10us方波浪涌測試儀/設(shè)備/系統(tǒng)有望，可測試二極管進一步推進，MOS導向作用，IGBT，以及SIC器件浪涌電流能力應用的選擇，可輸出底寬10ms十大行動，8.3ms，1ms背景下，10us等正弦半波或方波綜合措施，浪涌電流根據(jù)具體需求可選擇800A,1200A,3000A以及定制8000A以上，電流可達50kA;

10us方波浪涌測試儀/設(shè)備/系統(tǒng)是指電源線接通瞬間或是在電路出現(xiàn)異常情況下產(chǎn)生的遠大于穩(wěn)態(tài)電流的峰值電流或過載電流自然條件。

半導(dǎo)體器件在工作時設計標準，有時要承受較大的沖擊電流，器件的用途不同互動互補，要求器件能承受浪涌電流的能力也不同發揮重要帶動作用，為了檢測器件承受浪涌電流的能力，可產(chǎn)生一個大的浪涌電流施加于被測器件上意料之外，從而檢測被測器件是否能承受大浪涌電流的沖擊至關重要。

10us方波浪涌測試儀/設(shè)備/系統(tǒng)的測試方法符合JB/T7626-2013中的相關(guān)標(biāo)準。浪涌電流試驗臺效果，是二極管等相關(guān)半導(dǎo)體器件測試的重要檢測設(shè)備有所應，該設(shè)備具有如下特點：

1、該試驗臺是一套大電流合作關系、高電壓的測試設(shè)備認為，對設(shè)備的電氣性能要求高。

2增強、該試驗臺的測試控制采用自動控制，測試可按測試員設(shè)定的程序進行自動測試交流等。

3更加廣闊、該試驗臺采用計算機記錄測試結(jié)果，并可將測試結(jié)果轉(zhuǎn)化為EXCEL文件進行處理提高。

4可以使用、該套測試設(shè)備主要由以下幾個單元組成：

  a、浪涌測試單元

  b紮實、阻斷參數(shù)測試單元

  c效高化、計算機控制系統(tǒng)

二、技術(shù)條件

2.1 環(huán)境要求：

1投入力度、環(huán)境溫度：15—40℃

2創造、相對濕度：存放濕度不大于80%

3、大氣壓力：86Kpa—106Kpa

4貢獻法治、海拔高度：1000米以下

5設備製造、電網(wǎng)電壓：AC220V±10%無嚴重諧波

6發展需要、電網(wǎng)頻率：50Hz±1Hz

7、電源功率：小于1.5KW

8管理、供電電網(wǎng)功率因數(shù)：＞0.9

2.2主要技術(shù)指標(biāo)：

1顯示、浪涌電流（ITSM/IFSM）測試范圍：30～1200A；選配3000A,8000A,20kA,50kA等

2效率和安、浪涌電流（ITSM/IFSM）精度要求：顯示分辨率1A精度±3%

 浪涌電流（ITSM/IFSM）波形：近似正弦半波設計能力；

3、浪涌電流底寬：8.3和10ms深入開展；選配1ms,10us等

4更為一致、測試頻率：單次；重復(fù)

5引領作用、反向電壓（VRRM）測試范圍：200～2000V加強宣傳；

6、反向電壓（VRRM）顯示分辨率10V用的舒心，精度±3%技術發展；

7、反向電壓頻率：DC直流

8集成、各種模塊均手動連接重要手段，并以單管形式測試。

9穩定性、采用計算機控制像一棵樹、采樣及顯示；