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STA1200 晶體管動(dòng)態(tài)特性測試系統(tǒng)

參考價(jià) 980000
訂貨量 ≥1臺(tái)
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 公司名稱 陜西天士立科技有限公司
  • 品牌 其他品牌/OtherBrands
  • 型號 STA1200
  • 所在地 西安市
  • 廠商性質(zhì) 生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間 2024/3/18 16:38:12
  • 訪問次數(shù) 145

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體管動(dòng)態(tài)特性測試系統(tǒng)STA1200專注寬禁帶功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)評測,軟件程控意向,測試條件界面化輸入意料之外,系統(tǒng)閉環(huán)處理,自動(dòng)調(diào)節(jié)一鍵測試形式,采用光纖驅(qū)動(dòng)信號通訊系統,響應(yīng)速度快,抗ganrao能力強(qiáng)進一步提升,自動(dòng)加熱可由室溫~200℃,精度±0.1℃

詳細(xì)信息 在線詢價(jià)

晶體管動(dòng)態(tài)特性測試系統(tǒng)STA1200

 

 

陜西天士立科技有限公司

專注半導(dǎo)體檢測·電學(xué)檢測·可靠性檢測·老化實(shí)驗(yàn)

 

晶體管動(dòng)態(tài)特性測試系統(tǒng)STA1200

基礎(chǔ)信息

高壓源:1200V(選配2000V)

高流源:100A(選配200A/300A/500A)

驅(qū)動(dòng)電壓:±20V(選配±30V)

時(shí)間分辨率:1ns(選配400ps/200ps/100ps)

系統(tǒng)雜感:20nH

測試對象:Si(SiC/GaN)IGBT,Diode,MOSFET(選配BJT)

變溫測試:常溫~150℃/200℃

感性負(fù)載:程控電感(0.01~160mH營造一處,步進(jìn)10uH) 

阻性負(fù)載:程控電阻(1Ω,2Ω,5Ω,10Ω,50Ω)備用三個(gè)

測試管型:可以測試N溝道和P溝道的IGBTs,MOSFETs

測試標(biāo)準(zhǔn):IEC60747-9/IEC60747-2改革創新,GB/T29332/GB/T4023

 

陜西天士立科技有限公司

專注半導(dǎo)體檢測·電學(xué)檢測·可靠性檢測·老化實(shí)驗(yàn)

 

晶體管動(dòng)態(tài)特性測試系統(tǒng)STA1200

試驗(yàn)原理舉例

6.1.jpg

 

 

晶體管動(dòng)態(tài)特性測試系統(tǒng)STA1200

技術(shù)特點(diǎn)

1. 專注寬禁帶功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)評測,軟件程控取得顯著成效,測試條件界面化輸入新模式,系統(tǒng)閉環(huán)處理,自動(dòng)調(diào)節(jié)一鍵測試

2. 采用光纖驅(qū)動(dòng)信號通訊不容忽視,響應(yīng)速度快組織了,抗ganrao能力強(qiáng)

3. 自動(dòng)加熱可由室溫~200℃,精度±0.1℃

4. 測試結(jié)果Excel說服力,JPEG波形搶抓機遇,波形任意縮放細(xì)節(jié)展寬分析

5. 測試主功率回路寄生電感Ls<10nH(實(shí)測)

6. 柵極驅(qū)動(dòng)電阻Rg端口開放,按設(shè)定條件匹配電阻

7. DualARM控核表示,DSP數(shù)據(jù)采樣計(jì)算全面闡釋,極大減少控制時(shí)延誤差

 

陜西天士立科技有限公司

專注半導(dǎo)體檢測·電學(xué)檢測·可靠性檢測·老化實(shí)驗(yàn)

 

晶體管動(dòng)態(tài)特性測試系統(tǒng)STA1200

試驗(yàn)?zāi)芰?/span>

標(biāo)配:開通特性測試單元/Turn_ON

標(biāo)配:關(guān)斷特性測試單元/Turn_OFF

標(biāo)配:二極管反向恢復(fù)測試單元/Trr

標(biāo)配:柵電荷測試單元/Qg¨

選配:容阻測


 

試單元/CR¨

選配:短路測試單元/SC¨

選配:雪崩測試單元/UIS¨

選配:安全工作區(qū)單元/SOA¨

選配:動(dòng)態(tài)電阻單元/

 

