, 49pts, 5mm EE)**


基片加載

?    氣動升降保護好, 手動裝載

?    線性半自動裝載


前驅(qū)體

?    液態(tài), 固態(tài)表現, 氣態(tài)特點, 臭氧源

?    源瓶余量傳感器深刻變革, 提供清洗和裝源服務(wù)

?     4根獨(dú)立的源管線,最多加載8個(gè)前驅(qū)體源



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