產(chǎn)品概覽 / Outline

技術(shù)*性 / Superiority
的Vtech技術(shù)融合了Vspace冷自由空間控制技術(shù)搶抓機遇、Vlevel液氮面控制技術(shù)、Vstable穩(wěn)定測(cè)試技術(shù)表示、Vctrl防抽飛控制技術(shù)全面闡釋,使得TB系列產(chǎn)品的測(cè)試效率更高,測(cè)試結(jié)果更重復(fù)競爭力所在、更穩(wěn)定引人註目,更能滿足大孔材料的測(cè)試需求。
Vctrl防抽飛控制技術(shù)采用的Vctrl防抽飛控制技術(shù)溝通機製,軟硬件結(jié)合控制防止樣品被抽飛的同時(shí)好宣講,保證測(cè)試效率,避免測(cè)試過程中因樣品抽飛導(dǎo)致的儀器氣路污染領先水平,保護(hù)儀器運(yùn)行安全。
Vspace
Vspace冷自由空間控制技術(shù)采用的Vspace技術(shù)確保測(cè)試過程中整個(gè)系統(tǒng)的冷自由空間不發(fā)生變化,保證分析結(jié)果的準(zhǔn)確性戰略布局、重復(fù)性和穩(wěn)定性事關全面。
Vctrl
Vtech
Vlevel
Vstable穩(wěn)定測(cè)試技術(shù)采用的Vstable控制技術(shù)保證測(cè)試的穩(wěn)定性和準(zhǔn)確性,使白炭黑狀態、氧化鋁等大孔材料的分析準(zhǔn)確性更高技術節能、重復(fù)性和穩(wěn)定性更好,真正實(shí)現(xiàn)50nm以上材料的孔徑分析研究與應用。保護(hù)儀器運(yùn)行安全飛躍。
Vstable
Vlevel液氮面控制技術(shù)自主研發(fā)的大容量玻璃杜瓦瓶,與普通玻璃杜瓦瓶吹氣工藝不同全面協議,采用自主研發(fā)工藝制成重要部署,由特殊材料制備,克服了吹氣導(dǎo)致薄厚不均勻產(chǎn)生應(yīng)力的缺陷工具,不易碎智慧與合力,使用安全發展契機,且能長(zhǎng)時(shí)間保證較高真空度,使用壽命長(zhǎng)促進進步。
產(chǎn)品特點(diǎn) / Features
測(cè)試效率高可同時(shí)進(jìn)行最多四個(gè)樣品分析,采用的Vtech控制技術(shù)優勢領先,使BET比表面積測(cè)試效率**達(dá)20min/樣迎來新的篇章,滿足生產(chǎn)、科研等領(lǐng)域中對(duì)測(cè)試量需求比較大的客戶的使用要求推動並實現。
安全防護(hù)機(jī)制為保證用戶的使用安全薄弱點,
(1) 開發(fā)出獨(dú)立運(yùn)行的安全保護(hù)軟件,可遠(yuǎn)程監(jiān)控儀器的運(yùn)行狀況優化程度,當(dāng)儀器出現(xiàn)壓力異常等危險(xiǎn)時(shí)積極性,自動(dòng)控制儀器,解除產(chǎn)生危險(xiǎn)的異常狀況不斷豐富,保護(hù)儀器和操作人員的安全實施體系。
(2) 增加杜瓦瓶保護(hù)罩,防止儀器運(yùn)行過程中液氮等低溫液體外濺產(chǎn)生危險(xiǎn)各有優勢。
實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)P0配置獨(dú)立的P0傳感器效果較好,實(shí)現(xiàn)測(cè)試過程中實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)p0,消除環(huán)境溫度和大氣壓對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果產(chǎn)生的影響持續。
運(yùn)行狀態(tài)直觀顯示儀器前面板上配置狀態(tài)顯示系統(tǒng)等多個領域,顯示儀器的工作原理圖,每個(gè)閥位增加LED燈指示電磁閥的通斷產品和服務,在實(shí)驗(yàn)過程中可直觀判斷儀器的運(yùn)行過程應用擴展。
可集聯(lián)與遠(yuǎn)程訪問儀器通訊接口為L(zhǎng)AN口,可實(shí)現(xiàn)一臺(tái)電腦作為上位機(jī)集聯(lián)控制增多,可遠(yuǎn)程訪問和控制該上位機(jī)電腦發揮效力。
獨(dú)立真空脫氣系統(tǒng)標(biāo)配獨(dú)立的真空脫氣系統(tǒng),可程序升溫控制樣品的預(yù)處理過程明顯,對(duì)樣品的預(yù)處理更智能靈活服務水平,更方便,同時(shí)減少原位脫氣占據(jù)分析位的時(shí)間技術創新,顯著提高測(cè)試效率處理方法。
低溫冷浴系統(tǒng)用戶可選配低溫冷浴系統(tǒng),Sync軟件具有兼容低溫冷浴的設(shè)置持續向好,方便用戶測(cè)試不同溫度下的吸附等溫線習慣。
多路進(jìn)氣用戶可選配多路進(jìn)氣選件,方便用戶進(jìn)行多種吸附氣體的自由切換進展情況。
控制分析軟件 / Software
全新開發(fā)的Sync控制軟件在Windows平臺(tái)上實(shí)現(xiàn)操作控制的積極性、數(shù)據(jù)采集綠色化發展、計(jì)算分析和報(bào)告預(yù)覽的智能化軟件,具有的實(shí)驗(yàn)監(jiān)測(cè)功能不久前。
實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)
壓力平衡采用的吸附平衡壓力智能判斷與控制法用上了,在保證充分吸附平衡的條件下,測(cè)試效率遠(yuǎn)高于定點(diǎn)法能力建設。
軟件有獨(dú)立的界面實(shí)時(shí)顯示每個(gè)樣品的吸附平衡過程關註,可實(shí)時(shí)了解樣品的吸附特性,幫助分析樣品吸附過程中產(chǎn)生的漏氣無障礙、預(yù)處理不干凈等異尺B日來,F(xiàn)象,監(jiān)控實(shí)驗(yàn)過程中儀器的運(yùn)行狀況認為。

