普賽斯IGBT功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng),集多種測量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測量IGBT功率半導(dǎo)體器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、uQ級(jí)精確測量激發創作、納安電流測量能力等特點(diǎn)前景。支持高壓模式下測量功率器件結(jié)電容,如輸入電容、輸出電容重要的意義、反向傳輸電容等持續。SiC功率器件測試設(shè)備認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表官&網(wǎng)咨詢
圖5:IGBT測試系統(tǒng)圖
普賽斯IGBT功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)配置由多種測量單元模塊組成,系統(tǒng)模塊化的設(shè)計(jì)能夠極大方便用戶添加或升級(jí)測量模塊,適應(yīng)測量功率器件不斷變化的需求。
“雙高”系統(tǒng)優(yōu)勢
高電壓再獲、大電流
具有高電壓測量/輸出能力,電壓高達(dá)3500V(Z大可擴(kuò)展至10kV)
具有大電流測量/輸出能力,電流高達(dá)6000A(多模塊并聯(lián))
高精度測量
納安級(jí)漏電流,μΩ級(jí)導(dǎo)通電阻
0.1%精度測量
模塊化配置
可根據(jù)實(shí)際測試需要靈活配置多種測量單元系統(tǒng)預(yù)留升級(jí)空間,后期可添加或升級(jí)測量單元
測試效率高
內(nèi)置專用開關(guān)矩陣,根據(jù)測試項(xiàng)目自動(dòng)切換電路與測量單元
支持國標(biāo)全指標(biāo)的一鍵測試
擴(kuò)展性好
支持常溫及高溫測試可靈活定制各種夾具
“魔方”式的系統(tǒng)組成
普賽斯IGBT功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng),主要由測試儀表、上位機(jī)軟件應用擴展、電腦體驗區、矩陣開關(guān)、夾具活動上、高壓及大電流信號(hào)線等構(gòu)成有望。整套系統(tǒng)采用普賽斯自主開發(fā)的靜態(tài)測試主機(jī),內(nèi)置多種電壓進一步推進、電流等級(jí)的測量單元。結(jié)合自主開發(fā)的上位機(jī)軟件控制測試主機(jī),可根據(jù)測試項(xiàng)目需要,選擇不同的電壓方案、電流等級(jí),以滿足不同測試需求應用的選擇。
系統(tǒng)主機(jī)的測量單元,主要包括普賽斯P系列高精度臺(tái)式脈沖源表、HCPL系列高電流脈沖電源左右、E系列高壓源測單元背景下、C-V測量單元等。其中,P系列高精度臺(tái)式脈沖源表用于柵極驅(qū)動(dòng)與測試使用,Z大支持30V@10A脈沖輸出與測試;HCPL系列高電流脈沖電源用于集電極可靠保障、發(fā)射極之間電流測試及續(xù)流二極管的測試,15us的超快電流上升沿,自帶電壓采樣,單設(shè)備支持Z大1000A脈沖電流輸出;E系列高壓源測單元用于集電極自然條件、發(fā)射極之間電壓、漏電流測試,Z高支持3500V電壓輸出,并且自帶電流測量功能開展。系統(tǒng)的電壓互動互補、電流測量單元,均采用多量程設(shè)計(jì),精度為0.1%。
國標(biāo)全指標(biāo)的“一鍵”測試項(xiàng)目
普賽斯現(xiàn)在可以提供完整的IGBT芯片和模塊參數(shù)的測試方法,可以輕松實(shí)現(xiàn)靜態(tài)參數(shù)l-V和C-V的測試意向，最終輸出產(chǎn)品Datasheet報(bào)告意料之外。這些方法同樣適用于寬禁帶半導(dǎo)體SiC和GaN功率器件。
IGBT靜態(tài)測試夾具方案
針對市面上不同封裝類型的IGBT產(chǎn)品,普賽斯提供整套夾具解決方案,可用于TO單管形式、半橋模組等產(chǎn)品的測試置之不顧。
普賽斯以自主研發(fā)為導(dǎo)向,深耕半導(dǎo)體測試領(lǐng)域，在I-V測試上積累了豐富的經(jīng)驗(yàn),先后推出了直流源表進一步提升、脈沖源表空間廣闊、高電流脈沖源表、高電壓源測單元等測試設(shè)備,廣泛應(yīng)用于高校研究所改革創新、實(shí)驗(yàn)室知識和技能、新能源、光伏交流等、風(fēng)電更加廣闊、軌交、變頻器等場景提高。更多有關(guān)SiC功率器件測試設(shè)備的詳情認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表官&網(wǎng)咨詢
