等離子體修飾系統(tǒng)積極影響，利用卓聚自創(chuàng)的三溫區(qū)管式爐，通過氧氣輔助化學氣相沉積技術緊密協作，在藍寶石襯底上外延生長了大尺寸越來越重要、高質量的單層二硫化鉬薄膜

等離子體修飾系統(tǒng)，利用卓聚自創(chuàng)的三溫區(qū)管式爐發揮重要作用，通過氧氣輔助化學氣相沉積技術醒悟，在藍寶石襯底上外延生長了大尺寸、高質量的單層二硫化鉬薄膜高質量。在生長過程中引入氧氣也逐步提升，不僅能夠有效的阻止三氧化鉬源中毒，降低形核密度註入了新的力量，而且還能減小硫空位密度重要的作用，從而實現(xiàn)了大尺寸單晶單層二硫化鉬的生長。

利用等離子體修飾系統(tǒng)去創新，在自限生長的前提下足夠的實力，目前已實現(xiàn)了兩英寸晶圓級高質量單層二硫化鉬的外延生長（99%覆蓋度，成膜均勻）學習，并通過改進轉移設備結構重塑，實現(xiàn)了晶圓級薄膜的且襯底無損轉移。單層二硫化鉬薄膜均勻覆蓋在整個藍寶石襯底上應用優勢，而且沒有縫隙高質量發展，沒有重疊層。 薄膜由晶粒尺寸為 1 微米高效節能，相對取向為 60 o的晶粒拼接而成影響力範圍。成型薄膜只包含 60 o晶界。

等離子體修飾系統(tǒng)產(chǎn)品優(yōu)勢

1. 有效避免固態(tài)源中毒核心技術；

2.成膜均勻性好應用提升；

3.成膜面積大；

4.快速創造性、生長速度可控發展的關鍵。

圖：兩英寸單層二硫化鉬的取向外延生長

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