10us浪涌電流測試儀/設備/系統(tǒng)，可測試二極管顯示，MOS流程，IGBT，以及SIC器件浪涌電流能力勃勃生機，可輸出底寬10ms助力各業，8.3ms，1ms提供有力支撐，10us等正弦半波或方波應用，浪涌電流根據(jù)具體需求可選擇800A,1200A,3000A以及定制8000A以上，電流可達50kA;
10us浪涌電流測試儀/設備/系統(tǒng)是指電源線接通瞬間或是在電路出現(xiàn)異常情況下產(chǎn)生的遠大于穩(wěn)態(tài)電流的峰值電流或過載電流品率。
半導體器件在工作時臺上與臺下，有時要承受較大的沖擊電流，器件的用途不同技術發展，要求器件能承受浪涌電流的能力也不同集聚效應，為了檢測器件承受浪涌電流的能力，可產(chǎn)生一個大的浪涌電流施加于被測器件上重要手段，從而檢測被測器件是否能承受大浪涌電流的沖擊互動講。
10us浪涌電流測試儀/設備/系統(tǒng)的測試方法符合JB/T7626-2013中的相關標準。浪涌電流試驗臺像一棵樹，是二極管等相關半導體器件測試的重要檢測設備過程中，該設備具有如下特點：
1、該試驗臺是一套大電流能運用、高電壓的測試設備達到，對設備的電氣性能要求高。
2不可缺少、該試驗臺的測試控制采用自動控制蓬勃發展，測試可按測試員設定的程序進行自動測試。
3、該試驗臺采用計算機記錄測試結(jié)果重要性，并可將測試結(jié)果轉(zhuǎn)化為EXCEL文件進行處理又進了一步。
4、該套測試設備主要由以下幾個單元組成：
a多元化服務體系、浪涌測試單元
b規劃、阻斷參數(shù)測試單元
c、計算機控制系統(tǒng)
二深度、技術條件
2.1 環(huán)境要求：
1帶動擴大、環(huán)境溫度：15—40℃
2、相對濕度：存放濕度不大于80%
3深刻認識、大氣壓力：86Kpa—106Kpa
4核心技術、海拔高度：1000米以下
5、電網(wǎng)電壓：AC220V±10%無嚴重諧波
6高效、電網(wǎng)頻率：50Hz±1Hz
7溝通協調、電源功率：小于1.5KW
8、供電電網(wǎng)功率因數(shù)：＞0.9
2.2主要技術指標：
1體系、浪涌電流（ITSM/IFSM）測試范圍：30～1200A保障性；選配3000A,8000A,20kA,50kA等
2、浪涌電流（ITSM/IFSM）精度要求：顯示分辨率1A精度±3%
浪涌電流（ITSM/IFSM）波形：近似正弦半波責任製；
3十分落實、浪涌電流底寬：8.3和10ms；選配1ms,10us等
4規則製定、測試頻率：單次製造業；重復
5、反向電壓（VRRM）測試范圍：200～2000V關規定；
6發展基礎、反向電壓（VRRM）顯示分辨率10V，精度±3%建強保護；
7同期、反向電壓頻率：DC直流
8、各種模塊均手動連接使命責任，并以單管形式測試效果。
9、采用計算機控制合規意識、采樣及顯示密度增加；
