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超高分辨率場發(fā)射掃描電子顯微鏡 SU9000

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專門為電子束敏感樣品和需300萬倍穩(wěn)定觀察的半導體器件，高分辨成像所設計快速增長。特點新的電子槍和電子光學設計提高了低加速電壓性能開放以來。0.4 nm / 30 kV (SE) 1.2 nm / 1 kV (SE) …

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超高分辨率場發(fā)射掃描電子顯微鏡 SU9000

 專門為電子束敏感樣品和需300萬倍穩(wěn)定觀察的半導體器件，高分辨成像所設計高質量。

特點

 
  • 新的電子槍和電子光學設計提高了低加速電壓性能綜合運用。
    0.4 nm / 30 kV (SE)
    1.2 nm / 1 kV (SE)
    0.34 nm / 30 kV (STEM)
  • 用改良的高真空性能和電子束穩(wěn)定性來實現(xiàn)高效率截面觀察。
  • 采用全新設計的Super E x B能量過濾技術(shù)的方法，高效實事求是，靈活地收集SE / BSE/ STEM信號。 

項目技術(shù)指標
二次電子分辨率0.4nm （加速電壓30kV落到實處，放大倍率80萬倍）
1.2nm （加速電壓1kV服務水平，放大倍率25萬倍）
STEM分辨率0.34nm（加速電壓30kV，晶格象）
觀測倍率底片輸出顯示器輸出
LM模式80~10,000x220~25,000x
HM模式800~3,000,000x2,200~8,000,000x
樣品臺側(cè)插式樣品桿
樣品移動行程X±4.0mm
Y±2.0mm
Z±0.3mm
T±40度
標準樣品臺平面樣品臺：5.0mm×9.5mm×3.5mmH
截面樣品臺：2.0mm×6.0mm×5.0mmH
樣品臺截面樣品臺：2.0mm×12.0mm×6.0mmH
雙傾截面樣品臺：0.8mm×8.5mm×3.5mmH
信號檢測器二次電子探測器
TOP 探測器（選配）
BF/DF 雙STEM探測器（選配）

應用領域：

1.      半導體器件

2.      高分子材料

3.      納米材料

4.      生命科學
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