脈沖激光沉積系統(tǒng)（PLD）（Pulsed laser deposition, PLD），就是將激光聚焦于靶材上一個(gè)較小的面積進一步完善，利用激光的高能量密度將部分靶材料蒸發(fā)甚至電離集聚，使其能夠脫離靶材而向基底運(yùn)動(dòng)關註度，進(jìn)而在基底上沉積，從而形成薄膜的一種方式哪些領域。

 在眾多的薄膜制備方法中敢於挑戰，脈沖激光沉積技術(shù)的應(yīng)用較為廣泛，可用來(lái)制備金屬建立和完善、半導(dǎo)體提供了遵循、氧化物、氮化物大型、碳化物滿意度、硼化物、硅化物可持續、硫化物及氟化物等各種物質(zhì)薄膜，甚至還用來(lái)制備一些難以合成的材料膜體製，如金剛石構建、立方氮化物膜等。

PLD系統(tǒng)的核心技術(shù)一直被國(guó)外壟斷服務延伸，以往的國(guó)產(chǎn)系統(tǒng)在性能上與進(jìn)口設(shè)備存在較大差距共創輝煌。我們的研發(fā)團(tuán)隊(duì)通過(guò)與國(guó)內(nèi)科研機(jī)構(gòu)協(xié)作，共同開(kāi)發(fā)出了性能優(yōu)異的PLD系統(tǒng)進一步。我公司開(kāi)發(fā)的一臺(tái)脈沖激光沉積系統(tǒng)（PLD）已順利交付用戶（清華大學(xué)）使用大部分，并獲得用戶的好評(píng)。

脈沖激光沉積系統(tǒng)（PLD）

脈沖激光沉積系統(tǒng)配置：

• 生長(zhǎng)室實際需求，進(jìn)樣室可選

• 水平解決方案、垂直兩種靶臺(tái)可選

• 激光加熱和輻射加熱兩種樣品臺(tái)可選，激光加熱溫度高至1200℃

• 工藝氣路可以任意搭配

• 配備高壓RHEED善謀新篇，工作氣壓可達(dá)100Pa

• 可預(yù)留法蘭增產，用于LEED，K-Cell, E-beam等

• 其它可選項(xiàng)如臭氧發(fā)生器方法，離子源行動力，掩膜系統(tǒng)等

脈沖激光沉積系統(tǒng)特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)：

• 可根據(jù)客戶需求定制產(chǎn)品，靈活性高切實把製度，并提供專業(yè)的技術(shù)支持保供；

• 靶臺(tái)多可以安裝6個(gè)靶位，靶材更換靈活進行部署；

• 樣品臺(tái)樣品尺寸從10x10mm樣品到2英寸樣品均適用責任；

• 進(jìn)樣室可以存儲(chǔ)多個(gè)靶和樣品；

• 交易過(guò)程無(wú)需繁瑣的進(jìn)試驗、出關(guān)手續(xù), 交貨期短勞動精神，性價(jià)比高開展攻關合作；

另外，我們還提供不含RHEED的簡(jiǎn)易PLD系統(tǒng)預下達，并可根據(jù)用戶的要求定制