普賽斯功率器件靜態(tài)測(cè)試設(shè)備充分發揮，集多種測(cè)量和分析功能一體提高，可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類(lèi)型功率器件（如MOSFET、BJT的特性、IGBT以及SiC交流、GaN第三代半導(dǎo)體等）的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性提供堅實支撐、μΩ級(jí)J確測(cè)量還不大、納安級(jí)電流測(cè)量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容信息化技術，如輸入電容發揮作用、輸出電容、反向傳輸電容等逐步顯現。
普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)配置有多種測(cè)量單元模塊銘記囑托，模塊化的設(shè)計(jì)測(cè)試方法靈活，方便用戶(hù)添加或升級(jí)測(cè)量模塊自動化裝置，適應(yīng)測(cè)量功率器件不斷變化的需求示範。更多有關(guān)功率半導(dǎo)體行業(yè)測(cè)試設(shè)備的詳情認(rèn)準(zhǔn)“普賽斯儀表”官&網(wǎng)
測(cè)試系統(tǒng)組成
普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，主要包括測(cè)試主機(jī)有很大提升空間、測(cè)試線運行好、測(cè)試夾具、電腦可能性更大、上位機(jī)軟件部署安排，以及相關(guān)通訊、測(cè)試配件等構(gòu)成共享應用。整套系統(tǒng)采用普賽斯自主開(kāi)發(fā)的測(cè)試主機(jī)生產能力，內(nèi)置多種規(guī)格電壓標準、電流、電容測(cè)量單元模塊堅持好。結(jié)合專(zhuān)用上位機(jī)測(cè)試軟件大面積，可根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目需要，設(shè)置不同的電壓問題分析、電流等參數(shù)，以滿(mǎn)足不同測(cè)試需求交流研討。測(cè)試數(shù)據(jù)可保存與導(dǎo)出更加完善，并可生成I-V以及C-V特性曲線。此外建設應用，測(cè)試主機(jī)可與探針臺(tái)搭配使用支撐作用，實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)芯片測(cè)試；也可與高低溫箱動力、溫控模塊等搭配使用同時，滿(mǎn)足高低溫測(cè)試需求。
測(cè)試主機(jī)內(nèi)部采用的電壓效高性、電流測(cè)量單元模式，均采用多量程設(shè)計(jì)，測(cè)試精度為0.1%提升。其中高品質，柵極-發(fā)射極，Z大支持30V@10A脈沖電流輸出與測(cè)試支撐能力，可測(cè)試低至皮安級(jí)漏電流資源優勢；集電極-發(fā)射極，Z大支持6000A高速脈沖電流特征更加明顯，典型上升時(shí)間為15μs估算，且具備電壓高速同步采樣功能；Z高支持3500V電壓輸出的可能性，且自帶漏電流測(cè)量功能不要畏懼。電容特性測(cè)試，包括輸入電容問題，輸出電容大大縮短，以及反向傳輸電容測(cè)試，頻率Z高支持1MHz實現。
系統(tǒng)特點(diǎn)
高電壓：支持高達(dá)3.5KV高電壓測(cè)試（Z大擴(kuò)展至10kV）不容忽視；
大電流：支持高達(dá)6KA大電流測(cè)試（多模塊并聯(lián)）；
高精度：支持uΩ級(jí)導(dǎo)通電阻服務體系、納安級(jí)漏電流測(cè)試說服力；
豐富模板：內(nèi)置豐富的測(cè)試模板搶抓機遇，方便用戶(hù)快速配置測(cè)試參數(shù)；
配置導(dǎo)出：支持一鍵導(dǎo)出參數(shù)配置及一鍵啟動(dòng)測(cè)試功能表示；
數(shù)據(jù)預(yù)覽及導(dǎo)出：支持圖形界面以及表格展示測(cè)試結(jié)果全面闡釋，亦可一鍵導(dǎo)出；
模塊化設(shè)計(jì)：內(nèi)部采用模塊化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)競爭力所在，可自由配置引人註目，方便維護(hù)；
可拓展：支持拓展溫控功能溝通機製，方便監(jiān)控系統(tǒng)運(yùn)行溫度好宣講；
可定制開(kāi)發(fā)：可根據(jù)用戶(hù)測(cè)試場(chǎng)景定制化開(kāi)發(fā)；
系統(tǒng)參數(shù)
測(cè)試項(xiàng)目
集電極-發(fā)射極電壓Vces領先水平，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發(fā)射極電壓Vges戰略布局、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容事關全面、輸出電容、反向傳輸電容
續(xù)流二極管壓降Vf
I-V特性曲線掃描狀態，C-V特性曲線掃描等
測(cè)試夾具
針對(duì)市面上不同封裝類(lèi)型的硅基功率半導(dǎo)體技術節能，IGBT、SiC廣泛認同、MOS聯動、GaN等產(chǎn)品，普賽斯提供
整套測(cè)試夾具解決方案共同努力，可用于T0單管行業內卷，半橋模組等產(chǎn)品的測(cè)試。
武漢普賽斯儀表有限公司逐漸完善，是一家專(zhuān)注于半導(dǎo)體的電性能測(cè)試儀表的開(kāi)發(fā)參與能力、生產(chǎn)與銷(xiāo)售的研發(fā)型G新技術(shù)企業(yè)。公司以源表為核心產(chǎn)品是目前主流，專(zhuān)注于第三代半導(dǎo)體測(cè)試促進進步，提供從材料、晶圓優勢領先、器件的全系列解決方案迎來新的篇章。未來(lái)，普賽斯儀表基于國(guó)產(chǎn)化高精度數(shù)字源表（SMU）的測(cè)試方案推動並實現，以更優(yōu)的測(cè)試能力薄弱點、更準(zhǔn)確的測(cè)量結(jié)果、更高的可靠性與更全面的測(cè)試能力，聯(lián)合更多行業(yè)客戶(hù)積極性，共同助力我國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)高可靠高質(zhì)量發(fā)展奮勇向前。更多有關(guān)功率半導(dǎo)體行業(yè)測(cè)試設(shè)備詳情找普賽斯儀表專(zhuān)員為您解答
