? 產(chǎn)品簡介：
REAL RTP150型快速退火爐是韓國ULTECH公司的一款6寸片快速退火爐，采用革新的加熱技術(shù)新技術，可實(shí)現(xiàn)真正的基底溫度測量共同學習，不需要采用傳統(tǒng)快速退火爐的溫度補(bǔ)償，溫度控制精確深入，溫度重復(fù)性高效高，客戶包括上許多半導(dǎo)體公司及科研團(tuán)隊(duì)前沿技術，是半導(dǎo)體制程退火工藝的理想選擇。

? 技術(shù)特色：

? 真正的基片溫度測量高效節能，無需傳統(tǒng)的溫度補(bǔ)償

? 紅外鹵素管燈加熱

? 極其優(yōu)異的加熱溫度精確性與均勻性

? 快速數(shù)字PID溫度控制

? 不銹鋼冷壁真空腔室

? 系統(tǒng)穩(wěn)定性好

? 結(jié)構(gòu)緊湊影響力範圍，小型桌面系統(tǒng)

? 帶觸摸屏的PC控制

? 兼容常壓和真空環(huán)境，真空度標(biāo)準(zhǔn)值為5×10-3Torr新創新即將到來，采用二級分子泵真空度低至5×10-6Torr

? 3路氣體（MFC控制）

? 沒有交叉污染不合理波動，沒有金屬污染

? 真實(shí)基底溫度測量技術(shù)介紹：

如上圖，由陣列式鹵素?zé)糨椛涑鰺崃拷?jīng)過石英窗口到達(dá)樣品表面重要工具，樣品被加熱積極拓展新的領域，傳統(tǒng)的快速退火爐采用熱電偶進(jìn)行測量基片溫度，由于熱電偶與基片有一定距離更優質，測量的不是基片真實(shí)的溫度相對開放，必須進(jìn)行溫度補(bǔ)償。

REAL RTP150型快速退火爐采用的一根片狀的Real T/C KIT進(jìn)行測溫脫穎而出，如上圖拓展應用，接觸測溫儀與片狀Real T/C KIT相連，工作時(shí)片狀Real T/C KIT位于樣品上方很近的位置結構，陣列式鹵素?zé)糨椛涑鰺崃拷?jīng)過石英窗口到達(dá)樣品表面管理，樣品被加熱，片狀Real T/C KIT同時(shí)被加熱能力建設，由于基片與Real T/C KIT很近模樣，它們之間也會進(jìn)行熱量傳遞，并很快達(dá)到熱平衡服務，所以片狀Real T/C KIT測量的溫度就無限接近基片真實(shí)的溫度很重要，從而實(shí)現(xiàn)基片溫度的真實(shí)測量。

? 主要技術(shù)參數(shù)：

? 基片尺寸：6英寸

? 基片基座：石英針（可選配SiC涂層石墨基座）

? 溫度范圍：150-1250℃

? 加熱速率：10-150℃/S

? 溫度均勻性：≤±1.5% (@800℃, Silicon wafer)

≤±1.0% (@800℃, Substrate on SiC coated graphite susceptor)

? 溫度控制精度：≤ ±3℃

? 溫度重復(fù)性：≤ ±3℃

? 真空度：5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr

? 氣路供應(yīng)：標(biāo)準(zhǔn)1路N2吹掃及冷卻氣路覆蓋，由MFC控制（多可選3路）

? 退火持續(xù)時(shí)間：≥35min@1250℃

? 溫度控制：快速數(shù)字PID控制

? 尺寸：870mm*650mm*620mm

? 基片類型：

? Silicon wafers硅片

? Compound semiconductor wafers化合物半導(dǎo)體基片

? GaN/Sapphire wafers for LEDs 用于LED的GaN/藍(lán)寶石基片

? Silicon carbide wafers碳化硅基片

? Poly silicon wafers for solar cells用于太陽能電池的多晶硅基片

? Glass substrates玻璃基片

? Metals金屬

? Polymers聚合物

? Graphite and silicon carbide susceptors石墨和鍍碳化硅的石墨基座

? 應(yīng)用領(lǐng)域：

離子注入/接觸退火異常狀況，快速熱處理(RTP)，快速退火(RTA)重要意義，快速熱氧化(RTO)統籌發展，快速熱氮化(RTN)，可在真空體系、惰性氣氛、氧氣開展試點、氫氣攜手共進、混合氣等不同環(huán)境下使用，SiAu, SiAl, SiMo合金化推進一步，低介電材料經過，晶體化簡單化，致密化，太陽能電池片鍵合等明確了方向。