吸附等溫線軟件有獨(dú)立的界面實(shí)時(shí)顯示每個(gè)樣品的吸附等溫線系統,可實(shí)時(shí)查看實(shí)驗(yàn)進(jìn)度和吸附結(jié)果,幫助判斷是否出現(xiàn)漏氣重要意義、冷自由空間變化等實(shí)驗(yàn)異辰涣鞯?,F(xiàn)象。
手動(dòng)控制區(qū)別于其他的手動(dòng)開關(guān)閥門控制規劃,Sync軟件提供一系列組合式自動(dòng)控制流程數字化,方便用戶進(jìn)行多種目的的手動(dòng)操作,大大降低手動(dòng)操作產(chǎn)生故障的概率基礎上。
用戶在測(cè)試過程中可直觀觀察儀器內(nèi)部各部位壓力變化和閥門狀態(tài)各領域,便于用戶了解測(cè)試過程,同時(shí)便于工程師遠(yuǎn)程診斷與維護(hù)融合。
長(zhǎng)時(shí)間實(shí)驗(yàn)后深入闡釋,軟件提供加液氮的自動(dòng)流程,用戶可根據(jù)提示安全添加液氮完成的事情,期間測(cè)試過程自動(dòng)暫停和恢復(fù)物聯與互聯,無需人為判斷,自動(dòng)化程度高改造層面。

儀器控制過程實(shí)時(shí)記錄儲(chǔ)存Message窗口可切換顯示供給,實(shí)時(shí)記錄儀器實(shí)驗(yàn)控制過程和軟件手動(dòng)操作信息,方便工程師對(duì)異常數(shù)據(jù)的分析和遠(yuǎn)程診斷經驗分享。
數(shù)據(jù)分析完整的物理吸附計(jì)算模型供靈活選擇解決方案,包括:
-等溫吸脫附曲線;
-BET比表面積(單點(diǎn)有力扭轉、多點(diǎn))上高質量;
-Langmuir表面積;
-外表面積(STSA)廣度和深度;
-BJH孔徑分析深入交流;
-t-plot分析引領作用;
-DR、DA臺上與臺下、MP方法用的舒心;
-HK孔徑分析;
-SF孔徑分析集聚效應;
-NLDFT孔徑分布集成;
-最可幾孔徑、平均孔徑等形式、總孔體積;
-吸附曲線研究與應用、吸附熱計(jì)算飛躍,等等;
典型分析實(shí)例
BET比表面積重復(fù)性<1%




性能參數(shù) / Specification
型號(hào)TB系列
測(cè)試原理靜態(tài)容量法氣體吸附
吸附質(zhì)氣體N2全面協議、Ar重要部署、Kr、H2工具、O2智慧與合力、CO2、CO醒悟、NH3數據顯示、CH4等非腐蝕性氣體
分析口1-4個(gè)樣品同時(shí)測(cè)試
壓力傳感器1000torr
相對(duì)壓力P/P0范圍10 -5 -0.998
比表面積范圍>0.0005 m 2 /g; 標(biāo)準(zhǔn)樣品測(cè)試重復(fù)性(相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差)≤1.0%
孔徑范圍0.35nm-500nm也逐步提升; 實(shí)現(xiàn)介孔和大孔的精確分析,孔徑重復(fù)性(標(biāo)準(zhǔn)偏差) ≤0.2nm
孔體積范圍>0.0001 cm 3 /g
脫氣站標(biāo)配外置式4站真空加熱脫氣機(jī)
脫氣溫度室溫—400℃記得牢,控制精度1℃
真空泵雙級(jí)旋片式機(jī)械真空泵,極限真空6.7*10 -2 Pa
主機(jī)規(guī)格長(zhǎng)510mm×寬530mm×高930mm重要的作用,重量約40 Kg
環(huán)境溫度要求15-35℃
環(huán)境濕度要求20%-80%更多可能性,不發(fā)生冷凝的環(huán)境濕度
電源要求100-240VAC,50/60HZ足夠的實力,**功率300W
推薦應(yīng)用領(lǐng)域電池正負(fù)極材料緊迫性,淀粉等藥物輔料,炭黑更適合、白炭黑高效、鈦白粉等多孔粉體,氧化鋁要素配置改革、分子篩等催化材料深度,
活性炭、沸石等吸附材料核心技術體系。