MOS管測(cè)試儀/設(shè)備/系統(tǒng)多樣性，測(cè)試二極管 發揮效力、IGBT，MOS管明顯，SIC器件靜態(tài)參數(shù)安全鏈，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線，測(cè)試1600A創新為先，5000V以下的各種功率器件真正做到，廣泛應(yīng)用于器件設(shè)計(jì)，封裝測(cè)試競爭力，軌道交通調整推進，電動(dòng)汽車 ，風(fēng)力發(fā)電兩個角度入手，變頻器建強保護，焊機(jī)等行業(yè)的IGBT來(lái)料選型和失效分析。

MOS管測(cè)試儀/設(shè)備/系統(tǒng)可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試生產效率，還可以測(cè)量大功率二極管 使命責任、IGBT模塊，大功率 IGBT使用、大功率雙極型晶體管合規意識，MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試1200A（可擴(kuò)展至2000A）有效性，5000V以下的各種功率器件創新內容，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動(dòng)汽車 廣泛關註，風(fēng)力發(fā)電善於監督，變頻器，焊機(jī)行業(yè)的IGBT來(lái)料選型和失效分析就能壓製，設(shè)備還可以用于變頻器更合理，風(fēng)電，軌道交通，電焊機(jī)等行業(yè)的在線檢修各方面，無(wú)需從電路板上取下來(lái)進(jìn)行單獨(dú)測(cè)試防控，可實(shí)現(xiàn)在線IGBT檢測(cè)，測(cè)試方便適應性，測(cè)試過(guò)程簡(jiǎn)單堅實基礎，既可以在測(cè)試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測(cè)試，又可以通過(guò)軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試重要作用，通過(guò)電腦操作完成 IGBT 的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試等地；

測(cè)試參數(shù)：

ICES  集電極-發(fā)射極漏電流

IGESF 正向柵極漏電流

IGESR 反向柵極漏電流

BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓

VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓

VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓

ICON 通態(tài)電極電流

VGEON 通態(tài)柵極電壓

VF 二極管正向?qū)▔航?/p>

MOS管測(cè)試儀/設(shè)備/系統(tǒng)整個(gè)測(cè)試過(guò)程自動(dòng)完成，電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫(kù)管理查詢功能尤為突出，可生成測(cè)試曲線物聯與互聯，方便操作使用

1) 物理規(guī)格

設(shè)備尺寸：500（寬）x 450（深）x 250（高）mm；

質(zhì)量：30kg

2) 環(huán)境要求

海拔高度：海拔不超過(guò) 1000m協同控製；

儲(chǔ)存環(huán)境：-20℃～50℃；

工作環(huán)境：15℃～40℃品質。

相對(duì)濕度：20%RH ~ 85%RH 利用好；

大氣壓力：86Kpa～ 106Kpa。

防護(hù)：無(wú)較大灰塵解決問題，腐蝕或爆炸性氣體系列，導(dǎo)電粉塵等空氣污染的損害；

3) 水電氣 用電要求：AC220V相互配合，±10%慢體驗；

電網(wǎng)頻率：50Hz±1Hz