基質(zhì)輔助脈沖激光沉積系統(tǒng)系統(tǒng)技術(shù)指標(biāo)：
大襯底尺寸
One 2-inch diameter substrate or multiple small samples. Larger substrates and custom substrate holders are available on request.
大襯底溫度：300°C typical, but other heaters are available.
MAPLE靶材溫度： -194°C (80 K)
壓力操作范圍：Base pressure depends strongly on polymer/solvent mix and the solvent vapor pressure
MAPLE靶材尺寸：Single 1.5” diameter target standard, larger targets available on request.
靶材到襯底(Throw) 距離：Variable from 2.5 to 4 inches
光柵路徑長(zhǎng)度：Across complete MAPLE target
基質(zhì)輔助脈沖激光沉積系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)的激光束射向靶材入射角度：60°
主腔體本底真空：P < 5 x 10-7 Torr guaranteed with system at room temperature and no polymer/solvent mix.
真空腔體：Box style chamber with easy substrate / target changes.
激光波長(zhǎng)：2.9 microns (Er:YAG laser), other lasers/wavelengths available on request.
科睿設(shè)備有限公司是一家專門從事材料生長(zhǎng)提供了遵循、材料分析參與水平、納米科技、半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備銷售服務效率、服務(wù)及技術(shù)咨詢的高科技公司明確相關要求。我司代理了多家*水平的分析儀器和設(shè)備，產(chǎn)品包括：
*光刻機(jī)(Mask Aligner)統籌發展、勻膠機(jī)(Spin Coater)深化涉外、深能級(jí)瞬態(tài)譜儀(DLTS)等；
*電子束蒸發(fā)系統(tǒng)(E-Beam Evaporation)生產製造、磁控濺射系統(tǒng)開展試點、脈沖激光沉積系統(tǒng)(PLD)、原子層沉積系統(tǒng)共同、快速退火爐(RTP)推進一步、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)、反應(yīng)離子蝕刻系統(tǒng)(RIE)簡單化；
*掃描開爾文探針系統(tǒng)(Kelvin Probe)力度、飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜(TOF-SIMS)；
*氣溶膠發(fā)生器系統性、氣溶膠粒徑譜儀業務指導、氣溶膠稀釋器、濾料測(cè)試系統(tǒng)提供堅實支撐、煙霧發(fā)生器還不大、空氣示蹤器等高產。
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