半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀&能測(cè) IGBT. Mosfet. Diode. BJT......
半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀能測(cè)試很多電子元器件的靜態(tài)直流參數(shù)（如擊穿電壓V(BR)CES/V(BR)DSs取得明顯成效、漏電流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、閾值電壓/VGE(th)數據、開(kāi)啟電壓/VCE(on)、跨導(dǎo)/Gfe/Gfs、壓降/Vf顯著、導(dǎo)通內(nèi)阻Rds(on)）更加堅強。
測(cè)試種類覆蓋 7 大類別26分類，包括“二極管類”“三極管類（如BJT性能、MOSFET初步建立、IGBT）”“保護(hù)類器件”“穩(wěn)壓集成類”“繼電器類”“光耦類”“傳感監(jiān)測(cè)類”等品類的繁多的電子元器件。
高壓源標(biāo)配1400V（選配2KV）供給，高流源標(biāo)配100A（選配40A,200A,500A）
控制極/柵極電壓40V的方法，柵極電流100mA
分辨率至1.5uV / 1.5pA，精度可至0.1%
STD2000半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀適用于半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試還可測(cè)試“結(jié)電容”進行探討，支持“脈沖式一鍵加熱”和“分選機(jī)連接”
陜西天士立科技有限公司
研發(fā)生產(chǎn) 半導(dǎo)體檢測(cè)·電學(xué)檢測(cè)·可靠性檢測(cè)·老化實(shí)驗(yàn) 各類儀器設(shè)備
一：規(guī)格&環(huán)境
1.1落到實處、產(chǎn)品信息
產(chǎn)品型號(hào)：STD2000
產(chǎn)品名稱：半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀
1.2、物理規(guī)格
主機(jī)尺寸：深660*寬430*高210(mm)
主機(jī)重量：＜35kg
1.3最新、電氣環(huán)境
主機(jī)功耗：＜300W
海拔高度：海拔不超過(guò) 4000m技術創新；
環(huán)境要求：-20℃～60℃（儲(chǔ)存）、5℃～50℃（工作）重要作用；
相對(duì)濕度： 20%RH～75%RH (無(wú)凝露持續向好，濕球溫度計(jì)溫度 45℃以下)；
大氣壓力：86Kpa～106Kpa充足；
防護(hù)條件：無(wú)較大灰塵進展情況，腐蝕或爆炸性氣體，導(dǎo)電粉塵等綠色化發展；
電網(wǎng)要求：AC220V至關重要、±10%、50Hz±1Hz左右；
工作時(shí)間：連續(xù)背景下；
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第二部分：應(yīng)用場(chǎng)景和產(chǎn)品特點(diǎn)
一、應(yīng)用場(chǎng)景
1可靠保障、測(cè)試分析（功率器件研發(fā)設(shè)計(jì)階段的初始測(cè)試自然條件，主要功能為曲線追蹤儀）
2、失效分析（對(duì)失效器件進(jìn)行測(cè)試分析開展，查找失效機(jī)理互動互補。以便于對(duì)電子整機(jī)的整體設(shè)計(jì)和使用過(guò)程提出改善方案）
3、選型配對(duì)（在器件焊接至電路板之前進(jìn)行全部測(cè)試意向，將測(cè)試數(shù)據(jù)比較一致的器件進(jìn)行分類配對(duì)）
4意料之外、來(lái)料檢驗(yàn)（研究所及電子廠的質(zhì)量部（IQC）對(duì)入廠器件進(jìn)行抽檢/全檢，把控器件的良品率）
5發展空間、量產(chǎn)測(cè)試（可連接機(jī)械手效果、掃碼槍有所應、分選機(jī)等各類輔助機(jī)械設(shè)備，實(shí)現(xiàn)規(guī)暮献麝P系；μ嵘?、自動(dòng)化測(cè)試）
