產(chǎn)品描述：紅外干涉測(cè)量技術(shù),非接觸式測(cè)量

紅外干涉測(cè)量技術(shù), 非接觸式測(cè)量

適用于可讓紅外線(xiàn)通過(guò)的材料

硅為產業發展、藍(lán)寶石、砷化鎵認為、磷化銦服務好、碳化硅、玻璃反應能力、石  英共謀發展、聚合物…………

襯底厚度(不受圖案硅片、有膠帶結構重塑、凹凸或者粘合硅片影響)

平整度

厚度變化 (TTV)

溝槽深度

過(guò)孔尺寸聽得懂、深度、側(cè)壁角度

粗糙度

薄膜厚度

環(huán)氧樹(shù)脂厚度

襯底翹曲度

晶圓凸點(diǎn)高度(bump height)

MEMS 薄膜測(cè)量

TSV 深度高質量發展、側(cè)壁角度...

測(cè)量方式: 紅外干涉(非接觸式)

樣本尺寸:  50全方位、75、100影響力範圍、200先進技術、300 mm

測(cè)量厚度: 30 — 780 μm (單探頭)

3 mm (雙探頭總厚度測(cè)量)

掃瞄方式: 半自動(dòng)及全自動(dòng)型號(hào),

另2D/3D掃瞄(Mapping)可選

襯底厚度測(cè)量: TTV、平均值、小值宣講手段、大值重要工具、公差...

粗糙度: 20 — 1000? (RMS)

重復(fù)性: 0.1 μm (1 sigma)單探頭*

0.8 μm (1 sigma)雙探頭*

分辨率:   10 nm

設(shè)備尺寸:

413-200: 26”(W) x 38” (D) x 56” (H)

413-300: 32”(W) x 46” (D) x 66” (H) 

重量: 500 lbs

電源 : 110V/220VAC      真空: 100 mm Hg

*樣本表面光滑（一般粗糙度小于0.1μm RMS)

** 150μm厚硅片（沒(méi)圖案、雙面拋光并沒(méi)有摻雜）