? 產(chǎn)品簡(jiǎn)介：
REAL RTP200型快速退火爐是韓國(guó)ULTECH公司的一款8寸片快速退火爐重要意義，采用革新的加熱技術(shù)統籌發展，可實(shí)現(xiàn)真正的基底溫度測(cè)量，不需要采用傳統(tǒng)快速退火爐的溫度補(bǔ)償體系，溫度控制精確生產製造，溫度重復(fù)性高，客戶包括上許多半導(dǎo)體公司及科研團(tuán)隊(duì)攜手共進，是半導(dǎo)體制程退火工藝的理想選擇共同。
? 技術(shù)特色：
? 真正的基片溫度測(cè)量，無(wú)需傳統(tǒng)的溫度補(bǔ)償
? 紅外鹵素管燈加熱
? 極其優(yōu)異的加熱溫度精確性與均勻性
? 快速數(shù)字PID溫度控制
? 不銹鋼冷壁真空腔室
? 系統(tǒng)穩(wěn)定性好
? 結(jié)構(gòu)緊湊大部分，小型桌面系統(tǒng)
? 帶觸摸屏的PC控制
? 兼容常壓和真空環(huán)境強大的功能，真空度標(biāo)準(zhǔn)值為5×10-3Torr，采用二級(jí)分子泵真空度低至5×10-6Torr
? 3路氣體（MFC控制）
? 沒(méi)有交叉污染解決方案，沒(méi)有金屬污染
? 真實(shí)基底溫度測(cè)量技術(shù)介紹：
如上圖優勢，由陣列式鹵素?zé)糨椛涑鰺崃拷?jīng)過(guò)石英窗口到達(dá)樣品表面，樣品被加熱增產，傳統(tǒng)的快速退火爐采用熱電偶進(jìn)行測(cè)量基片溫度便利性，由于熱電偶與基片有一定距離，測(cè)量的不是基片真實(shí)的溫度行動力，必須進(jìn)行溫度補(bǔ)償提供有力支撐。
REAL RTP200型快速退火爐采用的一根片狀的Real T/C KIT進(jìn)行測(cè)溫，如上圖保供，接觸測(cè)溫儀與片狀Real T/C KIT相連自行開發，工作時(shí)片狀Real T/C KIT位于樣品上方很近的位置進行部署，陣列式鹵素?zé)糨椛涑鰺崃拷?jīng)過(guò)石英窗口到達(dá)樣品表面，樣品被加熱自動化裝置，片狀Real T/C KIT同時(shí)被加熱示範，由于基片與Real T/C KIT很近，它們之間也會(huì)進(jìn)行熱量傳遞有很大提升空間，并很快達(dá)到熱平衡運行好，所以片狀Real T/C KIT測(cè)量的溫度就無(wú)限接近基片真實(shí)的溫度可能性更大，從而實(shí)現(xiàn)基片溫度的真實(shí)測(cè)量部署安排。
? 主要技術(shù)參數(shù)：
? 基片尺寸：8英寸
? 基片基座：石英針（可選配SiC涂層石墨基座）
? 溫度范圍：150-1250℃
? 加熱速率：10-150℃/S
? 溫度均勻性：≤±1.5% (@800℃, Silicon wafer)
≤±1.0% (@800℃, Substrate on SiC coated graphite susceptor)
? 溫度控制精度：≤ ±3℃
? 溫度重復(fù)性：≤ ±3℃
? 真空度：5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr
? 氣路供應(yīng)：標(biāo)準(zhǔn)1路N2吹掃及冷卻氣路技術研究，由MFC控制（多可選3路）
? 退火持續(xù)時(shí)間：≥35min@1250℃
? 溫度控制：快速數(shù)字PID控制
? 尺寸：1300mm*820mm*1300mm
? 基片類型：
? Silicon wafers硅片
? Compound semiconductor wafers化合物半導(dǎo)體基片
? GaN/Sapphire wafers for LEDs 用于LED的GaN/藍(lán)寶石基片
? Silicon carbide wafers碳化硅基片
? Poly silicon wafers for solar cells用于太陽(yáng)能電池的多晶硅基片
? Glass substrates玻璃基片
? Metals金屬
? Polymers聚合物
? Graphite and silicon carbide susceptors石墨和鍍碳化硅的石墨基座
? 應(yīng)用領(lǐng)域：
離子注入/接觸退火不同需求，快速熱處理(RTP)，快速退火(RTA)保持穩定，快速熱氧化(RTO)，快速熱氮化(RTN)支撐作用，可在真空最為突出、惰性氣氛高效化、氧氣資源優勢、氫氣講理論、混合氣等不同環(huán)境下使用市場開拓，SiAu, SiAl, SiMo合金化，低介電材料緊密相關，晶體化更默契了，致密化，太陽(yáng)能電池片鍵合等培訓。