6、替代進(jìn)口（STD2000IV半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)可替代同級(jí)別進(jìn)口產(chǎn)品）
二傳遞、產(chǎn)品特點(diǎn)
1融合、程控高壓源10~1400V，提供2000V選配相關性；
2完成的事情、程控高流源1uA~100A，提供40A,200A,500A選配穩定；
3改造層面、驅(qū)動(dòng)電壓10mV~40V
4、控制極電流10uA~100mA效高化；
5新體系、16位ADC，1M/S采樣速率創造；
6不難發現、自動(dòng)識(shí)別器件極性 NPN/PNP
7、曲線追蹤儀設備製造，四線開(kāi)爾文連接保證加載測(cè)量的準(zhǔn)確
8發展需要、通過(guò) RS232 接口連接校準(zhǔn)數(shù)字表，對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行校驗(yàn)
9管理、不同的封裝形式提供對(duì)應(yīng)的夾具和適配器（如TO220顯示、SOP-8、DIP效率和安、SOT-23等等）
10設計能力、半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)能測(cè)很多電子元器件（如二極管、三極管深入開展、MOSFET更為一致、IGBT、可控硅技術的開發、光耦研究與應用、繼電器等等）；
11不斷發展、半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)能實(shí)現(xiàn)曲線追蹤儀（如擊穿電壓V(BR)CES/V(BR)DSs積極影響、漏電流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、閾值電壓/VGE(th)緊密協作、開(kāi)啟電壓/VCE(on)越來越重要、跨導(dǎo)/Gfe/Gfs線上線下、壓降/Vf、導(dǎo)通內(nèi)阻Rds(on) ）
12像一棵樹、結(jié)電容參數(shù)也可以測(cè)試過程中，諸如Cka，Ciss能運用，Crss，Coss智能設備；
13不可缺少、脈沖電流自動(dòng)加熱功能，方便高溫測(cè)試特點，無(wú)需外掛升溫裝置積極回應；
14、Prober 接口又進了一步、Handler 接口可選（16Bin）多種場景，連接分選機(jī)效率1h/9000個(gè)；
15規劃、半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)在各大電子廠的IQC擴大公共數據、實(shí)驗(yàn)室有著廣泛的應(yīng)用；
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第三部分：產(chǎn)品介紹
3.1帶動擴大、產(chǎn)品介紹
STD2000半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng) 是由我公司技術(shù)團(tuán)隊(duì)結(jié)合IV半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)的多年經(jīng)驗(yàn)核心技術體系，以及眾多國(guó)內(nèi)外測(cè)試系統(tǒng)產(chǎn)品的熟悉了解后，自主開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)的全新一代“IV半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)”持續發展。軟件及硬件均由團(tuán)隊(duì)自主完成必然趨勢。這就決定了這款產(chǎn)品的功能性和可靠性能夠得到持續(xù)完善和不斷的提升。
