SiC器件測(cè)試儀/設(shè)備/系統(tǒng)應用優勢，測(cè)試二極管 、IGBT全方位，MOS管高效節能，SIC器件靜態(tài)參數(shù)，并生產(chǎn)器件傳輸曲線和轉(zhuǎn)移曲線大局，測(cè)試1600A新創新即將到來，5000V以下的各種功率器件，廣泛應(yīng)用于器件設(shè)計(jì)有序推進，封裝測(cè)試設施，軌道交通，電動(dòng)汽車 堅定不移，風(fēng)力發(fā)電組合運用，變頻器，焊機(jī)等行業(yè)的IGBT來(lái)料選型和失效分析迎難而上。

SiC器件測(cè)試儀/設(shè)備/系統(tǒng)可用于多種封裝形式的 IGBT測(cè)試積極，還可以測(cè)量大功率二極管 、IGBT模塊堅持先行，大功率 IGBT產業、大功率雙極型晶體管滿意度，MOS管等器件的 V-I 特性測(cè)試，測(cè)試1200A（可擴(kuò)展至2000A）可持續，5000V以下的各種功率器件主要抓手，廣泛應(yīng)用于軌道交通，電動(dòng)汽車 全過程，風(fēng)力發(fā)電集成應用，變頻器，焊機(jī)行業(yè)的IGBT來(lái)料選型和失效分析不負眾望，設(shè)備還可以用于變頻器高效流通，風(fēng)電，軌道交通重要意義，電焊機(jī)等行業(yè)的在線檢修統籌發展，無(wú)需從電路板上取下來(lái)進(jìn)行單獨(dú)測(cè)試，可實(shí)現(xiàn)在線IGBT檢測(cè)體系，測(cè)試方便生產製造，測(cè)試過(guò)程簡(jiǎn)單，既可以在測(cè)試主機(jī)里設(shè)置參數(shù)直接測(cè)試攜手共進，又可以通過(guò)軟件控制主機(jī)編程后進(jìn)行自動(dòng)測(cè)試共同，通過(guò)電腦操作完成 IGBT 的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試；

測(cè)試參數(shù)：

ICES  集電極-發(fā)射極漏電流

IGESF 正向柵極漏電流

IGESR 反向柵極漏電流

BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓

VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓

VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓

ICON 通態(tài)電極電流

VGEON 通態(tài)柵極電壓

VF 二極管正向?qū)▔航?/p>

SiC器件測(cè)試儀/設(shè)備/系統(tǒng)整個(gè)測(cè)試過(guò)程自動(dòng)完成經過，電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫(kù)管理查詢功能簡單化，可生成測(cè)試曲線，方便操作使用

1) 物理規(guī)格

設(shè)備尺寸：500（寬）x 450（深）x 250（高）mm明確了方向；

質(zhì)量：30kg

2) 環(huán)境要求

海拔高度：海拔不超過(guò) 1000m系統性；

儲(chǔ)存環(huán)境：-20℃～50℃；

工作環(huán)境：15℃～40℃單產提升。

相對(duì)濕度：20%RH ~ 85%RH 傳遞；

大氣壓力：86Kpa～ 106Kpa。

防護(hù)：無(wú)較大灰塵勞動精神，腐蝕或爆炸性氣體開展攻關合作，導(dǎo)電粉塵等空氣污染的損害；

3) 水電氣 用電要求：AC220V預下達，±10%的有效手段；

電網(wǎng)頻率：50Hz±1Hz