Hiden TOF-qSIMS 飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜工作站設(shè)計(jì)用于多種材料的表面分析和深度剖析應(yīng)用，包括聚合物技術交流，藥物先進的解決方案，超導(dǎo)體，半導(dǎo)體資源配置，合金信息，光學(xué)和功能涂層以及電介質(zhì)，檢測限低于1ppm大力發展。
TOF-qSIMS Workstation 包含了四極桿質(zhì)譜和飛行時(shí)間質(zhì)譜豐富內涵。
四極桿qSIMS主要用于摻雜物深度剖析和薄層分析生產效率，低入射能力，高入射電流適應性，濺射和分析連續(xù)進(jìn)行節點，是典型的Dynamic SIMS 動(dòng)態(tài)SIMS。
飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜TOF-SIMS使用飛行時(shí)間質(zhì)譜落地生根，質(zhì)量數(shù)范圍寬支撐作用，質(zhì)量分辨率高，且測量速度快（瞬間得到全譜）建設項目。離子槍僅需要一次脈沖濺射最為突出，即可得到全譜，對表面幾乎無破壞作用相結合。因脈沖模式分析高效化，且電流小，所以產(chǎn)生的二次離子比率相對少為產業發展，靈敏度相比動(dòng)態(tài)SIMS弱範圍和領域，但成像和表面分析能力強(qiáng)，是典型的Stactic SIMS 靜態(tài)SIMS各項要求。
TOF-qSIMS workstation 綜合了Quadrupole SIMS 和 TOF-SIMS的優(yōu)點(diǎn)更高要求，可以分析所有的導(dǎo)體、半導(dǎo)體新技術、絕緣材料共同學習；對硅、高k深入、硅鍺以及III-V族化合物等復(fù)合材料的薄層提供超淺深度剖析效高、痕量元素和組分測量等一系列擴(kuò)展功能。對于材料/產(chǎn)品表面成分及分布基礎，表面添加組分性能、雜質(zhì)組分、表面多層結(jié)構(gòu)/鍍膜成分集中展示、表面異物殘留（污染物實力增強、顆粒物、腐蝕物等）探索創新、表面痕量摻雜帶來全新智能、表面改性、表面缺陷（劃痕配套設備、凸起）等有很好的表征能力更優質。
一臺SIMS同時(shí)提供四極桿質(zhì)譜和飛行時(shí)間質(zhì)譜
靜態(tài)SIMS Static SIMS
動(dòng)態(tài)SIMS Dynamic SIMS
Ar+, O2+, Cs+, Ga+ 等多種離子槍
樣品 3D成像分析
檢測限低于ppm
SNMS 離子源，二次中性粒子譜
二次離子質(zhì)譜成像軟件推進高水平，靜態(tài)二次離子質(zhì)譜圖庫脫穎而出，二次離子質(zhì)譜后處理軟件