半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)脈沖信號(hào)源輸出方面擴大，高壓源標(biāo)配1400V（選配2KV）多樣性，高流源標(biāo)配100A（選配40A,200A,500A）柵極電壓40V，柵極電流100mA新格局，分辨率至1uV / 1.5pA明顯，精度可至0.1%。程控軟件基于Lab VIEW平臺(tái)編寫十分落實，填充式菜單界面倍增效應。采用帶有開(kāi)爾文感應(yīng)結(jié)構(gòu)的測(cè)試插座，自動(dòng)補(bǔ)償由于系統(tǒng)內(nèi)部及測(cè)試電纜長(zhǎng)度引起的任何壓降製造業，保證測(cè)試結(jié)果準(zhǔn)確可靠優化服務策略。產(chǎn)品可測(cè)試 Si, SiC, GaN 材料的 IGBTs, DIODEs, MOSFETs, BJTs, SCRs 等7大類26分類的電子元器件。涵蓋電子產(chǎn)品中幾乎所有的常見(jiàn)器件發展基礎。無(wú)論電壓電流源還是功能配置都有著擴(kuò)展性兩個角度入手。
產(chǎn)品為桌面放置的臺(tái)式機(jī)結(jié)構(gòu)建強保護，由測(cè)試主機(jī)和程控電腦兩大部分組成。外掛各類夾具和適配器生產效率，還能夠通過(guò)Prober 接口使命責任、Handler 接口可選（16Bin）連接分選機(jī)和機(jī)械手建立工作站，實(shí)現(xiàn)快速批量化測(cè)試使用。通過(guò)軟件設(shè)置可依照被測(cè)器件的參數(shù)等級(jí)進(jìn)行自動(dòng)分類存放合規意識。能夠應(yīng)對(duì)“來(lái)料檢驗(yàn)”“失效分析”“選型配對(duì)”“量產(chǎn)測(cè)試”等不同場(chǎng)景。
半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)產(chǎn)品的可靠性和測(cè)試數(shù)據(jù)的重復(fù)性以及測(cè)試效率都有著非常優(yōu)秀的表現(xiàn)有效性。創(chuàng)新的“點(diǎn)控式夾具”讓操作人員在夾具上實(shí)現(xiàn)一點(diǎn)即測(cè)創新內容。操作更簡(jiǎn)單效率更高。測(cè)試數(shù)據(jù)可保存為EXCEL文本廣泛關註，方便快捷的完成曲線追蹤儀善於監督。
3.2、人機(jī)界面（STD2000IV半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)）
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第四部分：功能配置
4.1就能壓製、配置選項(xiàng)
STD2000半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)的功能配置如下
4.2更合理、適配器選型
STD2000半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)的適配器有如下
4.3、測(cè)試種類及參數(shù)
STD2000半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)的測(cè)試種類和參數(shù)如下
(1)二極管類：二極管 Diode
Kelvin更優美，Vrrm各方面，Irrm，Vf合作關系，△Vf著力提升，△Vrrm，Cka傳遞，Tr（選配）融合；
(2)二極管類：穩(wěn)壓二極管 ZD（Zener Diode）
Kelvin，Vz規模最大，lr穩中求進，Vf，△Vf最深厚的底氣，△Vz協同控製，Roz，lzm品質，Cka利用好；
(3)二極管類：穩(wěn)壓二極管 ZD（Zener Diode）
Kelvin、Vz解決問題、lr系列、Vf、△Vf相互配合、△Vz慢體驗、Roz著力增加、lzm、Cka科技實力；
(4)二極管類：三端肖特基二極管SBD（SchottkyBarrierDiode）
Kelvin 處理、Type_ident 、Pin_test 在此基礎上、Vrrm助力各行、Irrm、Vf自主研發、△Vf應用、V_Vrrm、I_Irrm品率、△Vrrm、Cka不斷發展、Tr（選配）積極影響；
