等離子體刻蝕機
產(chǎn)品簡介：
nanoETCH刻蝕機是英國MOORFIELD公司與英國曼徹斯特大學(xué)“諾貝爾獎”石墨烯團隊共同開發(fā)的一款采用“軟刻蝕”技術(shù)等離子體刻蝕機發力，該技術(shù)大的特色是等離子體的功率低，分辨率高迎來新的篇章，功率低可達10mV共創美好，主要用于刻蝕二維材料石墨烯等，刻蝕精度高薄弱點，高重復(fù)性號覆蓋範圍，刻蝕超薄樣品無污染與殘留物，可避免傳統(tǒng)刻蝕機造成樣品的損傷與污染積極性，有多篇Science 與Nature的文章里采用了該設(shè)備奮勇向前，是從事二維材料研究用戶的理想選擇。
產(chǎn)品特性：
? 對基底材料無損傷
? 無殘留污染
? RF輸出功率低至30W
? RF輸出功率分辨率低至30W
? 多支持3通道MFC氣體控制實施體系，含Ar組建，O2
? 通過觸控屏全自動進行刻蝕
? 真空度低至<5 ×="" 10-7="">
? 全自動壓力控制
? 可自定義刻蝕程序并具有儲存功能
? 維護簡單
? 操作及其安全，有各種安全保護裝置
? 兼容超凈間
主要技術(shù)參數(shù)：
? RF功率:低至30W
? RF功率分辨率:低至30W
? 樣品臺：標準3”效果較好，大支持6”
? 2通道MFC氣體控制重要的意義，Ar，O2開拓創新，多支持3通道MFC氣體控制
? 壓力控制分辨率：1mTorr
? 真空度：<5 ×="" 10-7="">
產(chǎn)品應(yīng)用：
? 機械剝離基體預(yù)處理持續發展，提高基體的尺寸與粘附力
? 二維材料刻蝕: 軟刻蝕技術(shù)可進行pattern刻蝕，
? 缺陷工程與處理
典型用戶
? the University of Exeter(UK)
? the University of Manchester(UK)
? ICFO – The Institute of Photonic Sciences ( Spain)
? the University of Cambridge ａnd Nokia Research Centre (UK)
§ 典型論文：
1, Vertical field-effect transistor based on graphene–WS2 heterostructures for flexible and transparent electronics, Georgiou, T., et al. Nature Nanotechnology, 2012.
2, Chaotic dirac billiard in graphene quantum dots, Ponomarenko, L. A., et al. Science , 2008.
3, Detection of individual gas molecules adsorbed on grapheme, Schedin, F., et al. Nature Materials 2007.
4, Graphene-based mid-infrared room-temperature pyroelectric bolometers with ultrahigh temperature coefficient of resistance, Sassi, U., et al. Nature Communications, 2017.