陜西天士立科技有限公司

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晶體管動(dòng)態(tài)特性測試系統(tǒng)STA1200

參數(shù)指標(biāo)

 

 標(biāo)配(阻性/感性)開關(guān)測試單元 / Turn_ON/OFF

漏極電壓: 5V-1200V, 分辨率 1V

漏極電流: 1A-100A競爭力所在, 分辨率1A引人註目;

柵極驅(qū)動(dòng): ±20V (選配±30V), 分辨率 0.1V

柵極電流: 2A/MAX

脈沖寬度: 1us-500us,步進(jìn) 0.1us

時(shí)間精度: 1ns

感性負(fù)載: 0.01mH-160mH 程序控制發展需要, 步進(jìn) 10uH

阻性負(fù)載: 1Ω攻堅克難、2Ω、5Ω顯示、10Ω雙向互動、50Ω ,  程控, 備用三個(gè)電阻

開關(guān)時(shí)間: ton/toff: 1-10000ns分辨率1ns (選配400/200/100ps)

開關(guān)延遲: td(on)/td(off): 0.1-10000ns@1ns (選配400/200/100ps)

上下時(shí)間/tr/tf: 1-10000ns分辨率1ns (選配400/200/100ps)

開關(guān)損耗/ Eon/Eoff: 1-2000mJ 最小分辨率 1uJ

 

 

 標(biāo)配  柵極電荷單元 / Qg

驅(qū)動(dòng)電流: 0-2mA, 分辨率 0.01mA

2-20mA新品技, 分辨率 0.1mA

20mA-200mA範圍, 分辨率 1mA

柵極電壓: ±20V (選配±30V) @0.1V

恒流源負(fù)載: 1-25A, 分辨率0.1A

25-100A(選配200A/300A)@1A

漏極電壓: 5-100V紮實做, 步進(jìn) 0.1V

100-1200V空間廣闊, 步進(jìn) 1.0V

柵極電荷 Qg: 1nC-100µC

漏極電荷 Qgs: 1nC-100µC

源極電荷 Qgd: 1nC-100µC

平臺(tái)電壓 Vgp: 0~30V, 分辨率 0.1V

 

 標(biāo)配  二極管反向恢復(fù)測試單元 / Qrr_FRD

正向電流: 1A-25A提供深度撮合服務, 分辨率 0.1A

25A-100A (選配200A/300A) 分辨率 1A

反向電壓: 5v-100V服務品質, 步進(jìn) 0.1V

100V-1200V, 步進(jìn) 1.0v

反向恢復(fù)時(shí)間 Trr: 1-10000ns組成部分, 最小分辨率1ns (選配400/200/100ps)

反向恢復(fù)電荷 Qrr: 1nC-100µC影響, 最小分辨率 1nC;

反向恢復(fù)電流 Irm: 1A-100A (選配200A/300A)的過程中;

反向恢復(fù)損耗 Erec: 1-2000mJ發展契機, 最小分辨率 1uJ;

電流下降率 dif/dt: 50-1kA/us促進進步;

電壓變化率 dv/dt: 50-1kV/us發力。

 

¨ 選配  短路特性測試單元/ SC

電流: 1000A/MAX

脈寬: 1us~100us

柵驅(qū)電壓: ±20V (選配±30V) @0.1V

漏極電壓: 5V~100V, 0.1V 分辨率

100V~1200V迎來新的篇章, 1.0V 分辨率

 

¨ 選配  雪崩測試單元 / UIS

雪崩耐量/EAS: 100J

雪崩擊穿電壓/2500V

雪崩電流/IAS: 1.0-400A 分辨率 1.0A

感性負(fù)載/0.01-160mH@10μH共創美好, 程控可調(diào)

 

¨ 選配  容阻測試單元 / CR

掃頻范圍: 0.1MHz~5MHz

漏源極電壓: 1200V, 分辨率 1V

 

¨ 選配  動(dòng)態(tài)電阻Ron,dy

 

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專注半導(dǎo)體檢測·電學(xué)檢測·可靠性檢測·老化實(shí)驗(yàn)

 

晶體管動(dòng)態(tài)特性測試系統(tǒng)STA1200

6.2.jpg

 

 

晶體管動(dòng)態(tài)特性測試系統(tǒng)STA1200

 

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