(5)二極管類：瞬態(tài)二極管 TVS
Kelvin 、Vrrm 緊密協作、Irrm越來越重要、Vf、△Vf發揮重要作用、△Vrrm 醒悟、Cka ；
(6)二極管類：整流橋堆
Kelvin 發展目標奮鬥、Vrrm技術先進、Irrm、Ir_ac延伸、Vf認為、△Vf、△Vrrm 新趨勢、Cka反應能力；
(7)二極管類：三相整流橋堆
Kelvin 、Vrrm 學習、Irrm結構重塑、Ir_ac、Vf應用優勢、△Vf高質量發展、△Vrrm、Cka全面展示；
(8)三極管類：三極管
Kelvin 重要平臺、Type_ident深刻認識、Pin_chk 、V(br)cbo 應用提升、V(br)ceo 主動性、V(br)ebo 、Icbo發展的關鍵、lceo道路、Iebo、Hfe真諦所在、Vce(sat)指導、Vbe(sat)、△Vsat充分、△Bvceo 進一步完善、△Bvcbo 、Vbe競爭力、lcm調整推進、Vsd 、Ccbo 機製性梗阻、Cces不斷創新、Heater、Tr （選配）提供了遵循、Ts（選配）參與水平、Value_process應用擴展；
(9) 三極管類：雙向可控硅
Kelvin各方面、Type_ident管理、Qs_chk引領、Pin_test左右、Igt處理、Vgt影響力範圍、Vtm規模、Vdrm創新科技、Vrrm服務延伸、Vdrm rrm、Irrm具有重要意義、 Idrm進一步、Irrm_drm、Ih強大的功能、IL實際需求、C_vtm、△Vdrm、△Vrrm善謀新篇、△Vtm增產；
(10)三極管類：?jiǎn)蜗蚩煽毓?/span>
Kelvin、 Type_ident方法、 Qs_chk行動力、 Pin test、 lgt切實把製度、 Vgt保供、 Vtm、 Vdrm Vrrm進行部署、 IH責任、IL、△Vdrm△Vrrm保護好、Vtm組建；
(11)三極管類：MOSFET
Kelvin 、Type_ident運行好、Pin_test預下達、VGS(th) 、V(BR)Dss 統籌推進、Rds(on) 、Bvds_rz關鍵技術、△Bvds了解情況、Gfs、Igss技術研究、ldss 重要的、Idss zero 、Vds(on)姿勢、 Vsd相互融合、Ciss、Coss綠色化、Crss不同需求、Bvgs 、ld_lim 保持穩定、Heater總之、Value_proces、△Rds(on) 支撐作用；
(12)三極管類：雙MOSFET
Kelvin研學體驗、 Pin_chk、Ic_fx_chk、 Type_ident落實落細、 Vgs1(th)相結合、 VGs2(th)、 VBR)Dss1製高點項目、 VBR)Dss2為產業發展、 Rds1(on)、 Rds2(on)認為、 Bvds1 rz服務好、 Bvds2_rz、 Gfs1反應能力、Gfs2共謀發展、lgss1、lgss2奮戰不懈、Idss1市場開拓、Idss2、Vsd1大大縮短、Vsd2要落實好、Ciss、Coss更默契了、Crss先進技術；
(13)三極管類：JFET
Kelvin、VGS(off )不合理波動、V(BR)Dss宣講手段、Rds(on)、Bvds_rz積極拓展新的領域、Gfs配套設備、lgss、 Idss(off)相對開放、 Idss(on)推進高水平、 vds(on)、 Vsd拓展應用、Ciss生產創效、Crss、Coss管理；
(14)三極管類：IGBT
Kelvin橫向協同、VGE(th)、V(BR)CES敢於挑戰、Vce(on)不斷創新、Gfe建立和完善、lges、 lces參與水平、Vf大型、Ciss、Coss明確相關要求、Crss重要意義；
(15)三極管類：三端開(kāi)關(guān)功率驅(qū)動(dòng)器
Kelvin、Vbb(AZ)深化涉外、 Von(CL)追求卓越、 Rson、Ibb(off)參與能力、Il(lim)合理需求、Coss、Fun_pin_volt充分發揮；
(16)三極管類：七端半橋驅(qū)動(dòng)器
Kelvin高質量、lvs(off)、lvs(on)選擇適用、Rson_h管理、Rson_l、lin業務指導、Iinh改進措施、ls_Volt、Sr_volt長足發展；
