| 參考價 | 面議 |
尺寸: 直徑= 5.7“ 高= 5.5”
放電電壓 / 電流: 50-300V / 10A 或 15A
操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機前體
KRI 霍爾離子源 eH 2000
上海伯東代理美國 進口 KRI 霍爾離子源 eH 2000 是一款更強大的版本, 帶有水冷方式, 他具備 eH 1000 所有的性能, 低成本設計提供高離子電流, 特別適合大中型真空系統(tǒng). 通常應用于離子輔助鍍膜, 預清洗和低能量離子蝕刻.
尺寸: 直徑= 5.7“ 高= 5.5”
放電電壓 / 電流: 50-300V / 10A 或 15A
操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機前體
KRI 霍爾離子源 eH 2000 特性
• 水冷 - 與 eh 1000 對比, 提供更高的離子輸出電流
• 可拆卸陽極組件 - 易于維護; 維護時, 最 限度地減少停機時間; 即插即用備用陽極
• 寬波束高放電電流 - 高電流密度; 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率
• 多用途 - 適用于 Load lock / 超高真空系統(tǒng); 安裝方便
• 高效的等離子轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的功率控制
KRI 霍爾離子源 eH 2000 技術參數(shù)
型號
eH 2000 / eH 2000L / eH 2000x02/ eH 2000 LEHO
供電
DC magnetic confinement
- 電壓
40-300V VDC
- 離子源直徑
~ 5 cm
- 陽極結構
模塊化
電源控制
eHx-30010A
配置
-
- 陰極中和器
Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode
- 離子束發(fā)散角度
> 45° (hwhm)
- 陽極
標準或 Grooved
- 水冷
前板水冷
- 底座
移動或快接法蘭
- 高度
4.0'
- 直徑
5.7'
- 加工材料
金屬
電介質(zhì)
半導體
- 工藝氣體
Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors
- 安裝距離
16-45”
- 自動控制
控制4種氣體
* 可選: 可調(diào)角度的支架; Sidewinder
KRI 霍爾離子源 eH2000 應用領域
• 離子輔助鍍膜 IAD
• 預清洗 Load lock preclean
• 預清洗 In-situ preclean
• Direct Deposition
• Surface Modification
• Low-energy etching
• III-V Semiconductors
• Polymer Substrates
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源 Gridded 和霍爾離子源 Gridless. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項 . 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射沉積 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源 (離子槍) 中國總代理.
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上海伯東 : 羅先生 中國臺灣伯東 : 王小姐
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