(17)三極管類：高邊功率開(kāi)關(guān)
Kelvin高產、Vbb(AZ)、Von(CL)發揮作用、Rson、Ibb(off)逐步顯現、ll(Iim)銘記囑托、Coss、Fun_pin_volt自動化裝置；
(18)保護(hù)類：壓敏電阻
Kelvin示範、Vrrm、 Vdrm有很大提升空間、Irrm運行好、Idrm、Cka可能性更大、 △Vr ;
(19)保護(hù)類：?jiǎn)谓M電壓保護(hù)器
Kelvin 部署安排、Vrrm、Vdrm、Irrm推廣開來、Idrm推動、Cka、△Vr資源配置；
(20)保護(hù)類：雙組電壓保護(hù)器
Kelvin即將展開、Vrrm、Vdrm特性、Irrm傳承、Idrm、Cka建言直達、△Vr多種；
(21)穩(wěn)壓集成類：三端穩(wěn)壓器
Kelvin 、Type_ident 支撐作用、Treg_ix_chk 日漸深入、Vout 、Reg_Line同時、Reg_Load互動式宣講、IB、IB_I模式、Roz自動化、△IB、VD高品質、ISC不折不扣、Max_lo、Ro資源優勢、Ext _Sw高效利用、Ic_fx_chk；
(22)穩(wěn)壓集成類：基準(zhǔn)IC（TL431）
Kelvin估算、Vref講理論、△Vref、lref不要畏懼、Imin服務為一體、loff、Zka逐漸顯現、Vka全會精神；
(23)穩(wěn)壓集成類：四端穩(wěn)壓
Kelvin、Type_ident拓展基地、Treg_ix_chk集中展示、Vout實力增強、Reg_Line、Reg_Load搶抓機遇、IB分析、IB_I、Roz全面闡釋、△lB非常激烈、VD、Isc引人註目、Max_lo領域、Ro、Ext_Sw好宣講、Ic_fx_chk註入新的動力；
(24)穩(wěn)壓集成類：開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓集成器
選配；
(25)繼電器類：4腳單刀單組、5腳單刀雙組雙重提升、8腳雙組雙刀、8腳雙組四刀事關全面、固態(tài)繼電器
Kelvin表現明顯更佳、Pin_chk、Dip6_type_ident技術節能、Vf指導、Ir、Vl國際要求、Il流動性、Ift、Ron競爭激烈、Ton（選配）持續創新、Toff（選配）；
(26)光耦類：4腳光耦空白區、6腳光耦協調機製、8腳光耦、16腳光耦
Kelvin充分發揮、Pin_chk、Vf充分發揮、Ir選擇適用、Bvceo、Bveco推動並實現、Iceo薄弱點、Ctr覆蓋範圍、Vce(sat)、Tr積極性、Tf奮勇向前；
(27)傳感監(jiān)測(cè)類：
電流傳感器（ACS712XX系列、CSNR_15XX系列）（選配）實施體系；
霍爾器件（MT44XX系列組建、A12XX系列）（選配）；
電壓監(jiān)控器（選配）效果較好；
電壓復(fù)位IC（選配）重要的意義；
曲線追蹤儀
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第五部分：性能指標(biāo)
STD2000半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)的性能指標(biāo)如下
5.1、電流/電壓源（VIS）自帶VI測(cè)量單元
（1）加壓(FV)
量程±40V分辨率625uV精度±0.1% 設(shè)定值±3mV
量程±20V分辨率320uV精度±0.1% 設(shè)定值±3mV
量程±10V分辨率160uV精度±0.1% 設(shè)定值±3mV
量程±5V分辨率80uV精度±0.1% 設(shè)定值±2mV
量程±2V分辨率32uV精度±0.1% 設(shè)定值±2mV
（2）加流(FI)
量程±40A 分辨率625uA精度±0.5% 設(shè)定值±30mA
量程±4A 分辨率62.5uA精度±0.2% 設(shè)定值±2mA
量程±400mA分辨率6.25uA精度±0.1% 設(shè)定值±500uA
量程±40mA分辨率625nA精度±0.1% 設(shè)定值±50uA
量程±4mA分辨率62.5nA精度±0.1% 設(shè)定值±5uA
量程±400uA分辨率6.25nA精度±0.1% 設(shè)定值±500nA
量程±40uA分辨率625pA精度±0.1% 設(shè)定值±50nA
量程±4uA分辨率62.5pA精度±0.1% 設(shè)定值±5nA
說(shuō)明：電流大于1.5A自動(dòng)轉(zhuǎn)為脈沖方式輸出等多個領域，脈寬范圍：300us-1000us可調(diào)
（3）電流測(cè)量(MI)
量程±40A分辨率1.22mA精度±1% 讀數(shù)值±20mA
量程±4A分辨率122uA精度±0.5% 讀數(shù)值±2mA
量程±400mA分辨率12.2uA精度±0.5% 讀數(shù)值±200uA
量程±40mA分辨率1.22uA精度±0.5% 讀數(shù)值±20uA
量程±4mA分辨率122nA精度±0.5% 讀數(shù)值±2uA
量程±400uA分辨率12.2nA精度±0.5% 讀數(shù)值±200nA
量程±40uA分辨率1.22nA精度±1% 讀數(shù)值±20nA
（4）電壓測(cè)量(MV)
量程±40V分辨率1.22mV精度±1% 讀數(shù)值±20mV
量程±20V分辨率122uV 精度±0.5% 讀數(shù)值±2mV
量程±10V分辨率12.2uV 精度±0.5% 讀數(shù)值±200uV
量程±5V分辨率1.22uV 精度±0.5% 讀數(shù)值±20uV
5.2再獲、數(shù)據(jù)采集部分（VM）
16位ADC，1M/S采樣速率
（1）電壓測(cè)量(MV)
量程±2000V分辨率30.5mV精度±0.5%讀數(shù)值±200mV
量程±1000V分辨率15.3mV精度±0.2%讀數(shù)值±20mV
量程±100V分辨率1.53mV精度±0.1%讀數(shù)值±10mV
量程±10V分辨率153uV精度±0.1%讀數(shù)值±5mV
量程±1V分辨率15.3uV精度±0.1%讀數(shù)值±2mV
量程±0.1V分辨率1.53uV精度±0.2%讀數(shù)值±2mV
（2）漏電流測(cè)量(MI)
量程±100mA分辨率1.53uA精度±0.2%讀數(shù)值±100uA
量程±10mA分辨率153nA精度±0.1%讀數(shù)值±3uA
量程±1mA分辨率15.3nA精度±0.1%讀數(shù)值±300nA
量程±100uA分辨率1.53nA精度±0.1%讀數(shù)值±100nA
量程±10uA分辨率153pA精度±0.1%讀數(shù)值±20nA
量程±1uA 分辨率15.3pA精度±0.5%讀數(shù)值±5nA
量程±100nA分辨率1.53pA精度±0.5%讀數(shù)值±0.5nA
（3）電容容量測(cè)量(MC)
量程6nF分辨率10PF精度±5%讀數(shù)值±50PF
量程60nF分辨率100PF精度±5%讀數(shù)值±100PF
5.3應用擴展、高壓源（HVS）(基本)12位DAC
（1）加壓(FV)
量程2000V/10mA分辨率30.5mV精度±0.5%設(shè)定值±500mV
量程200V/10mA分辨率30.5mV精度±0.2%設(shè)定值±50mV
量程40V/50mA分辨率30.5mV精度±0.1%設(shè)定值±5mV
（2）加流(FI)：
量程10mA分辨率3.81uA 精度±0.5%設(shè)定值±10uA
量程2mA分辨率381nA精度±0.5%設(shè)定值±2uA
量程200uA分辨率38.1nA精度±0.5%設(shè)定值±200nA
量程20uA分辨率3.81nA精度±0.5%設(shè)定值±20nA
量程2uA分辨率381pA精度±0.5%設(shè)定值±20nA
STD2000半導(dǎo)體參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)能測(cè)很多電子元器件（如二極管體驗區、三極管、MOSFET活動上、IGBT有望、可控硅、光耦生產能力、繼電器等等）產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用在院所高校標準、封測(cè)廠、電子廠.....
